All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

เป็น รู

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Snap-in รุ่น EKMQ401VSN681MA45S ชนิด Through hole (THT) ขนาด D35xL45 มม. 680uF 20% 400V 10 มม. - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Snap-in รุ่น EKMQ401VSN681MA45S ชนิด Through hole (THT) ขนาด D35xL45 มม. 680uF 20% 400V 10 มม. - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Snap-in รุ่น EKMQ401VSN681MA45S ชนิด Through hole (THT) ขนาด D35xL45 มม. 680uF 20% 400V 10 มม. - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Snap-in รุ่น EKMQ401VSN681MA45S ชนิด Through hole (THT) ขนาด D35xL45 มม. 680uF 20% 400V 10 มม. - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Snap-in รุ่น EKMQ401VSN681MA45S ชนิด Through hole (THT) ขนาด D35xL45 มม. 680uF 20% 400V 10 มม. - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Snap-in รุ่น EKMQ401VSN681MA45S ชนิด Through hole (THT) ขนาด D35xL45 มม. 680uF 20% 400V 10 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Snap-in รุ่น EKMQ401VSN681MA45S ชนิด Through hole (THT) ขนาด D35xL45 มม. 680uF 20% 400V 10 มม.

฿120.96-411.72
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (13)
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพรพิลีน C4AQNEW5330M3CJ (CBB) ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 37.5มม. 33UF 5% 1kV - Product Image 1
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพรพิลีน C4AQNEW5330M3CJ (CBB) ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 37.5มม. 33UF 5% 1kV - Product Image 2
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพรพิลีน C4AQNEW5330M3CJ (CBB) ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 37.5มม. 33UF 5% 1kV - Product Image 3
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพรพิลีน C4AQNEW5330M3CJ (CBB) ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 37.5มม. 33UF 5% 1kV - Product Image 4
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพรพิลีน C4AQNEW5330M3CJ (CBB) ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 37.5มม. 33UF 5% 1kV - Product Image 5
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพรพิลีน C4AQNEW5330M3CJ (CBB) ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 37.5มม. 33UF 5% 1kV - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพรพิลีน C4AQNEW5330M3CJ (CBB) ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 37.5มม. 33UF 5% 1kV

฿277.17-856.74
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (13)
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD1E225KC9BER1E100 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., ความจุ 2.2uF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 25V, รุ่น X7R - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD1E225KC9BER1E100 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., ความจุ 2.2uF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 25V, รุ่น X7R - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD1E225KC9BER1E100 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., ความจุ 2.2uF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 25V, รุ่น X7R - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD1E225KC9BER1E100 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., ความจุ 2.2uF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 25V, รุ่น X7R - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD1E225KC9BER1E100 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., ความจุ 2.2uF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 25V, รุ่น X7R - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD1E225KC9BER1E100 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., ความจุ 2.2uF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 25V, รุ่น X7R - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD1E225KC9BER1E100 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., ความจุ 2.2uF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 25V, รุ่น X7R

฿0.9703-4.53
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (13)
JBLE2331M010C080RLM 330UF 10V ตัวเก็บประจุแบบโซลิด ชนิด Through hole (THT), ขนาด D6.3xL8 มม. 20% 3.1A100KHz - Product Image 1
JBLE2331M010C080RLM 330UF 10V ตัวเก็บประจุแบบโซลิด ชนิด Through hole (THT), ขนาด D6.3xL8 มม. 20% 3.1A100KHz - Product Image 2
JBLE2331M010C080RLM 330UF 10V ตัวเก็บประจุแบบโซลิด ชนิด Through hole (THT), ขนาด D6.3xL8 มม. 20% 3.1A100KHz - Product Image 3
JBLE2331M010C080RLM 330UF 10V ตัวเก็บประจุแบบโซลิด ชนิด Through hole (THT), ขนาด D6.3xL8 มม. 20% 3.1A100KHz - Product Image 4
JBLE2331M010C080RLM 330UF 10V ตัวเก็บประจุแบบโซลิด ชนิด Through hole (THT), ขนาด D6.3xL8 มม. 20% 3.1A100KHz - Product Image 5
JBLE2331M010C080RLM 330UF 10V ตัวเก็บประจุแบบโซลิด ชนิด Through hole (THT), ขนาด D6.3xL8 มม. 20% 3.1A100KHz - Product Image 6

JBLE2331M010C080RLM 330UF 10V ตัวเก็บประจุแบบโซลิด ชนิด Through hole (THT), ขนาด D6.3xL8 มม. 20% 3.1A100KHz

฿2.59-11.00
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (13)
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805N300J500F3 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 30pF, 5%, 50V, C0G - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805N300J500F3 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 30pF, 5%, 50V, C0G - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805N300J500F3 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 30pF, 5%, 50V, C0G - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805N300J500F3 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 30pF, 5%, 50V, C0G - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805N300J500F3 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 30pF, 5%, 50V, C0G - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805N300J500F3 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 30pF, 5%, 50V, C0G - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805N300J500F3 แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 30pF, 5%, 50V, C0G

฿0.6469-3.24
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 20
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (13)
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-63V-0.1μF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 100nF, 5%, 63V - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-63V-0.1μF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 100nF, 5%, 63V - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-63V-0.1μF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 100nF, 5%, 63V - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-63V-0.1μF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 100nF, 5%, 63V - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-63V-0.1μF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 100nF, 5%, 63V - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-63V-0.1μF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 100nF, 5%, 63V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-63V-0.1μF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 100nF, 5%, 63V

฿3.24-12.94
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (13)
ตัวเก็บประจุแบบแข็ง PH101M050F090B000 แบบ Through Hole (THT), ขนาด D8xL9 มม. 100uF 20% 50V 2.2A 100kHz - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบแข็ง PH101M050F090B000 แบบ Through Hole (THT), ขนาด D8xL9 มม. 100uF 20% 50V 2.2A 100kHz - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบแข็ง PH101M050F090B000 แบบ Through Hole (THT), ขนาด D8xL9 มม. 100uF 20% 50V 2.2A 100kHz - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบแข็ง PH101M050F090B000 แบบ Through Hole (THT), ขนาด D8xL9 มม. 100uF 20% 50V 2.2A 100kHz - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบแข็ง PH101M050F090B000 แบบ Through Hole (THT), ขนาด D8xL9 มม. 100uF 20% 50V 2.2A 100kHz - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบแข็ง PH101M050F090B000 แบบ Through Hole (THT), ขนาด D8xL9 มม. 100uF 20% 50V 2.2A 100kHz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบแข็ง PH101M050F090B000 แบบ Through Hole (THT), ขนาด D8xL9 มม. 100uF 20% 50V 2.2A 100kHz

฿2.27-9.71
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (13)
ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Snap-in รุ่น LGU1J822MELC ชนิด Through-hole (THT) ขนาด D35xL45 มม. 8200uF 20% 63V 10 มม. - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Snap-in รุ่น LGU1J822MELC ชนิด Through-hole (THT) ขนาด D35xL45 มม. 8200uF 20% 63V 10 มม. - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Snap-in รุ่น LGU1J822MELC ชนิด Through-hole (THT) ขนาด D35xL45 มม. 8200uF 20% 63V 10 มม. - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Snap-in รุ่น LGU1J822MELC ชนิด Through-hole (THT) ขนาด D35xL45 มม. 8200uF 20% 63V 10 มม. - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Snap-in รุ่น LGU1J822MELC ชนิด Through-hole (THT) ขนาด D35xL45 มม. 8200uF 20% 63V 10 มม. - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Snap-in รุ่น LGU1J822MELC ชนิด Through-hole (THT) ขนาด D35xL45 มม. 8200uF 20% 63V 10 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Snap-in รุ่น LGU1J822MELC ชนิด Through-hole (THT) ขนาด D35xL45 มม. 8200uF 20% 63V 10 มม.

฿125.81-427.89
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (13)

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

ดอก สว่าน เจาะ ไม้ยาวดอก เจาะ ท่อ แอร์ดอก สว่าน เจาะ แก้วดอก สว่าน ตัด ไม้ดอก สว่าน 6.5ดอก สว่าน เจาะ ผนังดอก สว่าน เจาะ ไม้ วงกลมดอก เจาะ ปูน ท่อ แอร์ดอก สว่าน ขยายสว่าน แย็ ก ปูนดอก สว่าน ผ่า ไม้ดอก สว่าน ไขควง กระแทกดอก สว่าน เจาะ หินดอก สว่าน เจาะ เหล็ก โรตารี่ดอก สว่าน เจาะ กลมดอก สว่าน cobalt m35ดอก step drillดอก สว่าน 10mmดอก สว่าน ดี ที่สุดดอก สว่าน 8 มิ ล