All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

High 5

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206N150J102T ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 15pF) (ความแม่นยำ: 5%) แรงดันไฟฟ้า: 1kV - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206N150J102T ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 15pF) (ความแม่นยำ: 5%) แรงดันไฟฟ้า: 1kV - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206N150J102T ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 15pF) (ความแม่นยำ: 5%) แรงดันไฟฟ้า: 1kV - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206N150J102T ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 15pF) (ความแม่นยำ: 5%) แรงดันไฟฟ้า: 1kV - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206N150J102T ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 15pF) (ความแม่นยำ: 5%) แรงดันไฟฟ้า: 1kV - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206N150J102T ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 15pF) (ความแม่นยำ: 5%) แรงดันไฟฟ้า: 1kV - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206N150J102T ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 15pF) (ความแม่นยำ: 5%) แรงดันไฟฟ้า: 1kV

฿0.6546-2.30

MOQ: 1

ตัวต้านทานแบบ Through-Hole (THT) รุ่น AC03000004708JAC00 ขนาด D4.8xL13 มม. แบบลวดพัน 4.7 โอห์ม 5% 3 วัตต์ - Product Image 1

ตัวต้านทานแบบ Through-Hole (THT) รุ่น AC03000004708JAC00 ขนาด D4.8xL13 มม. แบบลวดพัน 4.7 โอห์ม 5% 3 วัตต์ - Product Image 2

ตัวต้านทานแบบ Through-Hole (THT) รุ่น AC03000004708JAC00 ขนาด D4.8xL13 มม. แบบลวดพัน 4.7 โอห์ม 5% 3 วัตต์ - Product Image 3

ตัวต้านทานแบบ Through-Hole (THT) รุ่น AC03000004708JAC00 ขนาด D4.8xL13 มม. แบบลวดพัน 4.7 โอห์ม 5% 3 วัตต์ - Product Image 4

ตัวต้านทานแบบ Through-Hole (THT) รุ่น AC03000004708JAC00 ขนาด D4.8xL13 มม. แบบลวดพัน 4.7 โอห์ม 5% 3 วัตต์ - Product Image 5

ตัวต้านทานแบบ Through-Hole (THT) รุ่น AC03000004708JAC00 ขนาด D4.8xL13 มม. แบบลวดพัน 4.7 โอห์ม 5% 3 วัตต์ - Product Image 6

ตัวต้านทานแบบ Through-Hole (THT) รุ่น AC03000004708JAC00 ขนาด D4.8xL13 มม. แบบลวดพัน 4.7 โอห์ม 5% 3 วัตต์

฿8.19-32.73

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) แบบมีรูทะลุ (THT) รุ่น ECWFE2W105J, ระยะขา P=15 มม. 1uF 5% 450V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) แบบมีรูทะลุ (THT) รุ่น ECWFE2W105J, ระยะขา P=15 มม. 1uF 5% 450V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) แบบมีรูทะลุ (THT) รุ่น ECWFE2W105J, ระยะขา P=15 มม. 1uF 5% 450V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) แบบมีรูทะลุ (THT) รุ่น ECWFE2W105J, ระยะขา P=15 มม. 1uF 5% 450V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) แบบมีรูทะลุ (THT) รุ่น ECWFE2W105J, ระยะขา P=15 มม. 1uF 5% 450V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) แบบมีรูทะลุ (THT) รุ่น ECWFE2W105J, ระยะขา P=15 มม. 1uF 5% 450V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) แบบมีรูทะลุ (THT) รุ่น ECWFE2W105J, ระยะขา P=15 มม. 1uF 5% 450V

฿9.50-36.99

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3FD102ZYNNA ชนิด THT ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF ±20%~+80% แรงดัน 3kV 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3FD102ZYNNA ชนิด THT ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF ±20%~+80% แรงดัน 3kV 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3FD102ZYNNA ชนิด THT ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF ±20%~+80% แรงดัน 3kV 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3FD102ZYNNA ชนิด THT ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF ±20%~+80% แรงดัน 3kV 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3FD102ZYNNA ชนิด THT ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF ±20%~+80% แรงดัน 3kV 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3FD102ZYNNA ชนิด THT ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF ±20%~+80% แรงดัน 3kV 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3FD102ZYNNA ชนิด THT ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF ±20%~+80% แรงดัน 3kV 7.5 มม.

฿11.13-42.88

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น FV32N682J102EFG ขนาด 1210 (ค่าความจุ: 6.8nF) (ความแม่นยำ: 5%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 1kV - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น FV32N682J102EFG ขนาด 1210 (ค่าความจุ: 6.8nF) (ความแม่นยำ: 5%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 1kV - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น FV32N682J102EFG ขนาด 1210 (ค่าความจุ: 6.8nF) (ความแม่นยำ: 5%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 1kV - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น FV32N682J102EFG ขนาด 1210 (ค่าความจุ: 6.8nF) (ความแม่นยำ: 5%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 1kV - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น FV32N682J102EFG ขนาด 1210 (ค่าความจุ: 6.8nF) (ความแม่นยำ: 5%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 1kV - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น FV32N682J102EFG ขนาด 1210 (ค่าความจุ: 6.8nF) (ความแม่นยำ: 5%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 1kV - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น FV32N682J102EFG ขนาด 1210 (ค่าความจุ: 6.8nF) (ความแม่นยำ: 5%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 1kV

฿8.84-35.02

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น MPP684J2G9AA920MA1 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=22.5 มม. ความจุ 680nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 400V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น MPP684J2G9AA920MA1 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=22.5 มม. ความจุ 680nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 400V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น MPP684J2G9AA920MA1 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=22.5 มม. ความจุ 680nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 400V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น MPP684J2G9AA920MA1 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=22.5 มม. ความจุ 680nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 400V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น MPP684J2G9AA920MA1 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=22.5 มม. ความจุ 680nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 400V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น MPP684J2G9AA920MA1 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=22.5 มม. ความจุ 680nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 400V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น MPP684J2G9AA920MA1 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=22.5 มม. ความจุ 680nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 400V

฿4.59-17.68

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206N221J102T ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 220pF) (ความแม่นยำ: 5%) แรงดันไฟฟ้า: 1kV - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206N221J102T ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 220pF) (ความแม่นยำ: 5%) แรงดันไฟฟ้า: 1kV - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206N221J102T ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 220pF) (ความแม่นยำ: 5%) แรงดันไฟฟ้า: 1kV - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206N221J102T ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 220pF) (ความแม่นยำ: 5%) แรงดันไฟฟ้า: 1kV - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206N221J102T ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 220pF) (ความแม่นยำ: 5%) แรงดันไฟฟ้า: 1kV - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206N221J102T ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 220pF) (ความแม่นยำ: 5%) แรงดันไฟฟ้า: 1kV - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206N221J102T ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 220pF) (ความแม่นยำ: 5%) แรงดันไฟฟ้า: 1kV

฿0.6546-2.30

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206N221J102T ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 220pF) (ความแม่นยำ: 5%) แรงดันไฟฟ้า: 1kV - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206N221J102T ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 220pF) (ความแม่นยำ: 5%) แรงดันไฟฟ้า: 1kV - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206N221J102T ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 220pF) (ความแม่นยำ: 5%) แรงดันไฟฟ้า: 1kV - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206N221J102T ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 220pF) (ความแม่นยำ: 5%) แรงดันไฟฟ้า: 1kV - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206N221J102T ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 220pF) (ความแม่นยำ: 5%) แรงดันไฟฟ้า: 1kV - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206N221J102T ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 220pF) (ความแม่นยำ: 5%) แรงดันไฟฟ้า: 1kV - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206N221J102T ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 220pF) (ความแม่นยำ: 5%) แรงดันไฟฟ้า: 1kV

฿0.6546-2.30

MOQ: 1