All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

F 20

(มีสินค้า 999+ รายการ)

GRM31CD71A226ME15 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 22 F 10Vdc ±20% X7T 125 22uF GRM31CD71A226ME15 - Product Image 1
GRM31CD71A226ME15 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 22 F 10Vdc ±20% X7T 125 22uF GRM31CD71A226ME15 - Product Image 2
GRM31CD71A226ME15 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 22 F 10Vdc ±20% X7T 125 22uF GRM31CD71A226ME15 - Product Image 3
GRM31CD71A226ME15 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 22 F 10Vdc ±20% X7T 125 22uF GRM31CD71A226ME15 - Product Image 4
GRM31CD71A226ME15 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 22 F 10Vdc ±20% X7T 125 22uF GRM31CD71A226ME15 - Product Image 5
GRM31CD71A226ME15 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 22 F 10Vdc ±20% X7T 125 22uF GRM31CD71A226ME15 - Product Image 6

GRM31CD71A226ME15 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 22 F 10Vdc ±20% X7T 125 22uF GRM31CD71A226ME15

฿17.15-68.57
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(553)
CKG57NX5R1C107M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 100 ฟิวส์ 16 โวลต์ ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 100uF CKG57NX5R1C107M500JH - Product Image 1
CKG57NX5R1C107M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 100 ฟิวส์ 16 โวลต์ ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 100uF CKG57NX5R1C107M500JH - Product Image 2
CKG57NX5R1C107M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 100 ฟิวส์ 16 โวลต์ ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 100uF CKG57NX5R1C107M500JH - Product Image 3
CKG57NX5R1C107M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 100 ฟิวส์ 16 โวลต์ ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 100uF CKG57NX5R1C107M500JH - Product Image 4
CKG57NX5R1C107M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 100 ฟิวส์ 16 โวลต์ ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 100uF CKG57NX5R1C107M500JH - Product Image 5
CKG57NX5R1C107M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 100 ฟิวส์ 16 โวลต์ ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 100uF CKG57NX5R1C107M500JH - Product Image 6

CKG57NX5R1C107M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 100 ฟิวส์ 16 โวลต์ ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 100uF CKG57NX5R1C107M500JH

฿17.15-68.57
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(553)
GRM31CC71E226ME15(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 1206 22 F 25Vdc ±20% X7S 125 22uF GRM31CC71E226ME15 - Product Image 1
GRM31CC71E226ME15(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 1206 22 F 25Vdc ±20% X7S 125 22uF GRM31CC71E226ME15 - Product Image 2
GRM31CC71E226ME15(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 1206 22 F 25Vdc ±20% X7S 125 22uF GRM31CC71E226ME15 - Product Image 3
GRM31CC71E226ME15(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 1206 22 F 25Vdc ±20% X7S 125 22uF GRM31CC71E226ME15 - Product Image 4
GRM31CC71E226ME15(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 1206 22 F 25Vdc ±20% X7S 125 22uF GRM31CC71E226ME15 - Product Image 5
GRM31CC71E226ME15(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 1206 22 F 25Vdc ±20% X7S 125 22uF GRM31CC71E226ME15 - Product Image 6

GRM31CC71E226ME15(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 1206 22 F 25Vdc ±20% X7S 125 22uF GRM31CC71E226ME15

฿17.15-68.57
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(553)
C2012X5R0J476M125AC (ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 0805 47 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 47uF C2012X5R0J476M125AC - Product Image 1
C2012X5R0J476M125AC (ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 0805 47 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 47uF C2012X5R0J476M125AC - Product Image 2
C2012X5R0J476M125AC (ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 0805 47 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 47uF C2012X5R0J476M125AC - Product Image 3
C2012X5R0J476M125AC (ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 0805 47 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 47uF C2012X5R0J476M125AC - Product Image 4
C2012X5R0J476M125AC (ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 0805 47 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 47uF C2012X5R0J476M125AC - Product Image 5
C2012X5R0J476M125AC (ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 0805 47 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 47uF C2012X5R0J476M125AC - Product Image 6

C2012X5R0J476M125AC (ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 0805 47 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 47uF C2012X5R0J476M125AC

฿17.15-68.57
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(553)
ตัวเก็บประจุแบบยึดพื้นผิว100 uF 100 uF 20% 6.3V SMD ฝาครอบ AFK107M06C12B-F สารส้ม - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบยึดพื้นผิว100 uF 100 uF 20% 6.3V SMD ฝาครอบ AFK107M06C12B-F สารส้ม - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบยึดพื้นผิว100 uF 100 uF 20% 6.3V SMD ฝาครอบ AFK107M06C12B-F สารส้ม - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบยึดพื้นผิว100 uF 100 uF 20% 6.3V SMD ฝาครอบ AFK107M06C12B-F สารส้ม - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบยึดพื้นผิว100 uF 100 uF 20% 6.3V SMD ฝาครอบ AFK107M06C12B-F สารส้ม - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบยึดพื้นผิว100 uF 100 uF 20% 6.3V SMD ฝาครอบ AFK107M06C12B-F สารส้ม - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบยึดพื้นผิว100 uF 100 uF 20% 6.3V SMD ฝาครอบ AFK107M06C12B-F สารส้ม

฿13.38-26.40
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 100 ชิ้น
UNITE CHANCE CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(1)
ตัวเก็บประจุแบบ AVS225M50B12T-F UF 2.2 UF 20% 50V SMD 2.2 UF แบบดั้งเดิม - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบ AVS225M50B12T-F UF 2.2 UF 20% 50V SMD 2.2 UF แบบดั้งเดิม - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบ AVS225M50B12T-F UF 2.2 UF 20% 50V SMD 2.2 UF แบบดั้งเดิม - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบ AVS225M50B12T-F UF 2.2 UF 20% 50V SMD 2.2 UF แบบดั้งเดิม - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบ AVS225M50B12T-F UF 2.2 UF 20% 50V SMD 2.2 UF แบบดั้งเดิม - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบ AVS225M50B12T-F UF 2.2 UF 20% 50V SMD 2.2 UF แบบดั้งเดิม - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ AVS225M50B12T-F UF 2.2 UF 20% 50V SMD 2.2 UF แบบดั้งเดิม

฿4.12-12.35
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
UNITE CHANCE CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(1)
GCM188D70J106ME36 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCM188D70J106ME36 - Product Image 1
GCM188D70J106ME36 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCM188D70J106ME36 - Product Image 2
GCM188D70J106ME36 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCM188D70J106ME36 - Product Image 3
GCM188D70J106ME36 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCM188D70J106ME36 - Product Image 4
GCM188D70J106ME36 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCM188D70J106ME36 - Product Image 5
GCM188D70J106ME36 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCM188D70J106ME36 - Product Image 6

GCM188D70J106ME36 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCM188D70J106ME36

฿17.15-68.57
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(553)
CKG57NX7R1H106M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 10 ฟิวส์ 50 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57NX7R1H106M500JH - Product Image 1
CKG57NX7R1H106M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 10 ฟิวส์ 50 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57NX7R1H106M500JH - Product Image 2
CKG57NX7R1H106M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 10 ฟิวส์ 50 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57NX7R1H106M500JH - Product Image 3
CKG57NX7R1H106M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 10 ฟิวส์ 50 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57NX7R1H106M500JH - Product Image 4
CKG57NX7R1H106M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 10 ฟิวส์ 50 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57NX7R1H106M500JH - Product Image 5
CKG57NX7R1H106M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 10 ฟิวส์ 50 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57NX7R1H106M500JH - Product Image 6

CKG57NX7R1H106M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 10 ฟิวส์ 50 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57NX7R1H106M500JH

฿17.15-68.57
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(553)

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

bmw z8audi a3 2009มา ส ด้า cx8yaris 2010gtr 2020 nismoq5 tfsi eaudi s5 2017vw jetta 2014mitsubishi pajero sport 2010mercedes benz v classaudi tt roadsterbmw m850iaudi a5 sportback 2018ford mustang เปิด ประทุนmercedes s class w221 63 amgaventador svjaudi a6 s line 2016bmw 6 seriesbmw 730mitsubishi xpander cross ภายใน