All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

High 5

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น CFC2G684JG1I170GBCW1 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 680nF ค่าความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 400V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น CFC2G684JG1I170GBCW1 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 680nF ค่าความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 400V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น CFC2G684JG1I170GBCW1 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 680nF ค่าความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 400V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น CFC2G684JG1I170GBCW1 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 680nF ค่าความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 400V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น CFC2G684JG1I170GBCW1 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 680nF ค่าความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 400V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น CFC2G684JG1I170GBCW1 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 680nF ค่าความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 400V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น CFC2G684JG1I170GBCW1 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 680nF ค่าความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 400V

฿1.96-7.82

MOQ: 5

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน CBB21-400V155JP20 (CBB) แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=20 มม. 1.5uF 5% 400V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน CBB21-400V155JP20 (CBB) แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=20 มม. 1.5uF 5% 400V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน CBB21-400V155JP20 (CBB) แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=20 มม. 1.5uF 5% 400V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน CBB21-400V155JP20 (CBB) แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=20 มม. 1.5uF 5% 400V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน CBB21-400V155JP20 (CBB) แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=20 มม. 1.5uF 5% 400V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน CBB21-400V155JP20 (CBB) แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=20 มม. 1.5uF 5% 400V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน CBB21-400V155JP20 (CBB) แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=20 มม. 1.5uF 5% 400V

฿1.63-6.51

MOQ: 5

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น HV1206C0G330J102NT ขนาด 1206 ( ค่าความจุ: 33pF ) ( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 1kV ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น HV1206C0G330J102NT ขนาด 1206 ( ค่าความจุ: 33pF ) ( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 1kV ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น HV1206C0G330J102NT ขนาด 1206 ( ค่าความจุ: 33pF ) ( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 1kV ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น HV1206C0G330J102NT ขนาด 1206 ( ค่าความจุ: 33pF ) ( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 1kV ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น HV1206C0G330J102NT ขนาด 1206 ( ค่าความจุ: 33pF ) ( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 1kV ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น HV1206C0G330J102NT ขนาด 1206 ( ค่าความจุ: 33pF ) ( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 1kV ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น HV1206C0G330J102NT ขนาด 1206 ( ค่าความจุ: 33pF ) ( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 1kV )

฿0.3255-1.96

MOQ: 20

181207J0684T4E ตัวต้านทานแบบ SMD 1812 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ค่าความต้านทาน: 680kโอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 1

181207J0684T4E ตัวต้านทานแบบ SMD 1812 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ค่าความต้านทาน: 680kโอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 2

181207J0684T4E ตัวต้านทานแบบ SMD 1812 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ค่าความต้านทาน: 680kโอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 3

181207J0684T4E ตัวต้านทานแบบ SMD 1812 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ค่าความต้านทาน: 680kโอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 4

181207J0684T4E ตัวต้านทานแบบ SMD 1812 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ค่าความต้านทาน: 680kโอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 5

181207J0684T4E ตัวต้านทานแบบ SMD 1812 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ค่าความต้านทาน: 680kโอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 6

181207J0684T4E ตัวต้านทานแบบ SMD 1812 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ค่าความต้านทาน: 680kโอห์ม ความแม่นยำ: 5%)

฿0.3255-1.96

MOQ: 10

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น B82473J2JC5YGB2000R แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 47nF ค่าความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น B82473J2JC5YGB2000R แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 47nF ค่าความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น B82473J2JC5YGB2000R แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 47nF ค่าความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น B82473J2JC5YGB2000R แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 47nF ค่าความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น B82473J2JC5YGB2000R แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 47nF ค่าความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น B82473J2JC5YGB2000R แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 47nF ค่าความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น B82473J2JC5YGB2000R แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 47nF ค่าความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V

฿1.31-4.56

MOQ: 5

APL5317-12BI-TRG วงจรรวม SOT-23-5ชิป IC PMIC ตัวควบคุมเชิงเส้น (LDO) - Product Image 1

APL5317-12BI-TRG วงจรรวม SOT-23-5ชิป IC PMIC ตัวควบคุมเชิงเส้น (LDO) - Product Image 2

APL5317-12BI-TRG วงจรรวม SOT-23-5ชิป IC PMIC ตัวควบคุมเชิงเส้น (LDO) - Product Image 3

APL5317-12BI-TRG วงจรรวม SOT-23-5ชิป IC PMIC ตัวควบคุมเชิงเส้น (LDO) - Product Image 4

APL5317-12BI-TRG วงจรรวม SOT-23-5ชิป IC PMIC ตัวควบคุมเชิงเส้น (LDO) - Product Image 5

APL5317-12BI-TRG วงจรรวม SOT-23-5ชิป IC PMIC ตัวควบคุมเชิงเส้น (LDO) - Product Image 6

APL5317-12BI-TRG วงจรรวม SOT-23-5ชิป IC PMIC ตัวควบคุมเชิงเส้น (LDO)

฿2.28-8.79

MOQ: 1

MCR01MZPJ221 SMD Resistor 0402 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ความต้านทาน: ความแม่นยำ220Ohm: 5%) - Product Image 1

MCR01MZPJ221 SMD Resistor 0402 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ความต้านทาน: ความแม่นยำ220Ohm: 5%) - Product Image 2

MCR01MZPJ221 SMD Resistor 0402 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ความต้านทาน: ความแม่นยำ220Ohm: 5%) - Product Image 3

MCR01MZPJ221 SMD Resistor 0402 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ความต้านทาน: ความแม่นยำ220Ohm: 5%) - Product Image 4

MCR01MZPJ221 SMD Resistor 0402 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ความต้านทาน: ความแม่นยำ220Ohm: 5%) - Product Image 5

MCR01MZPJ221 SMD Resistor 0402 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ความต้านทาน: ความแม่นยำ220Ohm: 5%) - Product Image 6

MCR01MZPJ221 SMD Resistor 0402 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ความต้านทาน: ความแม่นยำ220Ohm: 5%)

฿0.3255-1.63

MOQ: 1

1206CG561J500NT ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 1206 ( ความจุ: 560pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 50V ) - Product Image 1

1206CG561J500NT ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 1206 ( ความจุ: 560pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 50V ) - Product Image 2

1206CG561J500NT ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 1206 ( ความจุ: 560pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 50V ) - Product Image 3

1206CG561J500NT ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 1206 ( ความจุ: 560pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 50V ) - Product Image 4

1206CG561J500NT ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 1206 ( ความจุ: 560pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 50V ) - Product Image 5

1206CG561J500NT ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 1206 ( ความจุ: 560pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 50V ) - Product Image 6

1206CG561J500NT ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 1206 ( ความจุ: 560pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 50V )

฿0.3255-1.96

MOQ: 20