All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

High 5

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวต้านทานแบบ SMD รุ่น SMW55R1JT (ประเภท: แบบลวดพัน) (ค่าความต้านทาน: 5.1 โอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 1

ตัวต้านทานแบบ SMD รุ่น SMW55R1JT (ประเภท: แบบลวดพัน) (ค่าความต้านทาน: 5.1 โอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 2

ตัวต้านทานแบบ SMD รุ่น SMW55R1JT (ประเภท: แบบลวดพัน) (ค่าความต้านทาน: 5.1 โอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 3

ตัวต้านทานแบบ SMD รุ่น SMW55R1JT (ประเภท: แบบลวดพัน) (ค่าความต้านทาน: 5.1 โอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 4

ตัวต้านทานแบบ SMD รุ่น SMW55R1JT (ประเภท: แบบลวดพัน) (ค่าความต้านทาน: 5.1 โอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 5

ตัวต้านทานแบบ SMD รุ่น SMW55R1JT (ประเภท: แบบลวดพัน) (ค่าความต้านทาน: 5.1 โอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 6

ตัวต้านทานแบบ SMD รุ่น SMW55R1JT (ประเภท: แบบลวดพัน) (ค่าความต้านทาน: 5.1 โอห์ม ความแม่นยำ: 5%)

฿20.30-76.59

MOQ: 1

สมาร์ทโฟน Spark 40 คุณภาพสูง ราคาโรงงาน ขายดี ปลดล็อคแล้ว รองรับสองซิม ความจุ 10+256GB เหมาะสำหรับเล่นเกม - Product Image 1

สมาร์ทโฟน Spark 40 คุณภาพสูง ราคาโรงงาน ขายดี ปลดล็อคแล้ว รองรับสองซิม ความจุ 10+256GB เหมาะสำหรับเล่นเกม - Product Image 2

สมาร์ทโฟน Spark 40 คุณภาพสูง ราคาโรงงาน ขายดี ปลดล็อคแล้ว รองรับสองซิม ความจุ 10+256GB เหมาะสำหรับเล่นเกม - Product Image 3

สมาร์ทโฟน Spark 40 คุณภาพสูง ราคาโรงงาน ขายดี ปลดล็อคแล้ว รองรับสองซิม ความจุ 10+256GB เหมาะสำหรับเล่นเกม - Product Image 4

สมาร์ทโฟน Spark 40 คุณภาพสูง ราคาโรงงาน ขายดี ปลดล็อคแล้ว รองรับสองซิม ความจุ 10+256GB เหมาะสำหรับเล่นเกม - Product Image 5

สมาร์ทโฟน Spark 40 คุณภาพสูง ราคาโรงงาน ขายดี ปลดล็อคแล้ว รองรับสองซิม ความจุ 10+256GB เหมาะสำหรับเล่นเกม - Product Image 6

สมาร์ทโฟน Spark 40 คุณภาพสูง ราคาโรงงาน ขายดี ปลดล็อคแล้ว รองรับสองซิม ความจุ 10+256GB เหมาะสำหรับเล่นเกม

฿1,767.35-1,832.81

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) แบบมีรูทะลุ (THT) รุ่น C823D154JB0C000, ระยะขา P=27.5 มม. ความจุ 150nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 2kV - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) แบบมีรูทะลุ (THT) รุ่น C823D154JB0C000, ระยะขา P=27.5 มม. ความจุ 150nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 2kV - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) แบบมีรูทะลุ (THT) รุ่น C823D154JB0C000, ระยะขา P=27.5 มม. ความจุ 150nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 2kV - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) แบบมีรูทะลุ (THT) รุ่น C823D154JB0C000, ระยะขา P=27.5 มม. ความจุ 150nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 2kV - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) แบบมีรูทะลุ (THT) รุ่น C823D154JB0C000, ระยะขา P=27.5 มม. ความจุ 150nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 2kV - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) แบบมีรูทะลุ (THT) รุ่น C823D154JB0C000, ระยะขา P=27.5 มม. ความจุ 150nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 2kV - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) แบบมีรูทะลุ (THT) รุ่น C823D154JB0C000, ระยะขา P=27.5 มม. ความจุ 150nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 2kV

฿33.72-123.06

MOQ: 1

2010W2J0106T4S ตัวต้านทานแบบ SMD 2010 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ความต้านทาน: 10 มิลลิโอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 1

2010W2J0106T4S ตัวต้านทานแบบ SMD 2010 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ความต้านทาน: 10 มิลลิโอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 2

2010W2J0106T4S ตัวต้านทานแบบ SMD 2010 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ความต้านทาน: 10 มิลลิโอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 3

2010W2J0106T4S ตัวต้านทานแบบ SMD 2010 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ความต้านทาน: 10 มิลลิโอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 4

2010W2J0106T4S ตัวต้านทานแบบ SMD 2010 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ความต้านทาน: 10 มิลลิโอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 5

2010W2J0106T4S ตัวต้านทานแบบ SMD 2010 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ความต้านทาน: 10 มิลลิโอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 6

2010W2J0106T4S ตัวต้านทานแบบ SMD 2010 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ความต้านทาน: 10 มิลลิโอห์ม ความแม่นยำ: 5%)

฿0.3273-0.9819

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น C322J334J90C000 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=22.5 มม. ความจุ 330nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น C322J334J90C000 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=22.5 มม. ความจุ 330nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น C322J334J90C000 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=22.5 มม. ความจุ 330nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น C322J334J90C000 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=22.5 มม. ความจุ 330nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น C322J334J90C000 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=22.5 มม. ความจุ 330nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น C322J334J90C000 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=22.5 มม. ความจุ 330nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น C322J334J90C000 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=22.5 มม. ความจุ 330nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V

฿8.51-33.72

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น MPT205J2E1430 แบบ Through Hole (THT) ขนาด D14xL30 มม. 2uF 5% 250V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น MPT205J2E1430 แบบ Through Hole (THT) ขนาด D14xL30 มม. 2uF 5% 250V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น MPT205J2E1430 แบบ Through Hole (THT) ขนาด D14xL30 มม. 2uF 5% 250V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น MPT205J2E1430 แบบ Through Hole (THT) ขนาด D14xL30 มม. 2uF 5% 250V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น MPT205J2E1430 แบบ Through Hole (THT) ขนาด D14xL30 มม. 2uF 5% 250V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น MPT205J2E1430 แบบ Through Hole (THT) ขนาด D14xL30 มม. 2uF 5% 250V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น MPT205J2E1430 แบบ Through Hole (THT) ขนาด D14xL30 มม. 2uF 5% 250V

฿8.51-33.72

MOQ: 1

HVLR2408J1G00K9ตัวต้านทานผ่านรูผ่านองค์ประกอบรู (THT),D9.5xL24mm ฟิล์มหนา1000Mohm 5% 5.5kV - Product Image 1

HVLR2408J1G00K9ตัวต้านทานผ่านรูผ่านองค์ประกอบรู (THT),D9.5xL24mm ฟิล์มหนา1000Mohm 5% 5.5kV - Product Image 2

HVLR2408J1G00K9ตัวต้านทานผ่านรูผ่านองค์ประกอบรู (THT),D9.5xL24mm ฟิล์มหนา1000Mohm 5% 5.5kV - Product Image 3

HVLR2408J1G00K9ตัวต้านทานผ่านรูผ่านองค์ประกอบรู (THT),D9.5xL24mm ฟิล์มหนา1000Mohm 5% 5.5kV - Product Image 4

HVLR2408J1G00K9ตัวต้านทานผ่านรูผ่านองค์ประกอบรู (THT),D9.5xL24mm ฟิล์มหนา1000Mohm 5% 5.5kV - Product Image 5

HVLR2408J1G00K9ตัวต้านทานผ่านรูผ่านองค์ประกอบรู (THT),D9.5xL24mm ฟิล์มหนา1000Mohm 5% 5.5kV - Product Image 6

HVLR2408J1G00K9ตัวต้านทานผ่านรูผ่านองค์ประกอบรู (THT),D9.5xL24mm ฟิล์มหนา1000Mohm 5% 5.5kV

฿356.42-1,053.87

MOQ: 1

R0603RXX153XJ10LTS SMD Resistor 0603 (ความต้านทาน: 15Kohm) (ความแม่นยำ: 5% )(พลังงาน: 100mW )(แรงดันไฟฟ้า: 50V) - Product Image 1

R0603RXX153XJ10LTS SMD Resistor 0603 (ความต้านทาน: 15Kohm) (ความแม่นยำ: 5% )(พลังงาน: 100mW )(แรงดันไฟฟ้า: 50V) - Product Image 2

R0603RXX153XJ10LTS SMD Resistor 0603 (ความต้านทาน: 15Kohm) (ความแม่นยำ: 5% )(พลังงาน: 100mW )(แรงดันไฟฟ้า: 50V) - Product Image 3

R0603RXX153XJ10LTS SMD Resistor 0603 (ความต้านทาน: 15Kohm) (ความแม่นยำ: 5% )(พลังงาน: 100mW )(แรงดันไฟฟ้า: 50V) - Product Image 4

R0603RXX153XJ10LTS SMD Resistor 0603 (ความต้านทาน: 15Kohm) (ความแม่นยำ: 5% )(พลังงาน: 100mW )(แรงดันไฟฟ้า: 50V) - Product Image 5

R0603RXX153XJ10LTS SMD Resistor 0603 (ความต้านทาน: 15Kohm) (ความแม่นยำ: 5% )(พลังงาน: 100mW )(แรงดันไฟฟ้า: 50V) - Product Image 6

R0603RXX153XJ10LTS SMD Resistor 0603 (ความต้านทาน: 15Kohm) (ความแม่นยำ: 5% )(พลังงาน: 100mW )(แรงดันไฟฟ้า: 50V)

฿0.0655-0.3273

MOQ: 1