All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

High 5

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

561R10TCCT10ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 9.5มม. 100pF 5% 1kV 9.5มม - Product Image 1

561R10TCCT10ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 9.5มม. 100pF 5% 1kV 9.5มม - Product Image 2

561R10TCCT10ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 9.5มม. 100pF 5% 1kV 9.5มม - Product Image 3

561R10TCCT10ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 9.5มม. 100pF 5% 1kV 9.5มม - Product Image 4

561R10TCCT10ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 9.5มม. 100pF 5% 1kV 9.5มม - Product Image 5

561R10TCCT10ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 9.5มม. 100pF 5% 1kV 9.5มม - Product Image 6

561R10TCCT10ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 9.5มม. 100pF 5% 1kV 9.5มม

฿37.76-138.00

MOQ: 1

RS-05K564JT ตัวต้านทานแบบ SMD 0805 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ความต้านทาน: 560kโอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 1

RS-05K564JT ตัวต้านทานแบบ SMD 0805 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ความต้านทาน: 560kโอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 2

RS-05K564JT ตัวต้านทานแบบ SMD 0805 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ความต้านทาน: 560kโอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 3

RS-05K564JT ตัวต้านทานแบบ SMD 0805 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ความต้านทาน: 560kโอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 4

RS-05K564JT ตัวต้านทานแบบ SMD 0805 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ความต้านทาน: 560kโอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 5

RS-05K564JT ตัวต้านทานแบบ SMD 0805 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ความต้านทาน: 560kโอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 6

RS-05K564JT ตัวต้านทานแบบ SMD 0805 (ประเภท: ฟิล์มหนา) (ความต้านทาน: 560kโอห์ม ความแม่นยำ: 5%)

฿0.3255-1.63

MOQ: 10

CMCC1608C22NJSP ตัวเหนี่ยวนำแบบ SMD ขนาด 0603 ( ค่าความเหนี่ยวนำ: 22nH )( ความแม่นยำ: 5% กระแสไฟฟ้าที่กำหนด: 300mA ) - Product Image 1

CMCC1608C22NJSP ตัวเหนี่ยวนำแบบ SMD ขนาด 0603 ( ค่าความเหนี่ยวนำ: 22nH )( ความแม่นยำ: 5% กระแสไฟฟ้าที่กำหนด: 300mA ) - Product Image 2

CMCC1608C22NJSP ตัวเหนี่ยวนำแบบ SMD ขนาด 0603 ( ค่าความเหนี่ยวนำ: 22nH )( ความแม่นยำ: 5% กระแสไฟฟ้าที่กำหนด: 300mA ) - Product Image 3

CMCC1608C22NJSP ตัวเหนี่ยวนำแบบ SMD ขนาด 0603 ( ค่าความเหนี่ยวนำ: 22nH )( ความแม่นยำ: 5% กระแสไฟฟ้าที่กำหนด: 300mA ) - Product Image 4

CMCC1608C22NJSP ตัวเหนี่ยวนำแบบ SMD ขนาด 0603 ( ค่าความเหนี่ยวนำ: 22nH )( ความแม่นยำ: 5% กระแสไฟฟ้าที่กำหนด: 300mA ) - Product Image 5

CMCC1608C22NJSP ตัวเหนี่ยวนำแบบ SMD ขนาด 0603 ( ค่าความเหนี่ยวนำ: 22nH )( ความแม่นยำ: 5% กระแสไฟฟ้าที่กำหนด: 300mA ) - Product Image 6

CMCC1608C22NJSP ตัวเหนี่ยวนำแบบ SMD ขนาด 0603 ( ค่าความเหนี่ยวนำ: 22nH )( ความแม่นยำ: 5% กระแสไฟฟ้าที่กำหนด: 300mA )

฿0.3255-0.9764

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพรพิลีน MPP155J2EA08JC040ZR (CBB) ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 20มม. 1.5uF 5% 250V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพรพิลีน MPP155J2EA08JC040ZR (CBB) ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 20มม. 1.5uF 5% 250V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพรพิลีน MPP155J2EA08JC040ZR (CBB) ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 20มม. 1.5uF 5% 250V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพรพิลีน MPP155J2EA08JC040ZR (CBB) ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 20มม. 1.5uF 5% 250V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพรพิลีน MPP155J2EA08JC040ZR (CBB) ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 20มม. 1.5uF 5% 250V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพรพิลีน MPP155J2EA08JC040ZR (CBB) ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 20มม. 1.5uF 5% 250V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพรพิลีน MPP155J2EA08JC040ZR (CBB) ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 20มม. 1.5uF 5% 250V

฿0.9764-4.24

MOQ: 5

MNR14E0APJ103 ตัวต้านทานแบบเครือข่าย 0603x4 (จำนวนตัวต้านทาน: 4) (ค่าความต้านทาน: 10kโอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 1

MNR14E0APJ103 ตัวต้านทานแบบเครือข่าย 0603x4 (จำนวนตัวต้านทาน: 4) (ค่าความต้านทาน: 10kโอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 2

MNR14E0APJ103 ตัวต้านทานแบบเครือข่าย 0603x4 (จำนวนตัวต้านทาน: 4) (ค่าความต้านทาน: 10kโอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 3

MNR14E0APJ103 ตัวต้านทานแบบเครือข่าย 0603x4 (จำนวนตัวต้านทาน: 4) (ค่าความต้านทาน: 10kโอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 4

MNR14E0APJ103 ตัวต้านทานแบบเครือข่าย 0603x4 (จำนวนตัวต้านทาน: 4) (ค่าความต้านทาน: 10kโอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 5

MNR14E0APJ103 ตัวต้านทานแบบเครือข่าย 0603x4 (จำนวนตัวต้านทาน: 4) (ค่าความต้านทาน: 10kโอห์ม ความแม่นยำ: 5%) - Product Image 6

MNR14E0APJ103 ตัวต้านทานแบบเครือข่าย 0603x4 (จำนวนตัวต้านทาน: 4) (ค่าความต้านทาน: 10kโอห์ม ความแม่นยำ: 5%)

฿0.3255-1.31

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD472KYANA ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD472KYANA ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD472KYANA ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD472KYANA ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD472KYANA ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD472KYANA ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD472KYANA ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม.

฿1.96-7.82

MOQ: 5

1206CG270J500NT ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 1206 ( ค่าความจุ: 27pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ) - Product Image 1

1206CG270J500NT ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 1206 ( ค่าความจุ: 27pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ) - Product Image 2

1206CG270J500NT ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 1206 ( ค่าความจุ: 27pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ) - Product Image 3

1206CG270J500NT ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 1206 ( ค่าความจุ: 27pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ) - Product Image 4

1206CG270J500NT ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 1206 ( ค่าความจุ: 27pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ) - Product Image 5

1206CG270J500NT ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 1206 ( ค่าความจุ: 27pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ) - Product Image 6

1206CG270J500NT ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 1206 ( ค่าความจุ: 27pF )( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V )

฿0.3255-1.31

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCT102K20Y5PF6FJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 50V ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCT102K20Y5PF6FJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 50V ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCT102K20Y5PF6FJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 50V ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCT102K20Y5PF6FJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 50V ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCT102K20Y5PF6FJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 50V ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCT102K20Y5PF6FJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 50V ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCT102K20Y5PF6FJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 50V ระยะขา 5 มม.

฿0.651-2.28

MOQ: 20