All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Chy

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

GCM32ED70J476KE02 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 47 F 6.3Vdc ±10% X7T 125 AEC-Q200 47uF GCM32ED70J476KE02 - Product Image 1
GCM32ED70J476KE02 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 47 F 6.3Vdc ±10% X7T 125 AEC-Q200 47uF GCM32ED70J476KE02 - Product Image 2
GCM32ED70J476KE02 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 47 F 6.3Vdc ±10% X7T 125 AEC-Q200 47uF GCM32ED70J476KE02 - Product Image 3
GCM32ED70J476KE02 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 47 F 6.3Vdc ±10% X7T 125 AEC-Q200 47uF GCM32ED70J476KE02 - Product Image 4
GCM32ED70J476KE02 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 47 F 6.3Vdc ±10% X7T 125 AEC-Q200 47uF GCM32ED70J476KE02 - Product Image 5
GCM32ED70J476KE02 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 47 F 6.3Vdc ±10% X7T 125 AEC-Q200 47uF GCM32ED70J476KE02 - Product Image 6

GCM32ED70J476KE02 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 47 F 6.3Vdc ±10% X7T 125 AEC-Q200 47uF GCM32ED70J476KE02

฿6.53-65.30
MOQ: 1
GCM32EC71A476KE02 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ CHY Electronics) 1210 47 F 10Vdc ±10% X7S 125 AEC-Q200 47uF GCM32EC71A476KE02 - Product Image 1
GCM32EC71A476KE02 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ CHY Electronics) 1210 47 F 10Vdc ±10% X7S 125 AEC-Q200 47uF GCM32EC71A476KE02 - Product Image 2
GCM32EC71A476KE02 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ CHY Electronics) 1210 47 F 10Vdc ±10% X7S 125 AEC-Q200 47uF GCM32EC71A476KE02 - Product Image 3
GCM32EC71A476KE02 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ CHY Electronics) 1210 47 F 10Vdc ±10% X7S 125 AEC-Q200 47uF GCM32EC71A476KE02 - Product Image 4
GCM32EC71A476KE02 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ CHY Electronics) 1210 47 F 10Vdc ±10% X7S 125 AEC-Q200 47uF GCM32EC71A476KE02 - Product Image 5
GCM32EC71A476KE02 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ CHY Electronics) 1210 47 F 10Vdc ±10% X7S 125 AEC-Q200 47uF GCM32EC71A476KE02 - Product Image 6

GCM32EC71A476KE02 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ CHY Electronics) 1210 47 F 10Vdc ±10% X7S 125 AEC-Q200 47uF GCM32EC71A476KE02

฿6.53-65.30
MOQ: 1
GRM32ER71A476ME15 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 47 F 10Vdc ±20% X7R 125 47uF GRM32ER71A476ME15 - Product Image 1
GRM32ER71A476ME15 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 47 F 10Vdc ±20% X7R 125 47uF GRM32ER71A476ME15 - Product Image 2
GRM32ER71A476ME15 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 47 F 10Vdc ±20% X7R 125 47uF GRM32ER71A476ME15 - Product Image 3
GRM32ER71A476ME15 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 47 F 10Vdc ±20% X7R 125 47uF GRM32ER71A476ME15 - Product Image 4
GRM32ER71A476ME15 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 47 F 10Vdc ±20% X7R 125 47uF GRM32ER71A476ME15 - Product Image 5
GRM32ER71A476ME15 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 47 F 10Vdc ±20% X7R 125 47uF GRM32ER71A476ME15 - Product Image 6

GRM32ER71A476ME15 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 47 F 10Vdc ±20% X7R 125 47uF GRM32ER71A476ME15

฿6.53-65.30
MOQ: 1
GRM32ER60E337ME05(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 1210 330 F ± 2.5Vdc 20% X5R GRM32ER60E337ME05 85 330uF - Product Image 1
GRM32ER60E337ME05(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 1210 330 F ± 2.5Vdc 20% X5R GRM32ER60E337ME05 85 330uF - Product Image 2
GRM32ER60E337ME05(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 1210 330 F ± 2.5Vdc 20% X5R GRM32ER60E337ME05 85 330uF - Product Image 3
GRM32ER60E337ME05(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 1210 330 F ± 2.5Vdc 20% X5R GRM32ER60E337ME05 85 330uF - Product Image 4
GRM32ER60E337ME05(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 1210 330 F ± 2.5Vdc 20% X5R GRM32ER60E337ME05 85 330uF - Product Image 5
GRM32ER60E337ME05(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 1210 330 F ± 2.5Vdc 20% X5R GRM32ER60E337ME05 85 330uF - Product Image 6

GRM32ER60E337ME05(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 1210 330 F ± 2.5Vdc 20% X5R GRM32ER60E337ME05 85 330uF

฿16.33-65.30
MOQ: 1
GRM32ED71A476KE15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 47 F ± 10Vdc 10% X7T 125 47uF GRM32ED71A476KE15 - Product Image 1
GRM32ED71A476KE15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 47 F ± 10Vdc 10% X7T 125 47uF GRM32ED71A476KE15 - Product Image 2
GRM32ED71A476KE15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 47 F ± 10Vdc 10% X7T 125 47uF GRM32ED71A476KE15 - Product Image 3
GRM32ED71A476KE15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 47 F ± 10Vdc 10% X7T 125 47uF GRM32ED71A476KE15 - Product Image 4
GRM32ED71A476KE15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 47 F ± 10Vdc 10% X7T 125 47uF GRM32ED71A476KE15 - Product Image 5
GRM32ED71A476KE15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 47 F ± 10Vdc 10% X7T 125 47uF GRM32ED71A476KE15 - Product Image 6

GRM32ED71A476KE15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 47 F ± 10Vdc 10% X7T 125 47uF GRM32ED71A476KE15

฿16.33-65.30
MOQ: 1
GRM219D80E476ME44(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0805 47 F ± 2.5Vdc 20% X6T 105 47uF GRM219D80E476ME44 - Product Image 1
GRM219D80E476ME44(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0805 47 F ± 2.5Vdc 20% X6T 105 47uF GRM219D80E476ME44 - Product Image 2
GRM219D80E476ME44(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0805 47 F ± 2.5Vdc 20% X6T 105 47uF GRM219D80E476ME44 - Product Image 3
GRM219D80E476ME44(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0805 47 F ± 2.5Vdc 20% X6T 105 47uF GRM219D80E476ME44 - Product Image 4
GRM219D80E476ME44(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0805 47 F ± 2.5Vdc 20% X6T 105 47uF GRM219D80E476ME44 - Product Image 5
GRM219D80E476ME44(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0805 47 F ± 2.5Vdc 20% X6T 105 47uF GRM219D80E476ME44 - Product Image 6

GRM219D80E476ME44(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0805 47 F ± 2.5Vdc 20% X6T 105 47uF GRM219D80E476ME44

฿16.33-65.30
MOQ: 1
GRM188C80G476ME01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 47 F ± 4Vdc 20% X6S 105 47uF GRM188C80G476ME01 - Product Image 1
GRM188C80G476ME01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 47 F ± 4Vdc 20% X6S 105 47uF GRM188C80G476ME01 - Product Image 2
GRM188C80G476ME01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 47 F ± 4Vdc 20% X6S 105 47uF GRM188C80G476ME01 - Product Image 3
GRM188C80G476ME01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 47 F ± 4Vdc 20% X6S 105 47uF GRM188C80G476ME01 - Product Image 4
GRM188C80G476ME01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 47 F ± 4Vdc 20% X6S 105 47uF GRM188C80G476ME01 - Product Image 5
GRM188C80G476ME01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 47 F ± 4Vdc 20% X6S 105 47uF GRM188C80G476ME01 - Product Image 6

GRM188C80G476ME01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 47 F ± 4Vdc 20% X6S 105 47uF GRM188C80G476ME01

฿16.33-65.30
MOQ: 1
ZRA21MC80J106KE11ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY SMD MLCC) 10 F 6.3Vdc ± 10% X6S 105 10uF ZRA21MC80J106KE11 - Product Image 1
ZRA21MC80J106KE11ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY SMD MLCC) 10 F 6.3Vdc ± 10% X6S 105 10uF ZRA21MC80J106KE11 - Product Image 2
ZRA21MC80J106KE11ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY SMD MLCC) 10 F 6.3Vdc ± 10% X6S 105 10uF ZRA21MC80J106KE11 - Product Image 3
ZRA21MC80J106KE11ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY SMD MLCC) 10 F 6.3Vdc ± 10% X6S 105 10uF ZRA21MC80J106KE11 - Product Image 4
ZRA21MC80J106KE11ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY SMD MLCC) 10 F 6.3Vdc ± 10% X6S 105 10uF ZRA21MC80J106KE11 - Product Image 5
ZRA21MC80J106KE11ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY SMD MLCC) 10 F 6.3Vdc ± 10% X6S 105 10uF ZRA21MC80J106KE11 - Product Image 6

ZRA21MC80J106KE11ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY SMD MLCC) 10 F 6.3Vdc ± 10% X6S 105 10uF ZRA21MC80J106KE11

฿16.33-65.30
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

ykbishomyightybinyshiatsuysyyyycieokihuearyikkiawyzhouayahaliyahgiayyy