All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

F 22

(มีสินค้า 999+ รายการ)

GRM188D70G226ME01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 22 F 4Vdc ± 20% X7T 125 22uF GRM188D70G226ME01 - Product Image 1

GRM188D70G226ME01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 22 F 4Vdc ± 20% X7T 125 22uF GRM188D70G226ME01 - Product Image 2

GRM188D70G226ME01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 22 F 4Vdc ± 20% X7T 125 22uF GRM188D70G226ME01 - Product Image 3

GRM188D70G226ME01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 22 F 4Vdc ± 20% X7T 125 22uF GRM188D70G226ME01 - Product Image 4

GRM188D70G226ME01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 22 F 4Vdc ± 20% X7T 125 22uF GRM188D70G226ME01 - Product Image 5

GRM188D70G226ME01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 22 F 4Vdc ± 20% X7T 125 22uF GRM188D70G226ME01 - Product Image 6

GRM188D70G226ME01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 22 F 4Vdc ± 20% X7T 125 22uF GRM188D70G226ME01

฿16.81-67.22

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM188C80J226ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0603 22 F ± 6.3Vdc 20% X6S 105 22uF GRM188C80J226ME15 - Product Image 1

GRM188C80J226ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0603 22 F ± 6.3Vdc 20% X6S 105 22uF GRM188C80J226ME15 - Product Image 2

GRM188C80J226ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0603 22 F ± 6.3Vdc 20% X6S 105 22uF GRM188C80J226ME15 - Product Image 3

GRM188C80J226ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0603 22 F ± 6.3Vdc 20% X6S 105 22uF GRM188C80J226ME15 - Product Image 4

GRM188C80J226ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0603 22 F ± 6.3Vdc 20% X6S 105 22uF GRM188C80J226ME15 - Product Image 5

GRM188C80J226ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0603 22 F ± 6.3Vdc 20% X6S 105 22uF GRM188C80J226ME15 - Product Image 6

GRM188C80J226ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0603 22 F ± 6.3Vdc 20% X6S 105 22uF GRM188C80J226ME15

฿16.81-67.22

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRT32ER61C226KE13(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32ER61C226KE13 - Product Image 1

GRT32ER61C226KE13(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32ER61C226KE13 - Product Image 2

GRT32ER61C226KE13(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32ER61C226KE13 - Product Image 3

GRT32ER61C226KE13(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32ER61C226KE13 - Product Image 4

GRT32ER61C226KE13(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32ER61C226KE13 - Product Image 5

GRT32ER61C226KE13(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32ER61C226KE13 - Product Image 6

GRT32ER61C226KE13(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32ER61C226KE13

฿16.81-67.22

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM32ER11A226KE20(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1210 22 F 10Vdc ± 10% R 125 22uF GRM32ER11A226KE20 - Product Image 1

GRM32ER11A226KE20(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1210 22 F 10Vdc ± 10% R 125 22uF GRM32ER11A226KE20 - Product Image 2

GRM32ER11A226KE20(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1210 22 F 10Vdc ± 10% R 125 22uF GRM32ER11A226KE20 - Product Image 3

GRM32ER11A226KE20(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1210 22 F 10Vdc ± 10% R 125 22uF GRM32ER11A226KE20 - Product Image 4

GRM32ER11A226KE20(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1210 22 F 10Vdc ± 10% R 125 22uF GRM32ER11A226KE20 - Product Image 5

GRM32ER11A226KE20(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1210 22 F 10Vdc ± 10% R 125 22uF GRM32ER11A226KE20 - Product Image 6

GRM32ER11A226KE20(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1210 22 F 10Vdc ± 10% R 125 22uF GRM32ER11A226KE20

฿16.81-67.22

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRT31CR70J226KE13ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 1206 22 F 6.3Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 22uF GRT31CR70J226KE13 - Product Image 1

GRT31CR70J226KE13ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 1206 22 F 6.3Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 22uF GRT31CR70J226KE13 - Product Image 2

GRT31CR70J226KE13ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 1206 22 F 6.3Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 22uF GRT31CR70J226KE13 - Product Image 3

GRT31CR70J226KE13ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 1206 22 F 6.3Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 22uF GRT31CR70J226KE13 - Product Image 4

GRT31CR70J226KE13ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 1206 22 F 6.3Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 22uF GRT31CR70J226KE13 - Product Image 5

GRT31CR70J226KE13ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 1206 22 F 6.3Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 22uF GRT31CR70J226KE13 - Product Image 6

GRT31CR70J226KE13ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 1206 22 F 6.3Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 22uF GRT31CR70J226KE13

฿16.81-67.22

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

C2012X5R1A226M125AB (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0805 22 F 10V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C2012X5R1A226M125AB - Product Image 1

C2012X5R1A226M125AB (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0805 22 F 10V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C2012X5R1A226M125AB - Product Image 2

C2012X5R1A226M125AB (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0805 22 F 10V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C2012X5R1A226M125AB - Product Image 3

C2012X5R1A226M125AB (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0805 22 F 10V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C2012X5R1A226M125AB - Product Image 4

C2012X5R1A226M125AB (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0805 22 F 10V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C2012X5R1A226M125AB - Product Image 5

C2012X5R1A226M125AB (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0805 22 F 10V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C2012X5R1A226M125AB - Product Image 6

C2012X5R1A226M125AB (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0805 22 F 10V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C2012X5R1A226M125AB

฿16.81-67.22

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM31CC81E226KE11(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 22 F ± 25Vdc 10% X6S 105 22uF GRM31CC81E226KE11 - Product Image 1

GRM31CC81E226KE11(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 22 F ± 25Vdc 10% X6S 105 22uF GRM31CC81E226KE11 - Product Image 2

GRM31CC81E226KE11(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 22 F ± 25Vdc 10% X6S 105 22uF GRM31CC81E226KE11 - Product Image 3

GRM31CC81E226KE11(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 22 F ± 25Vdc 10% X6S 105 22uF GRM31CC81E226KE11 - Product Image 4

GRM31CC81E226KE11(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 22 F ± 25Vdc 10% X6S 105 22uF GRM31CC81E226KE11 - Product Image 5

GRM31CC81E226KE11(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 22 F ± 25Vdc 10% X6S 105 22uF GRM31CC81E226KE11 - Product Image 6

GRM31CC81E226KE11(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 22 F ± 25Vdc 10% X6S 105 22uF GRM31CC81E226KE11

฿16.81-67.22

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM43ER61C226KE01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1812 22 F ± 16Vdc 10% X5R GRM43ER61C226KE01 85 22uF - Product Image 1

GRM43ER61C226KE01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1812 22 F ± 16Vdc 10% X5R GRM43ER61C226KE01 85 22uF - Product Image 2

GRM43ER61C226KE01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1812 22 F ± 16Vdc 10% X5R GRM43ER61C226KE01 85 22uF - Product Image 3

GRM43ER61C226KE01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1812 22 F ± 16Vdc 10% X5R GRM43ER61C226KE01 85 22uF - Product Image 4

GRM43ER61C226KE01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1812 22 F ± 16Vdc 10% X5R GRM43ER61C226KE01 85 22uF - Product Image 5

GRM43ER61C226KE01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1812 22 F ± 16Vdc 10% X5R GRM43ER61C226KE01 85 22uF - Product Image 6

GRM43ER61C226KE01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1812 22 F ± 16Vdc 10% X5R GRM43ER61C226KE01 85 22uF

฿16.81-67.22

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs