All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

High 5

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C0402C0G220J500NTB ขนาด 0402 ( ค่าความจุ: 22pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 50V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C0402C0G220J500NTB ขนาด 0402 ( ค่าความจุ: 22pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 50V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C0402C0G220J500NTB ขนาด 0402 ( ค่าความจุ: 22pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 50V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C0402C0G220J500NTB ขนาด 0402 ( ค่าความจุ: 22pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 50V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C0402C0G220J500NTB ขนาด 0402 ( ค่าความจุ: 22pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 50V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C0402C0G220J500NTB ขนาด 0402 ( ค่าความจุ: 22pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 50V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C0402C0G220J500NTB ขนาด 0402 ( ค่าความจุ: 22pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 50V )

฿0.3255-1.63

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K34Y5PP6FJ5C8 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 2kV 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K34Y5PP6FJ5C8 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 2kV 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K34Y5PP6FJ5C8 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 2kV 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K34Y5PP6FJ5C8 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 2kV 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K34Y5PP6FJ5C8 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 2kV 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K34Y5PP6FJ5C8 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 2kV 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K34Y5PP6FJ5C8 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 2kV 5 มม.

฿0.9764-3.59

MOQ: 10

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น 1206CG101J631NT ขนาด 1206 ( ความจุ: 100pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 630V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น 1206CG101J631NT ขนาด 1206 ( ความจุ: 100pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 630V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น 1206CG101J631NT ขนาด 1206 ( ความจุ: 100pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 630V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น 1206CG101J631NT ขนาด 1206 ( ความจุ: 100pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 630V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น 1206CG101J631NT ขนาด 1206 ( ความจุ: 100pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 630V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น 1206CG101J631NT ขนาด 1206 ( ความจุ: 100pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 630V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น 1206CG101J631NT ขนาด 1206 ( ความจุ: 100pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 630V )

฿0.3255-1.31

MOQ: 50

FRC0805J560TSD ตัวต้านทานแบบ SMD 0805 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ความต้านทาน: 56 โอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 1

FRC0805J560TSD ตัวต้านทานแบบ SMD 0805 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ความต้านทาน: 56 โอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 2

FRC0805J560TSD ตัวต้านทานแบบ SMD 0805 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ความต้านทาน: 56 โอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 3

FRC0805J560TSD ตัวต้านทานแบบ SMD 0805 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ความต้านทาน: 56 โอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 4

FRC0805J560TSD ตัวต้านทานแบบ SMD 0805 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ความต้านทาน: 56 โอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 5

FRC0805J560TSD ตัวต้านทานแบบ SMD 0805 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ความต้านทาน: 56 โอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 6

FRC0805J560TSD ตัวต้านทานแบบ SMD 0805 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ความต้านทาน: 56 โอห์ม ความแม่นยำ: 5%)

฿0.3255-1.63

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CL11-2A103J-100V ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 10nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CL11-2A103J-100V ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 10nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CL11-2A103J-100V ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 10nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CL11-2A103J-100V ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 10nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CL11-2A103J-100V ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 10nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CL11-2A103J-100V ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 10nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CL11-2A103J-100V ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 10nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์

฿0.3255-1.63

MOQ: 1

181207J0104T4E ตัวต้านทานแบบ SMD 1812 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ค่าความต้านทาน: 100kโอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 1

181207J0104T4E ตัวต้านทานแบบ SMD 1812 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ค่าความต้านทาน: 100kโอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 2

181207J0104T4E ตัวต้านทานแบบ SMD 1812 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ค่าความต้านทาน: 100kโอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 3

181207J0104T4E ตัวต้านทานแบบ SMD 1812 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ค่าความต้านทาน: 100kโอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 4

181207J0104T4E ตัวต้านทานแบบ SMD 1812 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ค่าความต้านทาน: 100kโอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 5

181207J0104T4E ตัวต้านทานแบบ SMD 1812 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ค่าความต้านทาน: 100kโอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 6

181207J0104T4E ตัวต้านทานแบบ SMD 1812 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ค่าความต้านทาน: 100kโอห์ม ความแม่นยำ: 5%)

฿0.3255-1.96

MOQ: 10

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH472M46Y5UP6FL5A0 ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 2kV ขนาดขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH472M46Y5UP6FL5A0 ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 2kV ขนาดขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH472M46Y5UP6FL5A0 ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 2kV ขนาดขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH472M46Y5UP6FL5A0 ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 2kV ขนาดขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH472M46Y5UP6FL5A0 ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 2kV ขนาดขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH472M46Y5UP6FL5A0 ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 2kV ขนาดขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH472M46Y5UP6FL5A0 ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 2kV ขนาดขา 5 มม.

฿1.63-6.84

MOQ: 5

GRM1882C1H331JA01D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0603 (ความจุ: 330pF )(ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 1

GRM1882C1H331JA01D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0603 (ความจุ: 330pF )(ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 2

GRM1882C1H331JA01D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0603 (ความจุ: 330pF )(ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 3

GRM1882C1H331JA01D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0603 (ความจุ: 330pF )(ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 4

GRM1882C1H331JA01D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0603 (ความจุ: 330pF )(ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 5

GRM1882C1H331JA01D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0603 (ความจุ: 330pF )(ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 6

GRM1882C1H331JA01D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0603 (ความจุ: 330pF )(ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V)

฿0.3255-0.9764

MOQ: 1