All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

คา ปา ปั๊ม น้ำ

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104MC1FD3F6C10MF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 100nF 20% 50V 5.08 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104MC1FD3F6C10MF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 100nF 20% 50V 5.08 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104MC1FD3F6C10MF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 100nF 20% 50V 5.08 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104MC1FD3F6C10MF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 100nF 20% 50V 5.08 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104MC1FD3F6C10MF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 100nF 20% 50V 5.08 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104MC1FD3F6C10MF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 100nF 20% 50V 5.08 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104MC1FD3F6C10MF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 100nF 20% 50V 5.08 มม.

฿0.3161-1.27

สั่งขั้นต่ำ: 50 ชิ้น

Taiyo Yuden TMK107AB7105KAHT MCAST168AB7105KTNA01 SMT 0603 X7R 1uF 25V 10% ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น55C AEC-Q200 - Product Image 1

Taiyo Yuden TMK107AB7105KAHT MCAST168AB7105KTNA01 SMT 0603 X7R 1uF 25V 10% ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น55C AEC-Q200 - Product Image 2

Taiyo Yuden TMK107AB7105KAHT MCAST168AB7105KTNA01 SMT 0603 X7R 1uF 25V 10% ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น55C AEC-Q200 - Product Image 3

Taiyo Yuden TMK107AB7105KAHT MCAST168AB7105KTNA01 SMT 0603 X7R 1uF 25V 10% ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น55C AEC-Q200 - Product Image 4

Taiyo Yuden TMK107AB7105KAHT MCAST168AB7105KTNA01 SMT 0603 X7R 1uF 25V 10% ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น55C AEC-Q200 - Product Image 5

Taiyo Yuden TMK107AB7105KAHT MCAST168AB7105KTNA01 SMT 0603 X7R 1uF 25V 10% ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น55C AEC-Q200

฿1,003.59

สั่งขั้นต่ำ: 1 ม้วน

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81N7Y5V1B682MSEAT0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 6.8nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV รุ่น Y5V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81N7Y5V1B682MSEAT0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 6.8nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV รุ่น Y5V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81N7Y5V1B682MSEAT0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 6.8nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV รุ่น Y5V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81N7Y5V1B682MSEAT0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 6.8nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV รุ่น Y5V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81N7Y5V1B682MSEAT0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 6.8nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV รุ่น Y5V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81N7Y5V1B682MSEAT0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 6.8nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV รุ่น Y5V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81N7Y5V1B682MSEAT0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 6.8nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV รุ่น Y5V

฿0.6322-2.85

สั่งขั้นต่ำ: 20 ชิ้น

ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD UUR2A470MNL1GS D10xL10mm 47uF 20% 100V 155mA-120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD UUR2A470MNL1GS D10xL10mm 47uF 20% 100V 155mA-120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD UUR2A470MNL1GS D10xL10mm 47uF 20% 100V 155mA-120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD UUR2A470MNL1GS D10xL10mm 47uF 20% 100V 155mA-120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD UUR2A470MNL1GS D10xL10mm 47uF 20% 100V 155mA-120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD UUR2A470MNL1GS D10xL10mm 47uF 20% 100V 155mA-120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD UUR2A470MNL1GS D10xL10mm 47uF 20% 100V 155mA-120Hz

฿0.3161-1.59

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCM103Z30Y5VL6BL5A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 10nF ±20%~+80% 500V 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCM103Z30Y5VL6BL5A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 10nF ±20%~+80% 500V 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCM103Z30Y5VL6BL5A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 10nF ±20%~+80% 500V 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCM103Z30Y5VL6BL5A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 10nF ±20%~+80% 500V 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCM103Z30Y5VL6BL5A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 10nF ±20%~+80% 500V 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCM103Z30Y5VL6BL5A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 10nF ±20%~+80% 500V 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCM103Z30Y5VL6BL5A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 10nF ±20%~+80% 500V 5 มม.

฿0.6322-2.22

สั่งขั้นต่ำ: 20 ชิ้น

DCH470K22SL N6WL5A0ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 47pF 10% 1kV 5มม - Product Image 1

DCH470K22SL N6WL5A0ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 47pF 10% 1kV 5มม - Product Image 2

DCH470K22SL N6WL5A0ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 47pF 10% 1kV 5มม - Product Image 3

DCH470K22SL N6WL5A0ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 47pF 10% 1kV 5มม - Product Image 4

DCH470K22SL N6WL5A0ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 47pF 10% 1kV 5มม - Product Image 5

DCH470K22SL N6WL5A0ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 47pF 10% 1kV 5มม - Product Image 6

DCH470K22SL N6WL5A0ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 47pF 10% 1kV 5มม

฿0.3161-1.90

สั่งขั้นต่ำ: 20 ชิ้น

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF823K2L3KS3035A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 82nF 10% 450V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF823K2L3KS3035A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 82nF 10% 450V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF823K2L3KS3035A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 82nF 10% 450V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF823K2L3KS3035A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 82nF 10% 450V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF823K2L3KS3035A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 82nF 10% 450V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF823K2L3KS3035A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 82nF 10% 450V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF823K2L3KS3035A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 82nF 10% 450V

฿0.9483-4.11

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู DCH470J22SL N6FK5G8 ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=5 มม. 47pF 5% 1kV 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู DCH470J22SL N6FK5G8 ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=5 มม. 47pF 5% 1kV 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู DCH470J22SL N6FK5G8 ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=5 มม. 47pF 5% 1kV 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู DCH470J22SL N6FK5G8 ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=5 มม. 47pF 5% 1kV 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู DCH470J22SL N6FK5G8 ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=5 มม. 47pF 5% 1kV 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู DCH470J22SL N6FK5G8 ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=5 มม. 47pF 5% 1kV 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู DCH470J22SL N6FK5G8 ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=5 มม. 47pF 5% 1kV 5 มม.

฿0.6322-2.85

สั่งขั้นต่ำ: 20 ชิ้น

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง: