All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

F 22

(มีสินค้า 999+ รายการ)

GRM32DB10J226KA01 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 22 F 6.3Vdc ±10% B 85 22uF GRM32DB10J226KA01 - Product Image 1
GRM32DB10J226KA01 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 22 F 6.3Vdc ±10% B 85 22uF GRM32DB10J226KA01 - Product Image 2
GRM32DB10J226KA01 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 22 F 6.3Vdc ±10% B 85 22uF GRM32DB10J226KA01 - Product Image 3
GRM32DB10J226KA01 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 22 F 6.3Vdc ±10% B 85 22uF GRM32DB10J226KA01 - Product Image 4
GRM32DB10J226KA01 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 22 F 6.3Vdc ±10% B 85 22uF GRM32DB10J226KA01 - Product Image 5
GRM32DB10J226KA01 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 22 F 6.3Vdc ±10% B 85 22uF GRM32DB10J226KA01 - Product Image 6

GRM32DB10J226KA01 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 22 F 6.3Vdc ±10% B 85 22uF GRM32DB10J226KA01

฿17.13-68.51
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(557)
GRT32DR61C226KE01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 22 ฟิวต์ 16 โวลต์กระแสตรง ±10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32DR61C226KE01 - Product Image 1
GRT32DR61C226KE01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 22 ฟิวต์ 16 โวลต์กระแสตรง ±10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32DR61C226KE01 - Product Image 2
GRT32DR61C226KE01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 22 ฟิวต์ 16 โวลต์กระแสตรง ±10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32DR61C226KE01 - Product Image 3
GRT32DR61C226KE01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 22 ฟิวต์ 16 โวลต์กระแสตรง ±10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32DR61C226KE01 - Product Image 4
GRT32DR61C226KE01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 22 ฟิวต์ 16 โวลต์กระแสตรง ±10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32DR61C226KE01 - Product Image 5
GRT32DR61C226KE01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 22 ฟิวต์ 16 โวลต์กระแสตรง ±10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32DR61C226KE01 - Product Image 6

GRT32DR61C226KE01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 22 ฟิวต์ 16 โวลต์กระแสตรง ±10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32DR61C226KE01

฿17.13-68.51
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(557)
C5750X7R1H226M250KB (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 2220 22 F 50V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF C5750X7R1H226M250KB - Product Image 1
C5750X7R1H226M250KB (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 2220 22 F 50V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF C5750X7R1H226M250KB - Product Image 2
C5750X7R1H226M250KB (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 2220 22 F 50V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF C5750X7R1H226M250KB - Product Image 3
C5750X7R1H226M250KB (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 2220 22 F 50V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF C5750X7R1H226M250KB - Product Image 4
C5750X7R1H226M250KB (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 2220 22 F 50V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF C5750X7R1H226M250KB - Product Image 5
C5750X7R1H226M250KB (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 2220 22 F 50V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF C5750X7R1H226M250KB - Product Image 6

C5750X7R1H226M250KB (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 2220 22 F 50V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF C5750X7R1H226M250KB

฿17.13-68.51
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(557)
GRM186R60J226ME15(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0603 22 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 22uF GRM186R60J226ME15 - Product Image 1
GRM186R60J226ME15(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0603 22 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 22uF GRM186R60J226ME15 - Product Image 2
GRM186R60J226ME15(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0603 22 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 22uF GRM186R60J226ME15 - Product Image 3
GRM186R60J226ME15(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0603 22 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 22uF GRM186R60J226ME15 - Product Image 4
GRM186R60J226ME15(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0603 22 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 22uF GRM186R60J226ME15 - Product Image 5
GRM186R60J226ME15(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0603 22 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 22uF GRM186R60J226ME15 - Product Image 6

GRM186R60J226ME15(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0603 22 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 22uF GRM186R60J226ME15

฿17.13-68.51
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(557)
GRM32DB31C226ME18 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 22 F 16Vdc ±20% B 85 22uF GRM32DB31C226ME18 - Product Image 1
GRM32DB31C226ME18 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 22 F 16Vdc ±20% B 85 22uF GRM32DB31C226ME18 - Product Image 2
GRM32DB31C226ME18 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 22 F 16Vdc ±20% B 85 22uF GRM32DB31C226ME18 - Product Image 3
GRM32DB31C226ME18 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 22 F 16Vdc ±20% B 85 22uF GRM32DB31C226ME18 - Product Image 4
GRM32DB31C226ME18 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 22 F 16Vdc ±20% B 85 22uF GRM32DB31C226ME18 - Product Image 5
GRM32DB31C226ME18 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 22 F 16Vdc ±20% B 85 22uF GRM32DB31C226ME18 - Product Image 6

GRM32DB31C226ME18 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 22 F 16Vdc ±20% B 85 22uF GRM32DB31C226ME18

฿17.13-68.51
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(557)
GRM32DB31C226KE18 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ความจุขนาดใหญ่) 1210 22 F 16Vdc ±10% B 85 22uF GRM32DB31C226KE18 - Product Image 1
GRM32DB31C226KE18 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ความจุขนาดใหญ่) 1210 22 F 16Vdc ±10% B 85 22uF GRM32DB31C226KE18 - Product Image 2
GRM32DB31C226KE18 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ความจุขนาดใหญ่) 1210 22 F 16Vdc ±10% B 85 22uF GRM32DB31C226KE18 - Product Image 3
GRM32DB31C226KE18 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ความจุขนาดใหญ่) 1210 22 F 16Vdc ±10% B 85 22uF GRM32DB31C226KE18 - Product Image 4
GRM32DB31C226KE18 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ความจุขนาดใหญ่) 1210 22 F 16Vdc ±10% B 85 22uF GRM32DB31C226KE18 - Product Image 5
GRM32DB31C226KE18 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ความจุขนาดใหญ่) 1210 22 F 16Vdc ±10% B 85 22uF GRM32DB31C226KE18 - Product Image 6

GRM32DB31C226KE18 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ความจุขนาดใหญ่) 1210 22 F 16Vdc ±10% B 85 22uF GRM32DB31C226KE18

฿17.13-68.51
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(557)
C2012X7S1A226M125AC (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 0805 22 F 10V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF C2012X7S1A226M125AC - Product Image 1
C2012X7S1A226M125AC (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 0805 22 F 10V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF C2012X7S1A226M125AC - Product Image 2
C2012X7S1A226M125AC (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 0805 22 F 10V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF C2012X7S1A226M125AC - Product Image 3
C2012X7S1A226M125AC (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 0805 22 F 10V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF C2012X7S1A226M125AC - Product Image 4
C2012X7S1A226M125AC (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 0805 22 F 10V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF C2012X7S1A226M125AC - Product Image 5
C2012X7S1A226M125AC (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 0805 22 F 10V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF C2012X7S1A226M125AC - Product Image 6

C2012X7S1A226M125AC (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 0805 22 F 10V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF C2012X7S1A226M125AC

฿17.13-68.51
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(557)
GRM219C80E226ME47(CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0805 22 F 2.5Vdc ±20% X6S 105 22uF GRM219C80E226ME47 - Product Image 1
GRM219C80E226ME47(CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0805 22 F 2.5Vdc ±20% X6S 105 22uF GRM219C80E226ME47 - Product Image 2
GRM219C80E226ME47(CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0805 22 F 2.5Vdc ±20% X6S 105 22uF GRM219C80E226ME47 - Product Image 3
GRM219C80E226ME47(CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0805 22 F 2.5Vdc ±20% X6S 105 22uF GRM219C80E226ME47 - Product Image 4
GRM219C80E226ME47(CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0805 22 F 2.5Vdc ±20% X6S 105 22uF GRM219C80E226ME47 - Product Image 5
GRM219C80E226ME47(CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0805 22 F 2.5Vdc ±20% X6S 105 22uF GRM219C80E226ME47 - Product Image 6

GRM219C80E226ME47(CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0805 22 F 2.5Vdc ±20% X6S 105 22uF GRM219C80E226ME47

฿17.13-68.51
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(557)

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

เครื่องร่อน 3 มิติrevell su 27 1 72เครื่องบิน ถูกฟ อ ร์ ด แร็ พ เตอร์ v6x plane 9su 27 flanker 1 48rc เครื่องบิน บังคับ วิทยุdhl เครื่องบินเครื่องบิน su 27ornithopterค่า เครื่องบิน ไป เกาหลีใต้เครื่องบิน โบ อิ้ ง 380su 57avion simulatorเครื่องบิน su57super fightersเครื่องบิน f16avion airrc planessu57 rc