All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

F 20

(มีสินค้า 999+ รายการ)

ตัวเก็บประจุแบบติดบนพื้นผิว AVEK107M16F24T-F CAP ALUM 100UF 20% 16V SMD 100 uF จากผู้ผลิต - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบติดบนพื้นผิว AVEK107M16F24T-F CAP ALUM 100UF 20% 16V SMD 100 uF จากผู้ผลิต - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบติดบนพื้นผิว AVEK107M16F24T-F CAP ALUM 100UF 20% 16V SMD 100 uF จากผู้ผลิต - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบติดบนพื้นผิว AVEK107M16F24T-F CAP ALUM 100UF 20% 16V SMD 100 uF จากผู้ผลิต - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบติดบนพื้นผิว AVEK107M16F24T-F CAP ALUM 100UF 20% 16V SMD 100 uF จากผู้ผลิต - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบติดบนพื้นผิว AVEK107M16F24T-F CAP ALUM 100UF 20% 16V SMD 100 uF จากผู้ผลิต - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบติดบนพื้นผิว AVEK107M16F24T-F CAP ALUM 100UF 20% 16V SMD 100 uF จากผู้ผลิต

฿5.15-17.15
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
UNITE CHANCE CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(1)
GCJ188D70J106ME02 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCJ188D70J106ME02 - Product Image 1
GCJ188D70J106ME02 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCJ188D70J106ME02 - Product Image 2
GCJ188D70J106ME02 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCJ188D70J106ME02 - Product Image 3
GCJ188D70J106ME02 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCJ188D70J106ME02 - Product Image 4
GCJ188D70J106ME02 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCJ188D70J106ME02 - Product Image 5
GCJ188D70J106ME02 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCJ188D70J106ME02 - Product Image 6

GCJ188D70J106ME02 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCJ188D70J106ME02

฿17.15-68.57
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(553)
NFM31PC276B0J3 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1206 27 F 6.3Vdc ±20% 85 27uF NFM31PC276B0J3 - Product Image 1
NFM31PC276B0J3 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1206 27 F 6.3Vdc ±20% 85 27uF NFM31PC276B0J3 - Product Image 2
NFM31PC276B0J3 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1206 27 F 6.3Vdc ±20% 85 27uF NFM31PC276B0J3 - Product Image 3
NFM31PC276B0J3 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1206 27 F 6.3Vdc ±20% 85 27uF NFM31PC276B0J3 - Product Image 4
NFM31PC276B0J3 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1206 27 F 6.3Vdc ±20% 85 27uF NFM31PC276B0J3 - Product Image 5
NFM31PC276B0J3 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1206 27 F 6.3Vdc ±20% 85 27uF NFM31PC276B0J3 - Product Image 6

NFM31PC276B0J3 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1206 27 F 6.3Vdc ±20% 85 27uF NFM31PC276B0J3

฿17.15-68.57
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(553)
GRM31CB30J156ME18 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 15 F 6.3Vdc ±20% B 85 15uF GRM31CB30J156ME18 - Product Image 1
GRM31CB30J156ME18 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 15 F 6.3Vdc ±20% B 85 15uF GRM31CB30J156ME18 - Product Image 2
GRM31CB30J156ME18 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 15 F 6.3Vdc ±20% B 85 15uF GRM31CB30J156ME18 - Product Image 3
GRM31CB30J156ME18 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 15 F 6.3Vdc ±20% B 85 15uF GRM31CB30J156ME18 - Product Image 4
GRM31CB30J156ME18 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 15 F 6.3Vdc ±20% B 85 15uF GRM31CB30J156ME18 - Product Image 5
GRM31CB30J156ME18 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 15 F 6.3Vdc ±20% B 85 15uF GRM31CB30J156ME18 - Product Image 6

GRM31CB30J156ME18 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 15 F 6.3Vdc ±20% B 85 15uF GRM31CB30J156ME18

฿17.15-68.57
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(553)
ตัวเก็บประจุแบบติดผิว AFK476M63F24B-F 47 ยูเอฟ คาปาซิเตอร์อะลูมิเนียม 47UF 20% 63V SMD - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบติดผิว AFK476M63F24B-F 47 ยูเอฟ คาปาซิเตอร์อะลูมิเนียม 47UF 20% 63V SMD - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบติดผิว AFK476M63F24B-F 47 ยูเอฟ คาปาซิเตอร์อะลูมิเนียม 47UF 20% 63V SMD - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบติดผิว AFK476M63F24B-F 47 ยูเอฟ คาปาซิเตอร์อะลูมิเนียม 47UF 20% 63V SMD - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบติดผิว AFK476M63F24B-F 47 ยูเอฟ คาปาซิเตอร์อะลูมิเนียม 47UF 20% 63V SMD - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบติดผิว AFK476M63F24B-F 47 ยูเอฟ คาปาซิเตอร์อะลูมิเนียม 47UF 20% 63V SMD - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบติดผิว AFK476M63F24B-F 47 ยูเอฟ คาปาซิเตอร์อะลูมิเนียม 47UF 20% 63V SMD

฿14.40-28.80
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 100 ชิ้น
UNITE CHANCE CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(1)
GRM188C80G476ME01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 47 F 4Vdc ±20% X6S 105 47uF GRM188C80G476ME01 - Product Image 1
GRM188C80G476ME01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 47 F 4Vdc ±20% X6S 105 47uF GRM188C80G476ME01 - Product Image 2
GRM188C80G476ME01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 47 F 4Vdc ±20% X6S 105 47uF GRM188C80G476ME01 - Product Image 3
GRM188C80G476ME01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 47 F 4Vdc ±20% X6S 105 47uF GRM188C80G476ME01 - Product Image 4
GRM188C80G476ME01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 47 F 4Vdc ±20% X6S 105 47uF GRM188C80G476ME01 - Product Image 5
GRM188C80G476ME01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 47 F 4Vdc ±20% X6S 105 47uF GRM188C80G476ME01 - Product Image 6

GRM188C80G476ME01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 47 F 4Vdc ±20% X6S 105 47uF GRM188C80G476ME01

฿17.15-68.57
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(553)
ตัวเก็บประจุแบบติดผิว AVEK475M25B12T-F รุ่น CAP ALUM 4.7UF 20% 25V SMD 4.7 uF - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบติดผิว AVEK475M25B12T-F รุ่น CAP ALUM 4.7UF 20% 25V SMD 4.7 uF - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบติดผิว AVEK475M25B12T-F รุ่น CAP ALUM 4.7UF 20% 25V SMD 4.7 uF - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบติดผิว AVEK475M25B12T-F รุ่น CAP ALUM 4.7UF 20% 25V SMD 4.7 uF - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบติดผิว AVEK475M25B12T-F รุ่น CAP ALUM 4.7UF 20% 25V SMD 4.7 uF - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบติดผิว AVEK475M25B12T-F รุ่น CAP ALUM 4.7UF 20% 25V SMD 4.7 uF - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบติดผิว AVEK475M25B12T-F รุ่น CAP ALUM 4.7UF 20% 25V SMD 4.7 uF

฿1.38-2.75
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 2,000 ชิ้น
UNITE CHANCE CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(1)
GRM31CR60J106MA01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM31CR60J106MA01 - Product Image 1
GRM31CR60J106MA01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM31CR60J106MA01 - Product Image 2
GRM31CR60J106MA01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM31CR60J106MA01 - Product Image 3
GRM31CR60J106MA01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM31CR60J106MA01 - Product Image 4
GRM31CR60J106MA01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM31CR60J106MA01 - Product Image 5
GRM31CR60J106MA01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM31CR60J106MA01 - Product Image 6

GRM31CR60J106MA01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM31CR60J106MA01

฿17.15-68.57
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(553)

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

bmw z8audi a3 2009มา ส ด้า cx8yaris 2010gtr 2020 nismoq5 tfsi eaudi s5 2017vw jetta 2014mitsubishi pajero sport 2010mercedes benz v classaudi tt roadsterbmw m850iaudi a5 sportback 2018ford mustang เปิด ประทุนmercedes s class w221 63 amgaventador svjaudi a6 s line 2016bmw 6 seriesbmw 730mitsubishi xpander cross ภายใน