All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

เค อา เดิม

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45-B035K105T รุ่น CASE-B-3528-19(มม.) ( ความจุ: 1uF ) ( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 35V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45-B035K105T รุ่น CASE-B-3528-19(มม.) ( ความจุ: 1uF ) ( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 35V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45-B035K105T รุ่น CASE-B-3528-19(มม.) ( ความจุ: 1uF ) ( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 35V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45-B035K105T รุ่น CASE-B-3528-19(มม.) ( ความจุ: 1uF ) ( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 35V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45-B035K105T รุ่น CASE-B-3528-19(มม.) ( ความจุ: 1uF ) ( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 35V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45-B035K105T รุ่น CASE-B-3528-19(มม.) ( ความจุ: 1uF ) ( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 35V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45-B035K105T รุ่น CASE-B-3528-19(มม.) ( ความจุ: 1uF ) ( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 35V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T520A226M006ATE090 CASE-A-3216-18(มม.) 22uF 20% 6.3V 90mOhm@100kHz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T520A226M006ATE090 CASE-A-3216-18(มม.) 22uF 20% 6.3V 90mOhm@100kHz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T520A226M006ATE090 CASE-A-3216-18(มม.) 22uF 20% 6.3V 90mOhm@100kHz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T520A226M006ATE090 CASE-A-3216-18(มม.) 22uF 20% 6.3V 90mOhm@100kHz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T520A226M006ATE090 CASE-A-3216-18(มม.) 22uF 20% 6.3V 90mOhm@100kHz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T520A226M006ATE090 CASE-A-3216-18(มม.) 22uF 20% 6.3V 90mOhm@100kHz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T520A226M006ATE090 CASE-A-3216-18(มม.) 22uF 20% 6.3V 90mOhm@100kHz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

TAJP226M006RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-P-2012-15(มม.) ( ความจุ: 22uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 1

TAJP226M006RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-P-2012-15(มม.) ( ความจุ: 22uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 2

TAJP226M006RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-P-2012-15(มม.) ( ความจุ: 22uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 3

TAJP226M006RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-P-2012-15(มม.) ( ความจุ: 22uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 4

TAJP226M006RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-P-2012-15(มม.) ( ความจุ: 22uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 5

TAJP226M006RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-P-2012-15(มม.) ( ความจุ: 22uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 6

TAJP226M006RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-P-2012-15(มม.) ( ความจุ: 22uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

ตัวเก็บประจุแบบชิป ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-D4_7343 2R5TPE1000MF - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบชิป ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-D4_7343 2R5TPE1000MF - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบชิป ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-D4_7343 2R5TPE1000MF - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบชิป ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-D4_7343 2R5TPE1000MF - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบชิป ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-D4_7343 2R5TPE1000MF - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบชิป ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-D4_7343 2R5TPE1000MF - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบชิป ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-D4_7343 2R5TPE1000MF

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ตัวเก็บประจุแบบชิป ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-D4_7343 2R5TPE1000MF - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบชิป ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-D4_7343 2R5TPE1000MF - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบชิป ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-D4_7343 2R5TPE1000MF - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบชิป ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-D4_7343 2R5TPE1000MF - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบชิป ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-D4_7343 2R5TPE1000MF - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบชิป ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-D4_7343 2R5TPE1000MF - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบชิป ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-D4_7343 2R5TPE1000MF

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ใหม่สำหรับเดลล์ โปร 14 PC14250 เคสด้านล่างตัวอักษรตัวพิมพ์เล็ก GPR8R 0GPR8R - Product Image 1

ใหม่สำหรับเดลล์ โปร 14 PC14250 เคสด้านล่างตัวอักษรตัวพิมพ์เล็ก GPR8R 0GPR8R - Product Image 2

ใหม่สำหรับเดลล์ โปร 14 PC14250 เคสด้านล่างตัวอักษรตัวพิมพ์เล็ก GPR8R 0GPR8R - Product Image 3

ใหม่สำหรับเดลล์ โปร 14 PC14250 เคสด้านล่างตัวอักษรตัวพิมพ์เล็ก GPR8R 0GPR8R - Product Image 4

ใหม่สำหรับเดลล์ โปร 14 PC14250 เคสด้านล่างตัวอักษรตัวพิมพ์เล็ก GPR8R 0GPR8R

฿824.07-989.55

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 2 ชิ้น

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45-B6R3K107T รุ่น CASE-B-3528-19(มม.) ( ความจุ: 100uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45-B6R3K107T รุ่น CASE-B-3528-19(มม.) ( ความจุ: 100uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45-B6R3K107T รุ่น CASE-B-3528-19(มม.) ( ความจุ: 100uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45-B6R3K107T รุ่น CASE-B-3528-19(มม.) ( ความจุ: 100uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45-B6R3K107T รุ่น CASE-B-3528-19(มม.) ( ความจุ: 100uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45-B6R3K107T รุ่น CASE-B-3528-19(มม.) ( ความจุ: 100uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CA45-B6R3K107T รุ่น CASE-B-3528-19(มม.) ( ความจุ: 100uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

กล่องวงจรพิมพ์ MCCB XT4N250 ls/i 250 3P สามารถทำลาย800A ได้25KA 690V Smart TRIP Unit 50/60Hz 1SDA068126R1 - Product Image 1

กล่องวงจรพิมพ์ MCCB XT4N250 ls/i 250 3P สามารถทำลาย800A ได้25KA 690V Smart TRIP Unit 50/60Hz 1SDA068126R1 - Product Image 2

กล่องวงจรพิมพ์ MCCB XT4N250 ls/i 250 3P สามารถทำลาย800A ได้25KA 690V Smart TRIP Unit 50/60Hz 1SDA068126R1 - Product Image 3

กล่องวงจรพิมพ์ MCCB XT4N250 ls/i 250 3P สามารถทำลาย800A ได้25KA 690V Smart TRIP Unit 50/60Hz 1SDA068126R1 - Product Image 4

กล่องวงจรพิมพ์ MCCB XT4N250 ls/i 250 3P สามารถทำลาย800A ได้25KA 690V Smart TRIP Unit 50/60Hz 1SDA068126R1 - Product Image 5

กล่องวงจรพิมพ์ MCCB XT4N250 ls/i 250 3P สามารถทำลาย800A ได้25KA 690V Smart TRIP Unit 50/60Hz 1SDA068126R1 - Product Image 6

กล่องวงจรพิมพ์ MCCB XT4N250 ls/i 250 3P สามารถทำลาย800A ได้25KA 690V Smart TRIP Unit 50/60Hz 1SDA068126R1

฿15,885.69-16,547.59

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น