All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

F 10

(มีสินค้า 999+ รายการ)

C3216X7R1E106M สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L1X7R1E106M160AC - Product Image 1
C3216X7R1E106M สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L1X7R1E106M160AC - Product Image 2
C3216X7R1E106M สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L1X7R1E106M160AC - Product Image 3
C3216X7R1E106M สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L1X7R1E106M160AC - Product Image 4
C3216X7R1E106M สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L1X7R1E106M160AC - Product Image 5
C3216X7R1E106M สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L1X7R1E106M160AC - Product Image 6

C3216X7R1E106M สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L1X7R1E106M160AC

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)
GCJ32ER91C106ME01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 10 F 16Vdc ±20% X8R 150 AEC-Q200 10uF GCJ32ER91C106ME01 - Product Image 1
GCJ32ER91C106ME01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 10 F 16Vdc ±20% X8R 150 AEC-Q200 10uF GCJ32ER91C106ME01 - Product Image 2
GCJ32ER91C106ME01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 10 F 16Vdc ±20% X8R 150 AEC-Q200 10uF GCJ32ER91C106ME01 - Product Image 3
GCJ32ER91C106ME01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 10 F 16Vdc ±20% X8R 150 AEC-Q200 10uF GCJ32ER91C106ME01 - Product Image 4
GCJ32ER91C106ME01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 10 F 16Vdc ±20% X8R 150 AEC-Q200 10uF GCJ32ER91C106ME01 - Product Image 5
GCJ32ER91C106ME01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 10 F 16Vdc ±20% X8R 150 AEC-Q200 10uF GCJ32ER91C106ME01 - Product Image 6

GCJ32ER91C106ME01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 10 F 16Vdc ±20% X8R 150 AEC-Q200 10uF GCJ32ER91C106ME01

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)
CKG57KX7S1H106M335JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 2220 10 F 50V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CKG57KX7S1H106M335JJ - Product Image 1
CKG57KX7S1H106M335JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 2220 10 F 50V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CKG57KX7S1H106M335JJ - Product Image 2
CKG57KX7S1H106M335JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 2220 10 F 50V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CKG57KX7S1H106M335JJ - Product Image 3
CKG57KX7S1H106M335JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 2220 10 F 50V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CKG57KX7S1H106M335JJ - Product Image 4
CKG57KX7S1H106M335JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 2220 10 F 50V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CKG57KX7S1H106M335JJ - Product Image 5
CKG57KX7S1H106M335JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 2220 10 F 50V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CKG57KX7S1H106M335JJ - Product Image 6

CKG57KX7S1H106M335JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 2220 10 F 50V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CKG57KX7S1H106M335JJ

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)
KCM55QR71H106KH01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 10 ฟิวส์ 50Vdc ±10% X7R 125 AEC-Q200 10uF KCM55QR71H106KH01 - Product Image 1
KCM55QR71H106KH01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 10 ฟิวส์ 50Vdc ±10% X7R 125 AEC-Q200 10uF KCM55QR71H106KH01 - Product Image 2
KCM55QR71H106KH01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 10 ฟิวส์ 50Vdc ±10% X7R 125 AEC-Q200 10uF KCM55QR71H106KH01 - Product Image 3
KCM55QR71H106KH01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 10 ฟิวส์ 50Vdc ±10% X7R 125 AEC-Q200 10uF KCM55QR71H106KH01 - Product Image 4
KCM55QR71H106KH01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 10 ฟิวส์ 50Vdc ±10% X7R 125 AEC-Q200 10uF KCM55QR71H106KH01 - Product Image 5
KCM55QR71H106KH01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 10 ฟิวส์ 50Vdc ±10% X7R 125 AEC-Q200 10uF KCM55QR71H106KH01 - Product Image 6

KCM55QR71H106KH01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 10 ฟิวส์ 50Vdc ±10% X7R 125 AEC-Q200 10uF KCM55QR71H106KH01

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)
C3216X5R1E106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 1206 10 F 25V ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L3X5R1E106K160AB - Product Image 1
C3216X5R1E106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 1206 10 F 25V ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L3X5R1E106K160AB - Product Image 2
C3216X5R1E106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 1206 10 F 25V ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L3X5R1E106K160AB - Product Image 3
C3216X5R1E106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 1206 10 F 25V ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L3X5R1E106K160AB - Product Image 4
C3216X5R1E106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 1206 10 F 25V ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L3X5R1E106K160AB - Product Image 5
C3216X5R1E106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 1206 10 F 25V ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L3X5R1E106K160AB - Product Image 6

C3216X5R1E106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 1206 10 F 25V ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L3X5R1E106K160AB

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)
GRM31CB31C106KA88 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±10% B 85 10uF GRM31CB31C106KA88 - Product Image 1
GRM31CB31C106KA88 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±10% B 85 10uF GRM31CB31C106KA88 - Product Image 2
GRM31CB31C106KA88 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±10% B 85 10uF GRM31CB31C106KA88 - Product Image 3
GRM31CB31C106KA88 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±10% B 85 10uF GRM31CB31C106KA88 - Product Image 4
GRM31CB31C106KA88 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±10% B 85 10uF GRM31CB31C106KA88 - Product Image 5
GRM31CB31C106KA88 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±10% B 85 10uF GRM31CB31C106KA88 - Product Image 6

GRM31CB31C106KA88 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±10% B 85 10uF GRM31CB31C106KA88

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)
GCM32DL81A106MA37 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1210 10 F 10Vdc ±20% X8L 150 AEC-Q200 10uF GCM32DL81A106MA37 - Product Image 1
GCM32DL81A106MA37 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1210 10 F 10Vdc ±20% X8L 150 AEC-Q200 10uF GCM32DL81A106MA37 - Product Image 2
GCM32DL81A106MA37 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1210 10 F 10Vdc ±20% X8L 150 AEC-Q200 10uF GCM32DL81A106MA37 - Product Image 3
GCM32DL81A106MA37 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1210 10 F 10Vdc ±20% X8L 150 AEC-Q200 10uF GCM32DL81A106MA37 - Product Image 4
GCM32DL81A106MA37 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1210 10 F 10Vdc ±20% X8L 150 AEC-Q200 10uF GCM32DL81A106MA37 - Product Image 5
GCM32DL81A106MA37 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1210 10 F 10Vdc ±20% X8L 150 AEC-Q200 10uF GCM32DL81A106MA37 - Product Image 6

GCM32DL81A106MA37 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1210 10 F 10Vdc ±20% X8L 150 AEC-Q200 10uF GCM32DL81A106MA37

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)
C3216X7R1E106K160AB (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 25V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF C3216X7R1E106K160AB - Product Image 1
C3216X7R1E106K160AB (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 25V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF C3216X7R1E106K160AB - Product Image 2
C3216X7R1E106K160AB (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 25V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF C3216X7R1E106K160AB - Product Image 3
C3216X7R1E106K160AB (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 25V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF C3216X7R1E106K160AB - Product Image 4
C3216X7R1E106K160AB (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 25V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF C3216X7R1E106K160AB - Product Image 5
C3216X7R1E106K160AB (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 25V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF C3216X7R1E106K160AB - Product Image 6

C3216X7R1E106K160AB (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 25V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF C3216X7R1E106K160AB

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)