All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

ค รู๊ ด

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น ECWHA3C472J แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 4.7nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 1.6kV - Product Image 1
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น ECWHA3C472J แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 4.7nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 1.6kV - Product Image 2
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น ECWHA3C472J แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 4.7nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 1.6kV - Product Image 3
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น ECWHA3C472J แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 4.7nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 1.6kV - Product Image 4
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น ECWHA3C472J แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 4.7nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 1.6kV - Product Image 5
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น ECWHA3C472J แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 4.7nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 1.6kV - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น ECWHA3C472J แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 4.7nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 1.6kV

฿4.53-17.47
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (13)
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพรพิลีน MPP104J2J1906136LC (CBB) ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) 100nF 5% 630V - Product Image 1
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพรพิลีน MPP104J2J1906136LC (CBB) ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) 100nF 5% 630V - Product Image 2
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพรพิลีน MPP104J2J1906136LC (CBB) ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) 100nF 5% 630V - Product Image 3
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพรพิลีน MPP104J2J1906136LC (CBB) ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) 100nF 5% 630V - Product Image 4
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพรพิลีน MPP104J2J1906136LC (CBB) ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) 100nF 5% 630V - Product Image 5
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพรพิลีน MPP104J2J1906136LC (CBB) ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) 100nF 5% 630V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพรพิลีน MPP104J2J1906136LC (CBB) ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) 100nF 5% 630V

฿1.30-5.50
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (13)
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น C322C185J60C000 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=15 มม. 1.8uF 5% 160V - Product Image 1
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น C322C185J60C000 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=15 มม. 1.8uF 5% 160V - Product Image 2
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น C322C185J60C000 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=15 มม. 1.8uF 5% 160V - Product Image 3
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น C322C185J60C000 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=15 มม. 1.8uF 5% 160V - Product Image 4
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น C322C185J60C000 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=15 มม. 1.8uF 5% 160V - Product Image 5
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น C322C185J60C000 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=15 มม. 1.8uF 5% 160V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น C322C185J60C000 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=15 มม. 1.8uF 5% 160V

฿9.06-35.58
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (13)
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น MPP224J2JD070B200ZR แบบ Through Hole (THT) ความจุ 220nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V - Product Image 1
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น MPP224J2JD070B200ZR แบบ Through Hole (THT) ความจุ 220nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V - Product Image 2
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น MPP224J2JD070B200ZR แบบ Through Hole (THT) ความจุ 220nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V - Product Image 3
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น MPP224J2JD070B200ZR แบบ Through Hole (THT) ความจุ 220nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V - Product Image 4
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น MPP224J2JD070B200ZR แบบ Through Hole (THT) ความจุ 220nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V - Product Image 5
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น MPP224J2JD070B200ZR แบบ Through Hole (THT) ความจุ 220nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น MPP224J2JD070B200ZR แบบ Through Hole (THT) ความจุ 220nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V

฿1.30-4.53
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (13)
ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบเสียบเข้ารู TLS315VS470M30*30 VS แบบ Snap-in ขนาด THT, เส้นผ่านศูนย์กลาง 30 มม. x ความยาว 30 มม. ความจุ 470uF 20% แรงดัน 315V ระยะขา 10 มม. - Product Image 1
ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบเสียบเข้ารู TLS315VS470M30*30 VS แบบ Snap-in ขนาด THT, เส้นผ่านศูนย์กลาง 30 มม. x ความยาว 30 มม. ความจุ 470uF 20% แรงดัน 315V ระยะขา 10 มม. - Product Image 2
ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบเสียบเข้ารู TLS315VS470M30*30 VS แบบ Snap-in ขนาด THT, เส้นผ่านศูนย์กลาง 30 มม. x ความยาว 30 มม. ความจุ 470uF 20% แรงดัน 315V ระยะขา 10 มม. - Product Image 3
ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบเสียบเข้ารู TLS315VS470M30*30 VS แบบ Snap-in ขนาด THT, เส้นผ่านศูนย์กลาง 30 มม. x ความยาว 30 มม. ความจุ 470uF 20% แรงดัน 315V ระยะขา 10 มม. - Product Image 4
ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบเสียบเข้ารู TLS315VS470M30*30 VS แบบ Snap-in ขนาด THT, เส้นผ่านศูนย์กลาง 30 มม. x ความยาว 30 มม. ความจุ 470uF 20% แรงดัน 315V ระยะขา 10 มม. - Product Image 5
ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบเสียบเข้ารู TLS315VS470M30*30 VS แบบ Snap-in ขนาด THT, เส้นผ่านศูนย์กลาง 30 มม. x ความยาว 30 มม. ความจุ 470uF 20% แรงดัน 315V ระยะขา 10 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบเสียบเข้ารู TLS315VS470M30*30 VS แบบ Snap-in ขนาด THT, เส้นผ่านศูนย์กลาง 30 มม. x ความยาว 30 มม. ความจุ 470uF 20% แรงดัน 315V ระยะขา 10 มม.

฿48.84-177.89
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (13)
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD2E104KB12ER1F100 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=3.5 มม., ความจุ 100nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 250V, ความต้านทาน X7R - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD2E104KB12ER1F100 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=3.5 มม., ความจุ 100nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 250V, ความต้านทาน X7R - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD2E104KB12ER1F100 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=3.5 มม., ความจุ 100nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 250V, ความต้านทาน X7R - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD2E104KB12ER1F100 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=3.5 มม., ความจุ 100nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 250V, ความต้านทาน X7R - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD2E104KB12ER1F100 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=3.5 มม., ความจุ 100nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 250V, ความต้านทาน X7R - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD2E104KB12ER1F100 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=3.5 มม., ความจุ 100nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 250V, ความต้านทาน X7R - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD2E104KB12ER1F100 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=3.5 มม., ความจุ 100nF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 250V, ความต้านทาน X7R

฿0.9703-3.56
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (13)
ตัวเก็บประจุแบบแข็ง APSF160ETD471MHB5S แบบ Through Hole (THT), ขนาด D8xL11.5 มม. 470uF 20% 16V 5.4A 100kHz - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบแข็ง APSF160ETD471MHB5S แบบ Through Hole (THT), ขนาด D8xL11.5 มม. 470uF 20% 16V 5.4A 100kHz - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบแข็ง APSF160ETD471MHB5S แบบ Through Hole (THT), ขนาด D8xL11.5 มม. 470uF 20% 16V 5.4A 100kHz - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบแข็ง APSF160ETD471MHB5S แบบ Through Hole (THT), ขนาด D8xL11.5 มม. 470uF 20% 16V 5.4A 100kHz - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบแข็ง APSF160ETD471MHB5S แบบ Through Hole (THT), ขนาด D8xL11.5 มม. 470uF 20% 16V 5.4A 100kHz - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบแข็ง APSF160ETD471MHB5S แบบ Through Hole (THT), ขนาด D8xL11.5 มม. 470uF 20% 16V 5.4A 100kHz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบแข็ง APSF160ETD471MHB5S แบบ Through Hole (THT), ขนาด D8xL11.5 มม. 470uF 20% 16V 5.4A 100kHz

฿5.83-22.97
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (13)
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น C312J104J6SY350 แบบ Through Hole (THT) ความจุ 100nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V - Product Image 1
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น C312J104J6SY350 แบบ Through Hole (THT) ความจุ 100nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V - Product Image 2
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น C312J104J6SY350 แบบ Through Hole (THT) ความจุ 100nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V - Product Image 3
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น C312J104J6SY350 แบบ Through Hole (THT) ความจุ 100nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V - Product Image 4
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น C312J104J6SY350 แบบ Through Hole (THT) ความจุ 100nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V - Product Image 5
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น C312J104J6SY350 แบบ Through Hole (THT) ความจุ 100nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น C312J104J6SY350 แบบ Through Hole (THT) ความจุ 100nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V

฿2.59-10.68
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (13)

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

ดอก สว่าน เจาะ รู สี่เหลี่ยมดอก เจาะ ไม้ สี่เหลี่ยมดอก สว่าน ที่ ดี ที่สุดsquier bullet hss ราคาดอก เจาะ โฮ ล ซอเป็น รูดอก สว่าน sds คือขนาด เลื่อย ยนต์ ที่ ไม่ ต้อง ขอ อนุญาตดอก สว่าน ส แตน เล สดอก สว่าน 12 มิ ลดอก สว่าน สำหรับ เจาะ ส แตน เล สดอก สว่าน ไทเทเนียมดอก สว่าน เจาะ ส แตน เล ส osbornดอก สว่าน เจาะ ปูน โรตารี่ดอกเจาะกระเบื้องหอแต๊วแตกพจมานสว่างคาตาbomieดอก สว่าน 1.5 มิ ลดอก สว่าน ดี ที่สุดดอก สว่าน 25 มิ ล