All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

F 10

(มีสินค้า 999+ รายการ)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบมีฝาปิด10 pF 10PF C0G 50V/NP0 0402 0402 (1005เมตริก) UMK105 CG100FV-F - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบมีฝาปิด10 pF 10PF C0G 50V/NP0 0402 0402 (1005เมตริก) UMK105 CG100FV-F - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบมีฝาปิด10 pF 10PF C0G 50V/NP0 0402 0402 (1005เมตริก) UMK105 CG100FV-F - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบมีฝาปิด10 pF 10PF C0G 50V/NP0 0402 0402 (1005เมตริก) UMK105 CG100FV-F - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบมีฝาปิด10 pF 10PF C0G 50V/NP0 0402 0402 (1005เมตริก) UMK105 CG100FV-F - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบมีฝาปิด10 pF 10PF C0G 50V/NP0 0402 0402 (1005เมตริก) UMK105 CG100FV-F - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบมีฝาปิด10 pF 10PF C0G 50V/NP0 0402 0402 (1005เมตริก) UMK105 CG100FV-F

฿0.3439
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10,000 ชิ้น
KAILIYUAN TECHNOLOGY INTERNATIONAL CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(1)
GRT31CC80G226KE01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 22 F 4Vdc ±10% X6S 105 AEC-Q200 22uF GRT31CC80G226KE01 - Product Image 1
GRT31CC80G226KE01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 22 F 4Vdc ±10% X6S 105 AEC-Q200 22uF GRT31CC80G226KE01 - Product Image 2
GRT31CC80G226KE01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 22 F 4Vdc ±10% X6S 105 AEC-Q200 22uF GRT31CC80G226KE01 - Product Image 3
GRT31CC80G226KE01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 22 F 4Vdc ±10% X6S 105 AEC-Q200 22uF GRT31CC80G226KE01 - Product Image 4
GRT31CC80G226KE01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 22 F 4Vdc ±10% X6S 105 AEC-Q200 22uF GRT31CC80G226KE01 - Product Image 5
GRT31CC80G226KE01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 22 F 4Vdc ±10% X6S 105 AEC-Q200 22uF GRT31CC80G226KE01 - Product Image 6

GRT31CC80G226KE01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 22 F 4Vdc ±10% X6S 105 AEC-Q200 22uF GRT31CC80G226KE01

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)
GRT32DR60J226KE01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 22 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32DR60J226KE01 - Product Image 1
GRT32DR60J226KE01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 22 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32DR60J226KE01 - Product Image 2
GRT32DR60J226KE01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 22 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32DR60J226KE01 - Product Image 3
GRT32DR60J226KE01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 22 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32DR60J226KE01 - Product Image 4
GRT32DR60J226KE01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 22 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32DR60J226KE01 - Product Image 5
GRT32DR60J226KE01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 22 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32DR60J226KE01 - Product Image 6

GRT32DR60J226KE01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 22 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32DR60J226KE01

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)
GRM32ER60J226KA14 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 22 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 22uF GRM32ER60J226KA14 - Product Image 1
GRM32ER60J226KA14 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 22 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 22uF GRM32ER60J226KA14 - Product Image 2
GRM32ER60J226KA14 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 22 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 22uF GRM32ER60J226KA14 - Product Image 3
GRM32ER60J226KA14 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 22 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 22uF GRM32ER60J226KA14 - Product Image 4
GRM32ER60J226KA14 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 22 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 22uF GRM32ER60J226KA14 - Product Image 5
GRM32ER60J226KA14 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 22 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 22uF GRM32ER60J226KA14 - Product Image 6

GRM32ER60J226KA14 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 22 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 22uF GRM32ER60J226KA14

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)
ตัวเก็บประจุ10 UF 20% ตัวเก็บประจุ35V แบบยึดติดพื้นผิว AHA106M35C12B-F เดิม10 uF - Product Image 1
ตัวเก็บประจุ10 UF 20% ตัวเก็บประจุ35V แบบยึดติดพื้นผิว AHA106M35C12B-F เดิม10 uF - Product Image 2
ตัวเก็บประจุ10 UF 20% ตัวเก็บประจุ35V แบบยึดติดพื้นผิว AHA106M35C12B-F เดิม10 uF - Product Image 3
ตัวเก็บประจุ10 UF 20% ตัวเก็บประจุ35V แบบยึดติดพื้นผิว AHA106M35C12B-F เดิม10 uF - Product Image 4
ตัวเก็บประจุ10 UF 20% ตัวเก็บประจุ35V แบบยึดติดพื้นผิว AHA106M35C12B-F เดิม10 uF - Product Image 5
ตัวเก็บประจุ10 UF 20% ตัวเก็บประจุ35V แบบยึดติดพื้นผิว AHA106M35C12B-F เดิม10 uF - Product Image 6

ตัวเก็บประจุ10 UF 20% ตัวเก็บประจุ35V แบบยึดติดพื้นผิว AHA106M35C12B-F เดิม10 uF

฿13.41-26.48
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 100 ชิ้น
UNITE CHANCE CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(1)
GRJ32ER70J476KE11(ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 47 F 6.3Vdc ±10% X7R 125 47uF GRJ32ER70J476KE11 - Product Image 1
GRJ32ER70J476KE11(ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 47 F 6.3Vdc ±10% X7R 125 47uF GRJ32ER70J476KE11 - Product Image 2
GRJ32ER70J476KE11(ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 47 F 6.3Vdc ±10% X7R 125 47uF GRJ32ER70J476KE11 - Product Image 3
GRJ32ER70J476KE11(ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 47 F 6.3Vdc ±10% X7R 125 47uF GRJ32ER70J476KE11 - Product Image 4
GRJ32ER70J476KE11(ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 47 F 6.3Vdc ±10% X7R 125 47uF GRJ32ER70J476KE11 - Product Image 5
GRJ32ER70J476KE11(ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 47 F 6.3Vdc ±10% X7R 125 47uF GRJ32ER70J476KE11 - Product Image 6

GRJ32ER70J476KE11(ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 47 F 6.3Vdc ±10% X7R 125 47uF GRJ32ER70J476KE11

฿6.88-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)
ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ ตัวเก็บประจุแบบติดบนพื้นผิว CAP ALUM 10UF 20% 25V SMD 10 uF AFK106M25B12B-F - Product Image 1
ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ ตัวเก็บประจุแบบติดบนพื้นผิว CAP ALUM 10UF 20% 25V SMD 10 uF AFK106M25B12B-F - Product Image 2
ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ ตัวเก็บประจุแบบติดบนพื้นผิว CAP ALUM 10UF 20% 25V SMD 10 uF AFK106M25B12B-F - Product Image 3
ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ ตัวเก็บประจุแบบติดบนพื้นผิว CAP ALUM 10UF 20% 25V SMD 10 uF AFK106M25B12B-F - Product Image 4
ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ ตัวเก็บประจุแบบติดบนพื้นผิว CAP ALUM 10UF 20% 25V SMD 10 uF AFK106M25B12B-F - Product Image 5
ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ ตัวเก็บประจุแบบติดบนพื้นผิว CAP ALUM 10UF 20% 25V SMD 10 uF AFK106M25B12B-F - Product Image 6

ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ ตัวเก็บประจุแบบติดบนพื้นผิว CAP ALUM 10UF 20% 25V SMD 10 uF AFK106M25B12B-F

฿2.41-4.47
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1,000 ชิ้น
UNITE CHANCE CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(1)
ตัวเก็บประจุแบบติดผิวหน้า (Surface Mount Capacitor) ยี่ห้อ Manufacturer Channel รุ่น CAP ALUM 33UF 20% 10V SMD 33 uF AHA336M10C12B-F - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบติดผิวหน้า (Surface Mount Capacitor) ยี่ห้อ Manufacturer Channel รุ่น CAP ALUM 33UF 20% 10V SMD 33 uF AHA336M10C12B-F - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบติดผิวหน้า (Surface Mount Capacitor) ยี่ห้อ Manufacturer Channel รุ่น CAP ALUM 33UF 20% 10V SMD 33 uF AHA336M10C12B-F - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบติดผิวหน้า (Surface Mount Capacitor) ยี่ห้อ Manufacturer Channel รุ่น CAP ALUM 33UF 20% 10V SMD 33 uF AHA336M10C12B-F - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบติดผิวหน้า (Surface Mount Capacitor) ยี่ห้อ Manufacturer Channel รุ่น CAP ALUM 33UF 20% 10V SMD 33 uF AHA336M10C12B-F - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบติดผิวหน้า (Surface Mount Capacitor) ยี่ห้อ Manufacturer Channel รุ่น CAP ALUM 33UF 20% 10V SMD 33 uF AHA336M10C12B-F - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบติดผิวหน้า (Surface Mount Capacitor) ยี่ห้อ Manufacturer Channel รุ่น CAP ALUM 33UF 20% 10V SMD 33 uF AHA336M10C12B-F

฿13.41-26.48
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 100 ชิ้น
UNITE CHANCE CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(1)