All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Chy

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

GRM31CC80G227ME11(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 220 F ± 4Vdc 20% X6S 105 220uF GRM31CC80G227ME11 - Product Image 1
GRM31CC80G227ME11(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 220 F ± 4Vdc 20% X6S 105 220uF GRM31CC80G227ME11 - Product Image 2
GRM31CC80G227ME11(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 220 F ± 4Vdc 20% X6S 105 220uF GRM31CC80G227ME11 - Product Image 3
GRM31CC80G227ME11(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 220 F ± 4Vdc 20% X6S 105 220uF GRM31CC80G227ME11 - Product Image 4
GRM31CC80G227ME11(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 220 F ± 4Vdc 20% X6S 105 220uF GRM31CC80G227ME11 - Product Image 5
GRM31CC80G227ME11(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 220 F ± 4Vdc 20% X6S 105 220uF GRM31CC80G227ME11 - Product Image 6

GRM31CC80G227ME11(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 220 F ± 4Vdc 20% X6S 105 220uF GRM31CC80G227ME11

฿16.37-65.46
MOQ: 1
GRJ31CR71C106ME11 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% X7R 125 10uF GRJ31CR71C106ME11 - Product Image 1
GRJ31CR71C106ME11 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% X7R 125 10uF GRJ31CR71C106ME11 - Product Image 2
GRJ31CR71C106ME11 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% X7R 125 10uF GRJ31CR71C106ME11 - Product Image 3
GRJ31CR71C106ME11 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% X7R 125 10uF GRJ31CR71C106ME11 - Product Image 4
GRJ31CR71C106ME11 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% X7R 125 10uF GRJ31CR71C106ME11 - Product Image 5
GRJ31CR71C106ME11 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% X7R 125 10uF GRJ31CR71C106ME11 - Product Image 6

GRJ31CR71C106ME11 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% X7R 125 10uF GRJ31CR71C106ME11

฿16.37-65.46
MOQ: 1
GRM31CB3YA106MA12(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 35Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB3YA106MA12 - Product Image 1
GRM31CB3YA106MA12(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 35Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB3YA106MA12 - Product Image 2
GRM31CB3YA106MA12(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 35Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB3YA106MA12 - Product Image 3
GRM31CB3YA106MA12(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 35Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB3YA106MA12 - Product Image 4
GRM31CB3YA106MA12(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 35Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB3YA106MA12 - Product Image 5
GRM31CB3YA106MA12(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 35Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB3YA106MA12 - Product Image 6

GRM31CB3YA106MA12(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 35Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB3YA106MA12

฿16.37-65.46
MOQ: 1
GRM31CB11A106KC01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 10 F 10Vdc ± 10% B 85 10uF GRM31CB11A106KC01 - Product Image 1
GRM31CB11A106KC01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 10 F 10Vdc ± 10% B 85 10uF GRM31CB11A106KC01 - Product Image 2
GRM31CB11A106KC01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 10 F 10Vdc ± 10% B 85 10uF GRM31CB11A106KC01 - Product Image 3
GRM31CB11A106KC01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 10 F 10Vdc ± 10% B 85 10uF GRM31CB11A106KC01 - Product Image 4
GRM31CB11A106KC01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 10 F 10Vdc ± 10% B 85 10uF GRM31CB11A106KC01 - Product Image 5
GRM31CB11A106KC01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 10 F 10Vdc ± 10% B 85 10uF GRM31CB11A106KC01 - Product Image 6

GRM31CB11A106KC01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 10 F 10Vdc ± 10% B 85 10uF GRM31CB11A106KC01

฿16.37-65.46
MOQ: 1
ZRB15XR61A106ME01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0402 10 F 10Vdc ±20% X5R 85 10uF ZRB15XR61A106ME01 - Product Image 1
ZRB15XR61A106ME01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0402 10 F 10Vdc ±20% X5R 85 10uF ZRB15XR61A106ME01 - Product Image 2
ZRB15XR61A106ME01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0402 10 F 10Vdc ±20% X5R 85 10uF ZRB15XR61A106ME01 - Product Image 3
ZRB15XR61A106ME01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0402 10 F 10Vdc ±20% X5R 85 10uF ZRB15XR61A106ME01 - Product Image 4
ZRB15XR61A106ME01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0402 10 F 10Vdc ±20% X5R 85 10uF ZRB15XR61A106ME01 - Product Image 5
ZRB15XR61A106ME01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0402 10 F 10Vdc ±20% X5R 85 10uF ZRB15XR61A106ME01 - Product Image 6

ZRB15XR61A106ME01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0402 10 F 10Vdc ±20% X5R 85 10uF ZRB15XR61A106ME01

฿16.37-65.46
MOQ: 1
ZRA21MR61C226ME11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 22 F 16Vdc ± 20% X5R 85 22uF ZRA21MR61C226ME11 - Product Image 1
ZRA21MR61C226ME11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 22 F 16Vdc ± 20% X5R 85 22uF ZRA21MR61C226ME11 - Product Image 2
ZRA21MR61C226ME11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 22 F 16Vdc ± 20% X5R 85 22uF ZRA21MR61C226ME11 - Product Image 3
ZRA21MR61C226ME11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 22 F 16Vdc ± 20% X5R 85 22uF ZRA21MR61C226ME11 - Product Image 4
ZRA21MR61C226ME11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 22 F 16Vdc ± 20% X5R 85 22uF ZRA21MR61C226ME11 - Product Image 5
ZRA21MR61C226ME11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 22 F 16Vdc ± 20% X5R 85 22uF ZRA21MR61C226ME11 - Product Image 6

ZRA21MR61C226ME11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 22 F 16Vdc ± 20% X5R 85 22uF ZRA21MR61C226ME11

฿16.37-65.46
MOQ: 1
NFMJMPL226D0E5(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 22 F 2.5Vdc ±20% 105 22uF NFMJMPL226D0E5 - Product Image 1
NFMJMPL226D0E5(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 22 F 2.5Vdc ±20% 105 22uF NFMJMPL226D0E5 - Product Image 2
NFMJMPL226D0E5(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 22 F 2.5Vdc ±20% 105 22uF NFMJMPL226D0E5 - Product Image 3
NFMJMPL226D0E5(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 22 F 2.5Vdc ±20% 105 22uF NFMJMPL226D0E5 - Product Image 4
NFMJMPL226D0E5(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 22 F 2.5Vdc ±20% 105 22uF NFMJMPL226D0E5 - Product Image 5
NFMJMPL226D0E5(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 22 F 2.5Vdc ±20% 105 22uF NFMJMPL226D0E5 - Product Image 6

NFMJMPL226D0E5(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 22 F 2.5Vdc ±20% 105 22uF NFMJMPL226D0E5

฿16.37-65.46
MOQ: 1
KRM55QR71H176KH01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกที่มีความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 17 F 50Vdc ± 10% X7R 125 17uF KRM55QR71H176KH01 - Product Image 1
KRM55QR71H176KH01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกที่มีความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 17 F 50Vdc ± 10% X7R 125 17uF KRM55QR71H176KH01 - Product Image 2
KRM55QR71H176KH01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกที่มีความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 17 F 50Vdc ± 10% X7R 125 17uF KRM55QR71H176KH01 - Product Image 3
KRM55QR71H176KH01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกที่มีความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 17 F 50Vdc ± 10% X7R 125 17uF KRM55QR71H176KH01 - Product Image 4
KRM55QR71H176KH01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกที่มีความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 17 F 50Vdc ± 10% X7R 125 17uF KRM55QR71H176KH01 - Product Image 5
KRM55QR71H176KH01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกที่มีความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 17 F 50Vdc ± 10% X7R 125 17uF KRM55QR71H176KH01 - Product Image 6

KRM55QR71H176KH01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกที่มีความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 17 F 50Vdc ± 10% X7R 125 17uF KRM55QR71H176KH01

฿16.37-65.46
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

ykbishomyightybinyshiatsuysyyyycieokihuearyikkiawyzhouayahaliyahgiayyy