All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Igbt

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

IGBT โมดูล1700V F4100R17ME4B11BPSA1 155A ใหม่ต้นฉบับ SMD วงจรตัวต้านทานตัวเก็บประจุของฉันวงจรกำเนิดไดโอดคริสตัลไดโอด Bom - Product Image 1
IGBT โมดูล1700V F4100R17ME4B11BPSA1 155A ใหม่ต้นฉบับ SMD วงจรตัวต้านทานตัวเก็บประจุของฉันวงจรกำเนิดไดโอดคริสตัลไดโอด Bom - Product Image 2
IGBT โมดูล1700V F4100R17ME4B11BPSA1 155A ใหม่ต้นฉบับ SMD วงจรตัวต้านทานตัวเก็บประจุของฉันวงจรกำเนิดไดโอดคริสตัลไดโอด Bom - Product Image 3
IGBT โมดูล1700V F4100R17ME4B11BPSA1 155A ใหม่ต้นฉบับ SMD วงจรตัวต้านทานตัวเก็บประจุของฉันวงจรกำเนิดไดโอดคริสตัลไดโอด Bom - Product Image 4
IGBT โมดูล1700V F4100R17ME4B11BPSA1 155A ใหม่ต้นฉบับ SMD วงจรตัวต้านทานตัวเก็บประจุของฉันวงจรกำเนิดไดโอดคริสตัลไดโอด Bom - Product Image 5

IGBT โมดูล1700V F4100R17ME4B11BPSA1 155A ใหม่ต้นฉบับ SMD วงจรตัวต้านทานตัวเก็บประจุของฉันวงจรกำเนิดไดโอดคริสตัลไดโอด Bom

฿1,090.01
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HK HongShengChuang Industrial Co., Limited
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(13)
โมดูล IGBT ฮิตาชิ เอนเนอร์จี 5SNG 0450R170300 LoPak1 เฟสเลก 1 แรงดัน 1700V กระแส 450A แรงดันฉนวน 4000V แบบสกรูยึด กำลังไฟสูง ความสูญเสียต่ำพิเศษ - Product Image 1
โมดูล IGBT ฮิตาชิ เอนเนอร์จี 5SNG 0450R170300 LoPak1 เฟสเลก 1 แรงดัน 1700V กระแส 450A แรงดันฉนวน 4000V แบบสกรูยึด กำลังไฟสูง ความสูญเสียต่ำพิเศษ - Product Image 2
โมดูล IGBT ฮิตาชิ เอนเนอร์จี 5SNG 0450R170300 LoPak1 เฟสเลก 1 แรงดัน 1700V กระแส 450A แรงดันฉนวน 4000V แบบสกรูยึด กำลังไฟสูง ความสูญเสียต่ำพิเศษ - Product Image 3
โมดูล IGBT ฮิตาชิ เอนเนอร์จี 5SNG 0450R170300 LoPak1 เฟสเลก 1 แรงดัน 1700V กระแส 450A แรงดันฉนวน 4000V แบบสกรูยึด กำลังไฟสูง ความสูญเสียต่ำพิเศษ - Product Image 4
โมดูล IGBT ฮิตาชิ เอนเนอร์จี 5SNG 0450R170300 LoPak1 เฟสเลก 1 แรงดัน 1700V กระแส 450A แรงดันฉนวน 4000V แบบสกรูยึด กำลังไฟสูง ความสูญเสียต่ำพิเศษ - Product Image 5
โมดูล IGBT ฮิตาชิ เอนเนอร์จี 5SNG 0450R170300 LoPak1 เฟสเลก 1 แรงดัน 1700V กระแส 450A แรงดันฉนวน 4000V แบบสกรูยึด กำลังไฟสูง ความสูญเสียต่ำพิเศษ - Product Image 6

โมดูล IGBT ฮิตาชิ เอนเนอร์จี 5SNG 0450R170300 LoPak1 เฟสเลก 1 แรงดัน 1700V กระแส 450A แรงดันฉนวน 4000V แบบสกรูยึด กำลังไฟสูง ความสูญเสียต่ำพิเศษ

฿4,162.13
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
YIYUE SINGAPORE PTE. LTD.
2 yrsSG flagSG
ทรานซิสเตอร์ IKW25N120T2XKSA1 TO-247 ไอซีชิป ของแท้ ใหม่ ไดโอด IGBT IKW25N120T2 - Product Image 1
ทรานซิสเตอร์ IKW25N120T2XKSA1 TO-247 ไอซีชิป ของแท้ ใหม่ ไดโอด IGBT IKW25N120T2 - Product Image 2
ทรานซิสเตอร์ IKW25N120T2XKSA1 TO-247 ไอซีชิป ของแท้ ใหม่ ไดโอด IGBT IKW25N120T2 - Product Image 3
ทรานซิสเตอร์ IKW25N120T2XKSA1 TO-247 ไอซีชิป ของแท้ ใหม่ ไดโอด IGBT IKW25N120T2 - Product Image 4
ทรานซิสเตอร์ IKW25N120T2XKSA1 TO-247 ไอซีชิป ของแท้ ใหม่ ไดโอด IGBT IKW25N120T2 - Product Image 5

ทรานซิสเตอร์ IKW25N120T2XKSA1 TO-247 ไอซีชิป ของแท้ ใหม่ ไดโอด IGBT IKW25N120T2

฿26.70-98.46
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ชิ้น
ANGEL TECHNOLOGY ELECTRONICS CO.
1 yrsHK flagHK
RGS80TSX2D RGS80TSX2DHRC11ต่อ-247 80A IGBT - Product Image 1
RGS80TSX2D RGS80TSX2DHRC11ต่อ-247 80A IGBT - Product Image 2
RGS80TSX2D RGS80TSX2DHRC11ต่อ-247 80A IGBT - Product Image 3
RGS80TSX2D RGS80TSX2DHRC11ต่อ-247 80A IGBT - Product Image 4
RGS80TSX2D RGS80TSX2DHRC11ต่อ-247 80A IGBT - Product Image 5
RGS80TSX2D RGS80TSX2DHRC11ต่อ-247 80A IGBT - Product Image 6

RGS80TSX2D RGS80TSX2DHRC11ต่อ-247 80A IGBT

฿3.34-6.68
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ชิ้น
HK SENTE ELECTRONICS LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(3)
68A ISOPLUS247 IXGR50N60B2D1 IGBT 600V ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ของแท้สินค้าใหม่ - Product Image 1
68A ISOPLUS247 IXGR50N60B2D1 IGBT 600V ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ของแท้สินค้าใหม่ - Product Image 2
68A ISOPLUS247 IXGR50N60B2D1 IGBT 600V ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ของแท้สินค้าใหม่ - Product Image 3
68A ISOPLUS247 IXGR50N60B2D1 IGBT 600V ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ของแท้สินค้าใหม่ - Product Image 4
68A ISOPLUS247 IXGR50N60B2D1 IGBT 600V ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ของแท้สินค้าใหม่ - Product Image 5
68A ISOPLUS247 IXGR50N60B2D1 IGBT 600V ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ของแท้สินค้าใหม่ - Product Image 6

68A ISOPLUS247 IXGR50N60B2D1 IGBT 600V ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ของแท้สินค้าใหม่

฿61.41
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
KotenchipTechnology Co., Limited
1 yrsHK flagHK4.8/5.0(5)
ชิปไอซี IGBT โมดูลทรานซิสเตอร์ TO-3P-3 SGT40N60FD2PN ของแท้ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 1
ชิปไอซี IGBT โมดูลทรานซิสเตอร์ TO-3P-3 SGT40N60FD2PN ของแท้ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 2
ชิปไอซี IGBT โมดูลทรานซิสเตอร์ TO-3P-3 SGT40N60FD2PN ของแท้ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 3
ชิปไอซี IGBT โมดูลทรานซิสเตอร์ TO-3P-3 SGT40N60FD2PN ของแท้ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 4
ชิปไอซี IGBT โมดูลทรานซิสเตอร์ TO-3P-3 SGT40N60FD2PN ของแท้ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 5
ชิปไอซี IGBT โมดูลทรานซิสเตอร์ TO-3P-3 SGT40N60FD2PN ของแท้ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 6

ชิปไอซี IGBT โมดูลทรานซิสเตอร์ TO-3P-3 SGT40N60FD2PN ของแท้ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

฿30.38-114.48
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.8/5.0(15)
FP75R12 IGBT โมดูล FP75R12KT4BOSA1 ใหม่ 0-6000V SMD วงจรตัวเก็บประจุตัวต้านทานคริสตัลไดโอด BOM - Product Image 1
FP75R12 IGBT โมดูล FP75R12KT4BOSA1 ใหม่ 0-6000V SMD วงจรตัวเก็บประจุตัวต้านทานคริสตัลไดโอด BOM - Product Image 2
FP75R12 IGBT โมดูล FP75R12KT4BOSA1 ใหม่ 0-6000V SMD วงจรตัวเก็บประจุตัวต้านทานคริสตัลไดโอด BOM - Product Image 3
FP75R12 IGBT โมดูล FP75R12KT4BOSA1 ใหม่ 0-6000V SMD วงจรตัวเก็บประจุตัวต้านทานคริสตัลไดโอด BOM - Product Image 4
FP75R12 IGBT โมดูล FP75R12KT4BOSA1 ใหม่ 0-6000V SMD วงจรตัวเก็บประจุตัวต้านทานคริสตัลไดโอด BOM - Product Image 5

FP75R12 IGBT โมดูล FP75R12KT4BOSA1 ใหม่ 0-6000V SMD วงจรตัวเก็บประจุตัวต้านทานคริสตัลไดโอด BOM

฿1,090.01
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HK HongShengChuang Industrial Co., Limited
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(13)
HITACHI 1600N170300 5SNA พลังงาน hipak IGBT โมดูล1700V 1600V ตัวแยกสกรู4000V สำหรับแรงดึง MVD HVDC ข้อเท็จจริงลม - Product Image 1
HITACHI 1600N170300 5SNA พลังงาน hipak IGBT โมดูล1700V 1600V ตัวแยกสกรู4000V สำหรับแรงดึง MVD HVDC ข้อเท็จจริงลม - Product Image 2
HITACHI 1600N170300 5SNA พลังงาน hipak IGBT โมดูล1700V 1600V ตัวแยกสกรู4000V สำหรับแรงดึง MVD HVDC ข้อเท็จจริงลม - Product Image 3
HITACHI 1600N170300 5SNA พลังงาน hipak IGBT โมดูล1700V 1600V ตัวแยกสกรู4000V สำหรับแรงดึง MVD HVDC ข้อเท็จจริงลม - Product Image 4
HITACHI 1600N170300 5SNA พลังงาน hipak IGBT โมดูล1700V 1600V ตัวแยกสกรู4000V สำหรับแรงดึง MVD HVDC ข้อเท็จจริงลม - Product Image 5
HITACHI 1600N170300 5SNA พลังงาน hipak IGBT โมดูล1700V 1600V ตัวแยกสกรู4000V สำหรับแรงดึง MVD HVDC ข้อเท็จจริงลม - Product Image 6

HITACHI 1600N170300 5SNA พลังงาน hipak IGBT โมดูล1700V 1600V ตัวแยกสกรู4000V สำหรับแรงดึง MVD HVDC ข้อเท็จจริงลม

฿1,668.72-3,337.44
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
YIYUE SINGAPORE PTE. LTD.
2 yrsSG flagSG

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

iweld mig mma 225 igbty ibirigibkibeatblgprivate igigrowib32irfbi lediqfiot gatewayirig 2iipital smarticbmig dc2bitlintel gm45