All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

F 20

(มีสินค้า 999+ รายการ)

2026 ซีรีส์ R1172N501D-TR-F ดั้งเดิมใหม่ - Product Image 1
2026 ซีรีส์ R1172N501D-TR-F ดั้งเดิมใหม่ - Product Image 2
2026 ซีรีส์ R1172N501D-TR-F ดั้งเดิมใหม่ - Product Image 3
2026 ซีรีส์ R1172N501D-TR-F ดั้งเดิมใหม่ - Product Image 4
2026 ซีรีส์ R1172N501D-TR-F ดั้งเดิมใหม่ - Product Image 5
2026 ซีรีส์ R1172N501D-TR-F ดั้งเดิมใหม่ - Product Image 6

2026 ซีรีส์ R1172N501D-TR-F ดั้งเดิมใหม่

฿0.3413-0.6826
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
Wisdtech Technology Co., Limited
1 yrsHK flagHK4.9/5.0(5)
GRM31CB31C106MA88 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% B 85 10uF GRM31CB31C106MA88 - Product Image 1
GRM31CB31C106MA88 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% B 85 10uF GRM31CB31C106MA88 - Product Image 2
GRM31CB31C106MA88 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% B 85 10uF GRM31CB31C106MA88 - Product Image 3
GRM31CB31C106MA88 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% B 85 10uF GRM31CB31C106MA88 - Product Image 4
GRM31CB31C106MA88 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% B 85 10uF GRM31CB31C106MA88 - Product Image 5
GRM31CB31C106MA88 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% B 85 10uF GRM31CB31C106MA88 - Product Image 6

GRM31CB31C106MA88 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% B 85 10uF GRM31CB31C106MA88

฿17.07-68.26
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(575)
GRM319C81A106MA12(ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 10Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM319C81A106MA12 - Product Image 1
GRM319C81A106MA12(ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 10Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM319C81A106MA12 - Product Image 2
GRM319C81A106MA12(ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 10Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM319C81A106MA12 - Product Image 3
GRM319C81A106MA12(ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 10Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM319C81A106MA12 - Product Image 4
GRM319C81A106MA12(ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 10Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM319C81A106MA12 - Product Image 5
GRM319C81A106MA12(ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 10Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM319C81A106MA12 - Product Image 6

GRM319C81A106MA12(ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 10Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM319C81A106MA12

฿17.07-68.26
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(575)
GRM319B31E106MA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1206 10 F 25Vdc ±20% B 85 10uF GRM319B31E106MA12 - Product Image 1
GRM319B31E106MA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1206 10 F 25Vdc ±20% B 85 10uF GRM319B31E106MA12 - Product Image 2
GRM319B31E106MA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1206 10 F 25Vdc ±20% B 85 10uF GRM319B31E106MA12 - Product Image 3
GRM319B31E106MA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1206 10 F 25Vdc ±20% B 85 10uF GRM319B31E106MA12 - Product Image 4
GRM319B31E106MA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1206 10 F 25Vdc ±20% B 85 10uF GRM319B31E106MA12 - Product Image 5
GRM319B31E106MA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1206 10 F 25Vdc ±20% B 85 10uF GRM319B31E106MA12 - Product Image 6

GRM319B31E106MA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1206 10 F 25Vdc ±20% B 85 10uF GRM319B31E106MA12

฿17.07-68.26
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(575)
C3225X5R1A336M200AC (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 33 F 10V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 33uF C3225X5R1A336M200AC - Product Image 1
C3225X5R1A336M200AC (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 33 F 10V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 33uF C3225X5R1A336M200AC - Product Image 2
C3225X5R1A336M200AC (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 33 F 10V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 33uF C3225X5R1A336M200AC - Product Image 3
C3225X5R1A336M200AC (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 33 F 10V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 33uF C3225X5R1A336M200AC - Product Image 4
C3225X5R1A336M200AC (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 33 F 10V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 33uF C3225X5R1A336M200AC - Product Image 5
C3225X5R1A336M200AC (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 33 F 10V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 33uF C3225X5R1A336M200AC - Product Image 6

C3225X5R1A336M200AC (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 33 F 10V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 33uF C3225X5R1A336M200AC

฿17.07-68.26
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(575)
GRM31CC81E106MA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 25Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM31CC81E106MA12 - Product Image 1
GRM31CC81E106MA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 25Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM31CC81E106MA12 - Product Image 2
GRM31CC81E106MA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 25Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM31CC81E106MA12 - Product Image 3
GRM31CC81E106MA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 25Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM31CC81E106MA12 - Product Image 4
GRM31CC81E106MA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 25Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM31CC81E106MA12 - Product Image 5
GRM31CC81E106MA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 25Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM31CC81E106MA12 - Product Image 6

GRM31CC81E106MA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 25Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM31CC81E106MA12

฿17.07-68.26
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(575)
GRM319B31C106ME15(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 1206 10 F 16Vdc ±20% B 85 10uF GRM319B31C106ME15 - Product Image 1
GRM319B31C106ME15(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 1206 10 F 16Vdc ±20% B 85 10uF GRM319B31C106ME15 - Product Image 2
GRM319B31C106ME15(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 1206 10 F 16Vdc ±20% B 85 10uF GRM319B31C106ME15 - Product Image 3
GRM319B31C106ME15(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 1206 10 F 16Vdc ±20% B 85 10uF GRM319B31C106ME15 - Product Image 4
GRM319B31C106ME15(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 1206 10 F 16Vdc ±20% B 85 10uF GRM319B31C106ME15 - Product Image 5
GRM319B31C106ME15(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 1206 10 F 16Vdc ±20% B 85 10uF GRM319B31C106ME15 - Product Image 6

GRM319B31C106ME15(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 1206 10 F 16Vdc ±20% B 85 10uF GRM319B31C106ME15

฿17.07-68.26
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(575)
GRJ32ER71A226ME11(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 22 F 10Vdc ±20% X7R 125 22uF GRJ32ER71A226ME11 - Product Image 1
GRJ32ER71A226ME11(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 22 F 10Vdc ±20% X7R 125 22uF GRJ32ER71A226ME11 - Product Image 2
GRJ32ER71A226ME11(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 22 F 10Vdc ±20% X7R 125 22uF GRJ32ER71A226ME11 - Product Image 3
GRJ32ER71A226ME11(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 22 F 10Vdc ±20% X7R 125 22uF GRJ32ER71A226ME11 - Product Image 4
GRJ32ER71A226ME11(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 22 F 10Vdc ±20% X7R 125 22uF GRJ32ER71A226ME11 - Product Image 5
GRJ32ER71A226ME11(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 22 F 10Vdc ±20% X7R 125 22uF GRJ32ER71A226ME11 - Product Image 6

GRJ32ER71A226ME11(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 22 F 10Vdc ±20% X7R 125 22uF GRJ32ER71A226ME11

฿17.07-68.26
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(575)

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

bmw z8audi a3 2009มา ส ด้า cx8yaris 2010gtr 2020 nismoq5 tfsi eaudi s5 2017vw jetta 2014mitsubishi pajero sport 2010mercedes benz v classaudi tt roadsterbmw m850iaudi a5 sportback 2018ford mustang เปิด ประทุนmercedes s class w221 63 amgaventador svjaudi a6 s line 2016bmw 6 seriesbmw 730mitsubishi xpander cross ภายใน