All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

F 20

(มีสินค้า 999+ รายการ)

ตัวเก็บประจุ B41043A4688M เรเดียล6800 uF 20% 16V ฝา uF แบบดั้งเดิมผ่านรู - Product Image 1

ตัวเก็บประจุ B41043A4688M เรเดียล6800 uF 20% 16V ฝา uF แบบดั้งเดิมผ่านรู - Product Image 2

ตัวเก็บประจุ B41043A4688M เรเดียล6800 uF 20% 16V ฝา uF แบบดั้งเดิมผ่านรู - Product Image 3

ตัวเก็บประจุ B41043A4688M เรเดียล6800 uF 20% 16V ฝา uF แบบดั้งเดิมผ่านรู - Product Image 4

ตัวเก็บประจุ B41043A4688M เรเดียล6800 uF 20% 16V ฝา uF แบบดั้งเดิมผ่านรู - Product Image 5

ตัวเก็บประจุ B41043A4688M เรเดียล6800 uF 20% 16V ฝา uF แบบดั้งเดิมผ่านรู - Product Image 6

ตัวเก็บประจุ B41043A4688M เรเดียล6800 uF 20% 16V ฝา uF แบบดั้งเดิมผ่านรู

฿15.77-31.19

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 100 ชิ้น

UNITE CHANCE CO., LIMITED

1 yrs

ตัวเก็บประจุเซรามิก3300 pF X7R 16V 0201 0201ติดพื้นผิวช่อง MLCC CAP - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิก3300 pF X7R 16V 0201 0201ติดพื้นผิวช่อง MLCC CAP - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิก3300 pF X7R 16V 0201 0201ติดพื้นผิวช่อง MLCC CAP - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิก3300 pF X7R 16V 0201 0201ติดพื้นผิวช่อง MLCC CAP - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิก3300 pF X7R 16V 0201 0201ติดพื้นผิวช่อง MLCC CAP - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิก3300 pF X7R 16V 0201 0201ติดพื้นผิวช่อง MLCC CAP - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิก3300 pF X7R 16V 0201 0201ติดพื้นผิวช่อง MLCC CAP

฿0.3428-1.72

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

KAILIYUAN TECHNOLOGY INTERNATIONAL CO., LIMITED

1 yrs

BA232B2PD-1D-F ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์แท้จากผู้ผลิตดั้งเดิม หน่วยความจำแฟลช NAND 32Gb แบบ FBGA ความเร็วสูง สำหรับใช้งานเชิงพาณิชย์ ทนอุณหภูมิสูง - Product Image 1

BA232B2PD-1D-F ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์แท้จากผู้ผลิตดั้งเดิม หน่วยความจำแฟลช NAND 32Gb แบบ FBGA ความเร็วสูง สำหรับใช้งานเชิงพาณิชย์ ทนอุณหภูมิสูง - Product Image 2

BA232B2PD-1D-F ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์แท้จากผู้ผลิตดั้งเดิม หน่วยความจำแฟลช NAND 32Gb แบบ FBGA ความเร็วสูง สำหรับใช้งานเชิงพาณิชย์ ทนอุณหภูมิสูง - Product Image 3

BA232B2PD-1D-F ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์แท้จากผู้ผลิตดั้งเดิม หน่วยความจำแฟลช NAND 32Gb แบบ FBGA ความเร็วสูง สำหรับใช้งานเชิงพาณิชย์ ทนอุณหภูมิสูง - Product Image 4

BA232B2PD-1D-F ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์แท้จากผู้ผลิตดั้งเดิม หน่วยความจำแฟลช NAND 32Gb แบบ FBGA ความเร็วสูง สำหรับใช้งานเชิงพาณิชย์ ทนอุณหภูมิสูง - Product Image 5

BA232B2PD-1D-F ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์แท้จากผู้ผลิตดั้งเดิม หน่วยความจำแฟลช NAND 32Gb แบบ FBGA ความเร็วสูง สำหรับใช้งานเชิงพาณิชย์ ทนอุณหภูมิสูง - Product Image 6

BA232B2PD-1D-F ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์แท้จากผู้ผลิตดั้งเดิม หน่วยความจำแฟลช NAND 32Gb แบบ FBGA ความเร็วสูง สำหรับใช้งานเชิงพาณิชย์ ทนอุณหภูมิสูง

฿34.28

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 20 ชิ้น

IC ONLINE CO., LIMITED

3 yrs

HK

ตัวเก็บประจุเซรามิก4700ตัวครอบ pF CER 4700PF 100V X7R 0402 HMR105B7472MV-F 0402 (1005เมตริก) จากผู้จัดจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิก4700ตัวครอบ pF CER 4700PF 100V X7R 0402 HMR105B7472MV-F 0402 (1005เมตริก) จากผู้จัดจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิก4700ตัวครอบ pF CER 4700PF 100V X7R 0402 HMR105B7472MV-F 0402 (1005เมตริก) จากผู้จัดจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิก4700ตัวครอบ pF CER 4700PF 100V X7R 0402 HMR105B7472MV-F 0402 (1005เมตริก) จากผู้จัดจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิก4700ตัวครอบ pF CER 4700PF 100V X7R 0402 HMR105B7472MV-F 0402 (1005เมตริก) จากผู้จัดจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิก4700ตัวครอบ pF CER 4700PF 100V X7R 0402 HMR105B7472MV-F 0402 (1005เมตริก) จากผู้จัดจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิก4700ตัวครอบ pF CER 4700PF 100V X7R 0402 HMR105B7472MV-F 0402 (1005เมตริก) จากผู้จัดจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต

฿0.3428

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10,000 ชิ้น

KAILIYUAN TECHNOLOGY INTERNATIONAL CO., LIMITED

1 yrs

ตัวเก็บประจุเซรามิกสำหรับ AMK063AC6105MP-F 1 uF 0201 (0603เมตริก) ตัวเก็บประจุแบบ1 uF 4V X6S 0201ยึดพื้นผิว - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกสำหรับ AMK063AC6105MP-F 1 uF 0201 (0603เมตริก) ตัวเก็บประจุแบบ1 uF 4V X6S 0201ยึดพื้นผิว - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกสำหรับ AMK063AC6105MP-F 1 uF 0201 (0603เมตริก) ตัวเก็บประจุแบบ1 uF 4V X6S 0201ยึดพื้นผิว - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกสำหรับ AMK063AC6105MP-F 1 uF 0201 (0603เมตริก) ตัวเก็บประจุแบบ1 uF 4V X6S 0201ยึดพื้นผิว - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกสำหรับ AMK063AC6105MP-F 1 uF 0201 (0603เมตริก) ตัวเก็บประจุแบบ1 uF 4V X6S 0201ยึดพื้นผิว - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกสำหรับ AMK063AC6105MP-F 1 uF 0201 (0603เมตริก) ตัวเก็บประจุแบบ1 uF 4V X6S 0201ยึดพื้นผิว - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกสำหรับ AMK063AC6105MP-F 1 uF 0201 (0603เมตริก) ตัวเก็บประจุแบบ1 uF 4V X6S 0201ยึดพื้นผิว

฿0.3428-2.06

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

KAILIYUAN TECHNOLOGY INTERNATIONAL CO., LIMITED

1 yrs

ตัวเก็บประจุแบบ Through Hole 220 ยูเอฟ คาปาซิเตอร์อะลูมิเนียม 220UF 20% 10V แบบขาเรเดียล รุ่น ECE-A1AKS221I - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบ Through Hole 220 ยูเอฟ คาปาซิเตอร์อะลูมิเนียม 220UF 20% 10V แบบขาเรเดียล รุ่น ECE-A1AKS221I - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบ Through Hole 220 ยูเอฟ คาปาซิเตอร์อะลูมิเนียม 220UF 20% 10V แบบขาเรเดียล รุ่น ECE-A1AKS221I - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบ Through Hole 220 ยูเอฟ คาปาซิเตอร์อะลูมิเนียม 220UF 20% 10V แบบขาเรเดียล รุ่น ECE-A1AKS221I - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบ Through Hole 220 ยูเอฟ คาปาซิเตอร์อะลูมิเนียม 220UF 20% 10V แบบขาเรเดียล รุ่น ECE-A1AKS221I - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบ Through Hole 220 ยูเอฟ คาปาซิเตอร์อะลูมิเนียม 220UF 20% 10V แบบขาเรเดียล รุ่น ECE-A1AKS221I - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ Through Hole 220 ยูเอฟ คาปาซิเตอร์อะลูมิเนียม 220UF 20% 10V แบบขาเรเดียล รุ่น ECE-A1AKS221I

฿1.72-3.43

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1,000 ชิ้น

UNITE CHANCE CO., LIMITED

1 yrs

ซัพพลายเออร์ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์แท้รุ่น B8132B3PB-6D-F หน่วยความจำแฟลช NAND ความจุ 128GB แบบ FBGA ความเร็วสูง สำหรับใช้งานเชิงพาณิชย์ ทนอุณหภูมิสูง - Product Image 1

ซัพพลายเออร์ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์แท้รุ่น B8132B3PB-6D-F หน่วยความจำแฟลช NAND ความจุ 128GB แบบ FBGA ความเร็วสูง สำหรับใช้งานเชิงพาณิชย์ ทนอุณหภูมิสูง - Product Image 2

ซัพพลายเออร์ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์แท้รุ่น B8132B3PB-6D-F หน่วยความจำแฟลช NAND ความจุ 128GB แบบ FBGA ความเร็วสูง สำหรับใช้งานเชิงพาณิชย์ ทนอุณหภูมิสูง - Product Image 3

ซัพพลายเออร์ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์แท้รุ่น B8132B3PB-6D-F หน่วยความจำแฟลช NAND ความจุ 128GB แบบ FBGA ความเร็วสูง สำหรับใช้งานเชิงพาณิชย์ ทนอุณหภูมิสูง - Product Image 4

ซัพพลายเออร์ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์แท้รุ่น B8132B3PB-6D-F หน่วยความจำแฟลช NAND ความจุ 128GB แบบ FBGA ความเร็วสูง สำหรับใช้งานเชิงพาณิชย์ ทนอุณหภูมิสูง - Product Image 5

ซัพพลายเออร์ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์แท้รุ่น B8132B3PB-6D-F หน่วยความจำแฟลช NAND ความจุ 128GB แบบ FBGA ความเร็วสูง สำหรับใช้งานเชิงพาณิชย์ ทนอุณหภูมิสูง - Product Image 6

ซัพพลายเออร์ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์แท้รุ่น B8132B3PB-6D-F หน่วยความจำแฟลช NAND ความจุ 128GB แบบ FBGA ความเร็วสูง สำหรับใช้งานเชิงพาณิชย์ ทนอุณหภูมิสูง

฿34.28

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 20 ชิ้น

IC ONLINE CO., LIMITED

3 yrs

HK

Power Management (PMIC) AD652JP Buy Electronics Components Online Original 20 LCC - Product Image 1

Power Management (PMIC) AD652JP Buy Electronics Components Online Original 20 LCC - Product Image 2

Power Management (PMIC) AD652JP Buy Electronics Components Online Original 20 LCC - Product Image 3

Power Management (PMIC) AD652JP Buy Electronics Components Online Original 20 LCC - Product Image 4

Power Management (PMIC) AD652JP Buy Electronics Components Online Original 20 LCC - Product Image 5

Power Management (PMIC) AD652JP Buy Electronics Components Online Original 20 LCC - Product Image 6

Power Management (PMIC) AD652JP Buy Electronics Components Online Original 20 LCC

฿190.90-381.45

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 17 ชิ้น

5Chips Tech Limited

1 yrs