All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

F c

(มีสินค้า 999+ รายการ)

C1608X5R1C106M080AB (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 0603 10 ฟิวส์ 16 โวลต์ ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C1608X5R1C106M080AB - Product Image 1
C1608X5R1C106M080AB (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 0603 10 ฟิวส์ 16 โวลต์ ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C1608X5R1C106M080AB - Product Image 2
C1608X5R1C106M080AB (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 0603 10 ฟิวส์ 16 โวลต์ ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C1608X5R1C106M080AB - Product Image 3
C1608X5R1C106M080AB (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 0603 10 ฟิวส์ 16 โวลต์ ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C1608X5R1C106M080AB - Product Image 4
C1608X5R1C106M080AB (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 0603 10 ฟิวส์ 16 โวลต์ ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C1608X5R1C106M080AB - Product Image 5
C1608X5R1C106M080AB (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 0603 10 ฟิวส์ 16 โวลต์ ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C1608X5R1C106M080AB - Product Image 6

C1608X5R1C106M080AB (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 0603 10 ฟิวส์ 16 โวลต์ ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C1608X5R1C106M080AB

฿17.13-68.51
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(557)
C3216X5R0J686M160AB (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 1206 68 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 68uF C3216X5R0J686M160AB - Product Image 1
C3216X5R0J686M160AB (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 1206 68 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 68uF C3216X5R0J686M160AB - Product Image 2
C3216X5R0J686M160AB (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 1206 68 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 68uF C3216X5R0J686M160AB - Product Image 3
C3216X5R0J686M160AB (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 1206 68 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 68uF C3216X5R0J686M160AB - Product Image 4
C3216X5R0J686M160AB (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 1206 68 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 68uF C3216X5R0J686M160AB - Product Image 5
C3216X5R0J686M160AB (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 1206 68 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 68uF C3216X5R0J686M160AB - Product Image 6

C3216X5R0J686M160AB (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 1206 68 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 68uF C3216X5R0J686M160AB

฿17.13-68.51
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(557)
C2012X7S1A106M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0805 10 F 10V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J3X7S1A106M125AB - Product Image 1
C2012X7S1A106M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0805 10 F 10V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J3X7S1A106M125AB - Product Image 2
C2012X7S1A106M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0805 10 F 10V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J3X7S1A106M125AB - Product Image 3
C2012X7S1A106M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0805 10 F 10V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J3X7S1A106M125AB - Product Image 4
C2012X7S1A106M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0805 10 F 10V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J3X7S1A106M125AB - Product Image 5
C2012X7S1A106M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0805 10 F 10V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J3X7S1A106M125AB - Product Image 6

C2012X7S1A106M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0805 10 F 10V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J3X7S1A106M125AB

฿17.13-68.51
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(557)
C2012X6S0J226M125AB (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 0805 22 F 6.3V ±20% X6S -55 ถึง 105 องศาเซลเซียส 22uF C2012X6S0J226M125AB - Product Image 1
C2012X6S0J226M125AB (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 0805 22 F 6.3V ±20% X6S -55 ถึง 105 องศาเซลเซียส 22uF C2012X6S0J226M125AB - Product Image 2
C2012X6S0J226M125AB (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 0805 22 F 6.3V ±20% X6S -55 ถึง 105 องศาเซลเซียส 22uF C2012X6S0J226M125AB - Product Image 3
C2012X6S0J226M125AB (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 0805 22 F 6.3V ±20% X6S -55 ถึง 105 องศาเซลเซียส 22uF C2012X6S0J226M125AB - Product Image 4
C2012X6S0J226M125AB (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 0805 22 F 6.3V ±20% X6S -55 ถึง 105 องศาเซลเซียส 22uF C2012X6S0J226M125AB - Product Image 5
C2012X6S0J226M125AB (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 0805 22 F 6.3V ±20% X6S -55 ถึง 105 องศาเซลเซียส 22uF C2012X6S0J226M125AB - Product Image 6

C2012X6S0J226M125AB (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 0805 22 F 6.3V ±20% X6S -55 ถึง 105 องศาเซลเซียส 22uF C2012X6S0J226M125AB

฿17.13-68.51
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(557)
C3225X8R1E106M สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 10 F 25V ±20% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X8R1E106M250AD - Product Image 1
C3225X8R1E106M สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 10 F 25V ±20% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X8R1E106M250AD - Product Image 2
C3225X8R1E106M สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 10 F 25V ±20% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X8R1E106M250AD - Product Image 3
C3225X8R1E106M สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 10 F 25V ±20% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X8R1E106M250AD - Product Image 4
C3225X8R1E106M สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 10 F 25V ±20% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X8R1E106M250AD - Product Image 5
C3225X8R1E106M สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 10 F 25V ±20% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X8R1E106M250AD - Product Image 6

C3225X8R1E106M สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 10 F 25V ±20% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X8R1E106M250AD

฿17.13-68.51
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(557)
CNA5L1X7S1A226M160AE (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1206 22 F 10V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CNA5L1X7S1A226M160AE - Product Image 1
CNA5L1X7S1A226M160AE (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1206 22 F 10V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CNA5L1X7S1A226M160AE - Product Image 2
CNA5L1X7S1A226M160AE (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1206 22 F 10V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CNA5L1X7S1A226M160AE - Product Image 3
CNA5L1X7S1A226M160AE (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1206 22 F 10V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CNA5L1X7S1A226M160AE - Product Image 4
CNA5L1X7S1A226M160AE (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1206 22 F 10V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CNA5L1X7S1A226M160AE - Product Image 5
CNA5L1X7S1A226M160AE (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1206 22 F 10V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CNA5L1X7S1A226M160AE - Product Image 6

CNA5L1X7S1A226M160AE (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1206 22 F 10V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CNA5L1X7S1A226M160AE

฿17.13-68.51
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(557)
C2012X6S1C106K125AC (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0805 10 F 16V ±10% X6S -55 ถึง 105 องศาเซลเซียส 10uF C2012X6S1C106K125AC - Product Image 1
C2012X6S1C106K125AC (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0805 10 F 16V ±10% X6S -55 ถึง 105 องศาเซลเซียส 10uF C2012X6S1C106K125AC - Product Image 2
C2012X6S1C106K125AC (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0805 10 F 16V ±10% X6S -55 ถึง 105 องศาเซลเซียส 10uF C2012X6S1C106K125AC - Product Image 3
C2012X6S1C106K125AC (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0805 10 F 16V ±10% X6S -55 ถึง 105 องศาเซลเซียส 10uF C2012X6S1C106K125AC - Product Image 4
C2012X6S1C106K125AC (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0805 10 F 16V ±10% X6S -55 ถึง 105 องศาเซลเซียส 10uF C2012X6S1C106K125AC - Product Image 5
C2012X6S1C106K125AC (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0805 10 F 16V ±10% X6S -55 ถึง 105 องศาเซลเซียส 10uF C2012X6S1C106K125AC - Product Image 6

C2012X6S1C106K125AC (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0805 10 F 16V ±10% X6S -55 ถึง 105 องศาเซลเซียส 10uF C2012X6S1C106K125AC

฿17.13-68.51
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(557)
C2012X5R0J476M125AC (ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 0805 47 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 47uF C2012X5R0J476M125AC - Product Image 1
C2012X5R0J476M125AC (ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 0805 47 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 47uF C2012X5R0J476M125AC - Product Image 2
C2012X5R0J476M125AC (ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 0805 47 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 47uF C2012X5R0J476M125AC - Product Image 3
C2012X5R0J476M125AC (ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 0805 47 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 47uF C2012X5R0J476M125AC - Product Image 4
C2012X5R0J476M125AC (ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 0805 47 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 47uF C2012X5R0J476M125AC - Product Image 5
C2012X5R0J476M125AC (ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 0805 47 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 47uF C2012X5R0J476M125AC - Product Image 6

C2012X5R0J476M125AC (ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 0805 47 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 47uF C2012X5R0J476M125AC

฿17.13-68.51
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(557)

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

splitter fiberais fibre supermesh wifibidits 808 hwcasio mtp vd01d 1bcdatacasio mtp v300b 1awifi ais fiber ใช้ ไม่ ได้casio mtp e314dctuสอบ ตํา ร ว จ 65 สาย อํา นวย การais fiber กํา แพง เพชรjoola 3000 scais fiber 399casio mtp vd01l 1evudfcasio mtp 1374d 7aais fiber 499vpl hwalkcasio mtp 1374l 2avdf