All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

F 20

(มีสินค้า 999+ รายการ)

C5750X7R1E226M250KA (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 2220 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF C5750X7R1E226M250KA - Product Image 1
C5750X7R1E226M250KA (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 2220 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF C5750X7R1E226M250KA - Product Image 2
C5750X7R1E226M250KA (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 2220 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF C5750X7R1E226M250KA - Product Image 3
C5750X7R1E226M250KA (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 2220 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF C5750X7R1E226M250KA - Product Image 4
C5750X7R1E226M250KA (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 2220 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF C5750X7R1E226M250KA - Product Image 5
C5750X7R1E226M250KA (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 2220 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF C5750X7R1E226M250KA - Product Image 6

C5750X7R1E226M250KA (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 2220 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF C5750X7R1E226M250KA

฿17.15-68.57
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(549)
GCJ31CR71A226ME01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1206 22 F 10Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200 22uF GCJ31CR71A226ME01 - Product Image 1
GCJ31CR71A226ME01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1206 22 F 10Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200 22uF GCJ31CR71A226ME01 - Product Image 2
GCJ31CR71A226ME01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1206 22 F 10Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200 22uF GCJ31CR71A226ME01 - Product Image 3
GCJ31CR71A226ME01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1206 22 F 10Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200 22uF GCJ31CR71A226ME01 - Product Image 4
GCJ31CR71A226ME01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1206 22 F 10Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200 22uF GCJ31CR71A226ME01 - Product Image 5
GCJ31CR71A226ME01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1206 22 F 10Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200 22uF GCJ31CR71A226ME01 - Product Image 6

GCJ31CR71A226ME01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1206 22 F 10Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200 22uF GCJ31CR71A226ME01

฿17.15-68.57
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(549)
KCM55WR72A156MH01(ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 15 F 100Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200 15uF KCM55WR72A156MH01 - Product Image 1
KCM55WR72A156MH01(ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 15 F 100Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200 15uF KCM55WR72A156MH01 - Product Image 2
KCM55WR72A156MH01(ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 15 F 100Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200 15uF KCM55WR72A156MH01 - Product Image 3
KCM55WR72A156MH01(ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 15 F 100Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200 15uF KCM55WR72A156MH01 - Product Image 4
KCM55WR72A156MH01(ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 15 F 100Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200 15uF KCM55WR72A156MH01 - Product Image 5
KCM55WR72A156MH01(ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 15 F 100Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200 15uF KCM55WR72A156MH01 - Product Image 6

KCM55WR72A156MH01(ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 15 F 100Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200 15uF KCM55WR72A156MH01

฿17.15-68.57
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(549)
GRM32DR11C106MA01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 1210 10 F 16Vdc ±20% R 125 10uF GRM32DR11C106MA01 - Product Image 1
GRM32DR11C106MA01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 1210 10 F 16Vdc ±20% R 125 10uF GRM32DR11C106MA01 - Product Image 2
GRM32DR11C106MA01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 1210 10 F 16Vdc ±20% R 125 10uF GRM32DR11C106MA01 - Product Image 3
GRM32DR11C106MA01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 1210 10 F 16Vdc ±20% R 125 10uF GRM32DR11C106MA01 - Product Image 4
GRM32DR11C106MA01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 1210 10 F 16Vdc ±20% R 125 10uF GRM32DR11C106MA01 - Product Image 5
GRM32DR11C106MA01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 1210 10 F 16Vdc ±20% R 125 10uF GRM32DR11C106MA01 - Product Image 6

GRM32DR11C106MA01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 1210 10 F 16Vdc ±20% R 125 10uF GRM32DR11C106MA01

฿17.15-68.57
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(549)
ตัวเก็บประจุแบบติดผิวหน้า (Surface Mount) รุ่น AFK107M35F24T-F ของแท้ 100 ไมโครฟารัด (100uF) ความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 35 โวลต์ ชนิด SMD - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบติดผิวหน้า (Surface Mount) รุ่น AFK107M35F24T-F ของแท้ 100 ไมโครฟารัด (100uF) ความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 35 โวลต์ ชนิด SMD - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบติดผิวหน้า (Surface Mount) รุ่น AFK107M35F24T-F ของแท้ 100 ไมโครฟารัด (100uF) ความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 35 โวลต์ ชนิด SMD - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบติดผิวหน้า (Surface Mount) รุ่น AFK107M35F24T-F ของแท้ 100 ไมโครฟารัด (100uF) ความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 35 โวลต์ ชนิด SMD - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบติดผิวหน้า (Surface Mount) รุ่น AFK107M35F24T-F ของแท้ 100 ไมโครฟารัด (100uF) ความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 35 โวลต์ ชนิด SMD - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบติดผิวหน้า (Surface Mount) รุ่น AFK107M35F24T-F ของแท้ 100 ไมโครฟารัด (100uF) ความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 35 โวลต์ ชนิด SMD - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบติดผิวหน้า (Surface Mount) รุ่น AFK107M35F24T-F ของแท้ 100 ไมโครฟารัด (100uF) ความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 35 โวลต์ ชนิด SMD

฿17.83-38.06
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
UNITE CHANCE CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(1)
GRT21BR61C106ME01(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 0805 10 F 16Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT21BR61C106ME01 - Product Image 1
GRT21BR61C106ME01(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 0805 10 F 16Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT21BR61C106ME01 - Product Image 2
GRT21BR61C106ME01(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 0805 10 F 16Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT21BR61C106ME01 - Product Image 3
GRT21BR61C106ME01(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 0805 10 F 16Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT21BR61C106ME01 - Product Image 4
GRT21BR61C106ME01(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 0805 10 F 16Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT21BR61C106ME01 - Product Image 5
GRT21BR61C106ME01(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 0805 10 F 16Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT21BR61C106ME01 - Product Image 6

GRT21BR61C106ME01(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 0805 10 F 16Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT21BR61C106ME01

฿17.15-68.57
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(549)
ตัวเก็บประจุแบบติดตั้งบนพื้นผิว AVS226M63E16T-F รุ่นดั้งเดิม แบบอลูมิเนียม 22 ยูเอฟ 20% 63 โวลต์ SMD 22 ยูเอฟ - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบติดตั้งบนพื้นผิว AVS226M63E16T-F รุ่นดั้งเดิม แบบอลูมิเนียม 22 ยูเอฟ 20% 63 โวลต์ SMD 22 ยูเอฟ - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบติดตั้งบนพื้นผิว AVS226M63E16T-F รุ่นดั้งเดิม แบบอลูมิเนียม 22 ยูเอฟ 20% 63 โวลต์ SMD 22 ยูเอฟ - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบติดตั้งบนพื้นผิว AVS226M63E16T-F รุ่นดั้งเดิม แบบอลูมิเนียม 22 ยูเอฟ 20% 63 โวลต์ SMD 22 ยูเอฟ - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบติดตั้งบนพื้นผิว AVS226M63E16T-F รุ่นดั้งเดิม แบบอลูมิเนียม 22 ยูเอฟ 20% 63 โวลต์ SMD 22 ยูเอฟ - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบติดตั้งบนพื้นผิว AVS226M63E16T-F รุ่นดั้งเดิม แบบอลูมิเนียม 22 ยูเอฟ 20% 63 โวลต์ SMD 22 ยูเอฟ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบติดตั้งบนพื้นผิว AVS226M63E16T-F รุ่นดั้งเดิม แบบอลูมิเนียม 22 ยูเอฟ 20% 63 โวลต์ SMD 22 ยูเอฟ

฿4.12-8.23
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1,000 ชิ้น
UNITE CHANCE CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(1)
GCM32ER71A226ME12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 22 ฟิวต์ 10 โวลต์กระแสตรง ±20% X7R 125 AEC-Q200 22uF GCM32ER71A226ME12 - Product Image 1
GCM32ER71A226ME12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 22 ฟิวต์ 10 โวลต์กระแสตรง ±20% X7R 125 AEC-Q200 22uF GCM32ER71A226ME12 - Product Image 2
GCM32ER71A226ME12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 22 ฟิวต์ 10 โวลต์กระแสตรง ±20% X7R 125 AEC-Q200 22uF GCM32ER71A226ME12 - Product Image 3
GCM32ER71A226ME12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 22 ฟิวต์ 10 โวลต์กระแสตรง ±20% X7R 125 AEC-Q200 22uF GCM32ER71A226ME12 - Product Image 4
GCM32ER71A226ME12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 22 ฟิวต์ 10 โวลต์กระแสตรง ±20% X7R 125 AEC-Q200 22uF GCM32ER71A226ME12 - Product Image 5
GCM32ER71A226ME12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 22 ฟิวต์ 10 โวลต์กระแสตรง ±20% X7R 125 AEC-Q200 22uF GCM32ER71A226ME12 - Product Image 6

GCM32ER71A226ME12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 22 ฟิวต์ 10 โวลต์กระแสตรง ±20% X7R 125 AEC-Q200 22uF GCM32ER71A226ME12

฿17.15-68.57
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(549)

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

bmw z8audi a3 2009มา ส ด้า cx8yaris 2010gtr 2020 nismoq5 tfsi eaudi s5 2017vw jetta 2014mitsubishi pajero sport 2010mercedes benz v classaudi tt roadsterbmw m850iaudi a5 sportback 2018ford mustang เปิด ประทุนmercedes s class w221 63 amgaventador svjaudi a6 s line 2016bmw 6 seriesbmw 730mitsubishi xpander cross ภายใน