All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

F 20

(มีสินค้า 999+ รายการ)

ตัวเก็บประจุ33 uF 20% 50V SMD แบบยึดพื้นผิว AHA336M50E16T-F 33 uF จากผู้จัดจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต - Product Image 1
ตัวเก็บประจุ33 uF 20% 50V SMD แบบยึดพื้นผิว AHA336M50E16T-F 33 uF จากผู้จัดจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต - Product Image 2
ตัวเก็บประจุ33 uF 20% 50V SMD แบบยึดพื้นผิว AHA336M50E16T-F 33 uF จากผู้จัดจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต - Product Image 3
ตัวเก็บประจุ33 uF 20% 50V SMD แบบยึดพื้นผิว AHA336M50E16T-F 33 uF จากผู้จัดจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต - Product Image 4
ตัวเก็บประจุ33 uF 20% 50V SMD แบบยึดพื้นผิว AHA336M50E16T-F 33 uF จากผู้จัดจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต - Product Image 5
ตัวเก็บประจุ33 uF 20% 50V SMD แบบยึดพื้นผิว AHA336M50E16T-F 33 uF จากผู้จัดจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต - Product Image 6

ตัวเก็บประจุ33 uF 20% 50V SMD แบบยึดพื้นผิว AHA336M50E16T-F 33 uF จากผู้จัดจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต

฿5.14-10.27
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1,000 ชิ้น
UNITE CHANCE CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(1)
CNA6P1X7R1E226M250AE (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CNA6P1X7R1E226M250AE - Product Image 1
CNA6P1X7R1E226M250AE (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CNA6P1X7R1E226M250AE - Product Image 2
CNA6P1X7R1E226M250AE (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CNA6P1X7R1E226M250AE - Product Image 3
CNA6P1X7R1E226M250AE (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CNA6P1X7R1E226M250AE - Product Image 4
CNA6P1X7R1E226M250AE (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CNA6P1X7R1E226M250AE - Product Image 5
CNA6P1X7R1E226M250AE (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CNA6P1X7R1E226M250AE - Product Image 6

CNA6P1X7R1E226M250AE (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CNA6P1X7R1E226M250AE

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(575)
20 UFBGA, WLCSP ชิปอิเล็กทรอนิกส์สำหรับการจัดการพลังงาน (PMIC) รุ่น RP602Z330C-E2-F บริการครบวงจรแบบดั้งเดิม - Product Image 1
20 UFBGA, WLCSP ชิปอิเล็กทรอนิกส์สำหรับการจัดการพลังงาน (PMIC) รุ่น RP602Z330C-E2-F บริการครบวงจรแบบดั้งเดิม - Product Image 2
20 UFBGA, WLCSP ชิปอิเล็กทรอนิกส์สำหรับการจัดการพลังงาน (PMIC) รุ่น RP602Z330C-E2-F บริการครบวงจรแบบดั้งเดิม - Product Image 3
20 UFBGA, WLCSP ชิปอิเล็กทรอนิกส์สำหรับการจัดการพลังงาน (PMIC) รุ่น RP602Z330C-E2-F บริการครบวงจรแบบดั้งเดิม - Product Image 4
20 UFBGA, WLCSP ชิปอิเล็กทรอนิกส์สำหรับการจัดการพลังงาน (PMIC) รุ่น RP602Z330C-E2-F บริการครบวงจรแบบดั้งเดิม - Product Image 5
20 UFBGA, WLCSP ชิปอิเล็กทรอนิกส์สำหรับการจัดการพลังงาน (PMIC) รุ่น RP602Z330C-E2-F บริการครบวงจรแบบดั้งเดิม - Product Image 6

20 UFBGA, WLCSP ชิปอิเล็กทรอนิกส์สำหรับการจัดการพลังงาน (PMIC) รุ่น RP602Z330C-E2-F บริการครบวงจรแบบดั้งเดิม

฿14.38-28.41
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
KAILIYUAN TECHNOLOGY INTERNATIONAL CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(1)
GRM219D80E476ME44 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0805 47 F 2.5Vdc ±20% X6T 105 47uF GRM219D80E476ME44 - Product Image 1
GRM219D80E476ME44 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0805 47 F 2.5Vdc ±20% X6T 105 47uF GRM219D80E476ME44 - Product Image 2
GRM219D80E476ME44 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0805 47 F 2.5Vdc ±20% X6T 105 47uF GRM219D80E476ME44 - Product Image 3
GRM219D80E476ME44 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0805 47 F 2.5Vdc ±20% X6T 105 47uF GRM219D80E476ME44 - Product Image 4
GRM219D80E476ME44 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0805 47 F 2.5Vdc ±20% X6T 105 47uF GRM219D80E476ME44 - Product Image 5
GRM219D80E476ME44 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0805 47 F 2.5Vdc ±20% X6T 105 47uF GRM219D80E476ME44 - Product Image 6

GRM219D80E476ME44 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0805 47 F 2.5Vdc ±20% X6T 105 47uF GRM219D80E476ME44

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(575)
ตัวเก็บประจุแบบยึดติดบนพื้นผิว470 uF ตัวเก็บประจุแบบ AVS477M06F24B-F 470 uF 20% 6.3V SMD ของแท้ - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบยึดติดบนพื้นผิว470 uF ตัวเก็บประจุแบบ AVS477M06F24B-F 470 uF 20% 6.3V SMD ของแท้ - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบยึดติดบนพื้นผิว470 uF ตัวเก็บประจุแบบ AVS477M06F24B-F 470 uF 20% 6.3V SMD ของแท้ - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบยึดติดบนพื้นผิว470 uF ตัวเก็บประจุแบบ AVS477M06F24B-F 470 uF 20% 6.3V SMD ของแท้ - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบยึดติดบนพื้นผิว470 uF ตัวเก็บประจุแบบ AVS477M06F24B-F 470 uF 20% 6.3V SMD ของแท้ - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบยึดติดบนพื้นผิว470 uF ตัวเก็บประจุแบบ AVS477M06F24B-F 470 uF 20% 6.3V SMD ของแท้ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบยึดติดบนพื้นผิว470 uF ตัวเก็บประจุแบบ AVS477M06F24B-F 470 uF 20% 6.3V SMD ของแท้

฿14.38-28.75
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 100 ชิ้น
UNITE CHANCE CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(1)
เสาอากาศ RF รุ่น FMWAN062-20 ของแท้ - Product Image 1
เสาอากาศ RF รุ่น FMWAN062-20 ของแท้ - Product Image 2
เสาอากาศ RF รุ่น FMWAN062-20 ของแท้ - Product Image 3
เสาอากาศ RF รุ่น FMWAN062-20 ของแท้ - Product Image 4
เสาอากาศ RF รุ่น FMWAN062-20 ของแท้ - Product Image 5
เสาอากาศ RF รุ่น FMWAN062-20 ของแท้ - Product Image 6

เสาอากาศ RF รุ่น FMWAN062-20 ของแท้

฿11,759.03-23,517.70
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
UNITE CHANCE CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(1)
GCM31CD70G476ME02(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 47 F ± 4Vdc 20% X7T 125 AEC-Q200 47uF GCM31CD70G476ME02 - Product Image 1
GCM31CD70G476ME02(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 47 F ± 4Vdc 20% X7T 125 AEC-Q200 47uF GCM31CD70G476ME02 - Product Image 2
GCM31CD70G476ME02(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 47 F ± 4Vdc 20% X7T 125 AEC-Q200 47uF GCM31CD70G476ME02 - Product Image 3
GCM31CD70G476ME02(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 47 F ± 4Vdc 20% X7T 125 AEC-Q200 47uF GCM31CD70G476ME02 - Product Image 4
GCM31CD70G476ME02(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 47 F ± 4Vdc 20% X7T 125 AEC-Q200 47uF GCM31CD70G476ME02 - Product Image 5
GCM31CD70G476ME02(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 47 F ± 4Vdc 20% X7T 125 AEC-Q200 47uF GCM31CD70G476ME02 - Product Image 6

GCM31CD70G476ME02(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 47 F ± 4Vdc 20% X7T 125 AEC-Q200 47uF GCM31CD70G476ME02

฿6.85-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(575)
ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ ตัวเก็บประจุแบบติดบนพื้นผิว 47 ยูเอฟ รุ่น AEB476M2VS44B-F วัสดุอลูมิเนียม 47 ยูเอฟ 20% 350 โวลต์ แบบ SMD - Product Image 1
ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ ตัวเก็บประจุแบบติดบนพื้นผิว 47 ยูเอฟ รุ่น AEB476M2VS44B-F วัสดุอลูมิเนียม 47 ยูเอฟ 20% 350 โวลต์ แบบ SMD - Product Image 2
ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ ตัวเก็บประจุแบบติดบนพื้นผิว 47 ยูเอฟ รุ่น AEB476M2VS44B-F วัสดุอลูมิเนียม 47 ยูเอฟ 20% 350 โวลต์ แบบ SMD - Product Image 3
ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ ตัวเก็บประจุแบบติดบนพื้นผิว 47 ยูเอฟ รุ่น AEB476M2VS44B-F วัสดุอลูมิเนียม 47 ยูเอฟ 20% 350 โวลต์ แบบ SMD - Product Image 4
ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ ตัวเก็บประจุแบบติดบนพื้นผิว 47 ยูเอฟ รุ่น AEB476M2VS44B-F วัสดุอลูมิเนียม 47 ยูเอฟ 20% 350 โวลต์ แบบ SMD - Product Image 5
ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ ตัวเก็บประจุแบบติดบนพื้นผิว 47 ยูเอฟ รุ่น AEB476M2VS44B-F วัสดุอลูมิเนียม 47 ยูเอฟ 20% 350 โวลต์ แบบ SMD - Product Image 6

ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ ตัวเก็บประจุแบบติดบนพื้นผิว 47 ยูเอฟ รุ่น AEB476M2VS44B-F วัสดุอลูมิเนียม 47 ยูเอฟ 20% 350 โวลต์ แบบ SMD

฿21.91-43.47
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 100 ชิ้น
UNITE CHANCE CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(1)

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

bmw z8audi a3 2009มา ส ด้า cx8yaris 2010gtr 2020 nismoq5 tfsi eaudi s5 2017vw jetta 2014mitsubishi pajero sport 2010mercedes benz v classaudi tt roadsterbmw m850iaudi a5 sportback 2018ford mustang เปิด ประทุนmercedes s class w221 63 amgaventador svjaudi a6 s line 2016bmw 6 seriesbmw 730mitsubishi xpander cross ภายใน