All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

High 5

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD471KYVNA ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD471KYVNA ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD471KYVNA ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD471KYVNA ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD471KYVNA ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD471KYVNA ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD471KYVNA ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470pF 10% 1kV 5 มม.

฿0.3263-1.96

MOQ: 20

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81Y5P2KV471K6060BT แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81Y5P2KV471K6060BT แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81Y5P2KV471K6060BT แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81Y5P2KV471K6060BT แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81Y5P2KV471K6060BT แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81Y5P2KV471K6060BT แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81Y5P2KV471K6060BT แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม.

฿0.3263-0.9789

MOQ: 20

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81N5Y5P1B221KSE ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 220pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81N5Y5P1B221KSE ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 220pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81N5Y5P1B221KSE ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 220pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81N5Y5P1B221KSE ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 220pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81N5Y5P1B221KSE ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 220pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81N5Y5P1B221KSE ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 220pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81N5Y5P1B221KSE ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 220pF 10% 1kV 5 มม.

฿0.6526-2.94

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-R3AD101K-VRA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 100pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-R3AD101K-VRA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 100pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-R3AD101K-VRA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 100pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-R3AD101K-VRA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 100pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-R3AD101K-VRA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 100pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-R3AD101K-VRA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 100pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-R3AD101K-VRA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 100pF 10% 1kV 5 มม.

฿1.64-6.53

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3F102MD1IEF45K60MF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 20% 3kV 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3F102MD1IEF45K60MF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 20% 3kV 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3F102MD1IEF45K60MF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 20% 3kV 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3F102MD1IEF45K60MF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 20% 3kV 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3F102MD1IEF45K60MF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 20% 3kV 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3F102MD1IEF45K60MF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 20% 3kV 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3F102MD1IEF45K60MF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 20% 3kV 7.5 มม.

฿0.3263-1.64

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-R3AD471K-PRY ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-R3AD471K-PRY ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-R3AD471K-PRY ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-R3AD471K-PRY ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-R3AD471K-PRY ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-R3AD471K-PRY ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-R3AD471K-PRY ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม.

฿0.6526-2.29

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCC470J20SL F6FJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 47pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 50V ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCC470J20SL F6FJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 47pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 50V ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCC470J20SL F6FJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 47pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 50V ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCC470J20SL F6FJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 47pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 50V ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCC470J20SL F6FJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 47pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 50V ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCC470J20SL F6FJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 47pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 50V ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCC470J20SL F6FJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 47pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 50V ระยะขา 5 มม.

฿0.3263-1.31

MOQ: 50

ตัวต้านทานแบบ SMD รุ่น 2010W2J0303T4S ขนาด 2010 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ค่าความต้านทาน: 30kโอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 1

ตัวต้านทานแบบ SMD รุ่น 2010W2J0303T4S ขนาด 2010 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ค่าความต้านทาน: 30kโอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 2

ตัวต้านทานแบบ SMD รุ่น 2010W2J0303T4S ขนาด 2010 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ค่าความต้านทาน: 30kโอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 3

ตัวต้านทานแบบ SMD รุ่น 2010W2J0303T4S ขนาด 2010 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ค่าความต้านทาน: 30kโอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 4

ตัวต้านทานแบบ SMD รุ่น 2010W2J0303T4S ขนาด 2010 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ค่าความต้านทาน: 30kโอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 5

ตัวต้านทานแบบ SMD รุ่น 2010W2J0303T4S ขนาด 2010 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ค่าความต้านทาน: 30kโอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 6

ตัวต้านทานแบบ SMD รุ่น 2010W2J0303T4S ขนาด 2010 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ค่าความต้านทาน: 30kโอห์ม ความแม่นยำ: 5%)

฿0.3263-0.9789

MOQ: 1