All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Chy

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

GCJ32ER70J476KE01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 47 F 6.3Vdc ±10% X7R 125 AEC-Q200 47uF GCJ32ER70J476KE01 - Product Image 1
GCJ32ER70J476KE01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 47 F 6.3Vdc ±10% X7R 125 AEC-Q200 47uF GCJ32ER70J476KE01 - Product Image 2
GCJ32ER70J476KE01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 47 F 6.3Vdc ±10% X7R 125 AEC-Q200 47uF GCJ32ER70J476KE01 - Product Image 3
GCJ32ER70J476KE01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 47 F 6.3Vdc ±10% X7R 125 AEC-Q200 47uF GCJ32ER70J476KE01 - Product Image 4
GCJ32ER70J476KE01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 47 F 6.3Vdc ±10% X7R 125 AEC-Q200 47uF GCJ32ER70J476KE01 - Product Image 5
GCJ32ER70J476KE01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 47 F 6.3Vdc ±10% X7R 125 AEC-Q200 47uF GCJ32ER70J476KE01 - Product Image 6

GCJ32ER70J476KE01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 47 F 6.3Vdc ±10% X7R 125 AEC-Q200 47uF GCJ32ER70J476KE01

฿6.51-65.10
MOQ: 1
GRM31CD80G107MEA8(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 100 F ± 4Vdc 20% X6T 105 100uF GRM31CD80G107MEA8 - Product Image 1
GRM31CD80G107MEA8(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 100 F ± 4Vdc 20% X6T 105 100uF GRM31CD80G107MEA8 - Product Image 2
GRM31CD80G107MEA8(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 100 F ± 4Vdc 20% X6T 105 100uF GRM31CD80G107MEA8 - Product Image 3
GRM31CD80G107MEA8(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 100 F ± 4Vdc 20% X6T 105 100uF GRM31CD80G107MEA8 - Product Image 4
GRM31CD80G107MEA8(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 100 F ± 4Vdc 20% X6T 105 100uF GRM31CD80G107MEA8 - Product Image 5
GRM31CD80G107MEA8(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 100 F ± 4Vdc 20% X6T 105 100uF GRM31CD80G107MEA8 - Product Image 6

GRM31CD80G107MEA8(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 100 F ± 4Vdc 20% X6T 105 100uF GRM31CD80G107MEA8

฿16.28-65.10
MOQ: 1
GCM32ED70E107ME36 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 100 F 2.5Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 100uF GCM32ED70E107ME36 - Product Image 1
GCM32ED70E107ME36 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 100 F 2.5Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 100uF GCM32ED70E107ME36 - Product Image 2
GCM32ED70E107ME36 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 100 F 2.5Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 100uF GCM32ED70E107ME36 - Product Image 3
GCM32ED70E107ME36 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 100 F 2.5Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 100uF GCM32ED70E107ME36 - Product Image 4
GCM32ED70E107ME36 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 100 F 2.5Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 100uF GCM32ED70E107ME36 - Product Image 5
GCM32ED70E107ME36 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 100 F 2.5Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 100uF GCM32ED70E107ME36 - Product Image 6

GCM32ED70E107ME36 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 100 F 2.5Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 100uF GCM32ED70E107ME36

฿6.51-65.10
MOQ: 1
GRM158C80E476ME01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0402 47 F ± 2.5Vdc 20% X6S 105 47uF GRM158C80E476ME01 - Product Image 1
GRM158C80E476ME01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0402 47 F ± 2.5Vdc 20% X6S 105 47uF GRM158C80E476ME01 - Product Image 2
GRM158C80E476ME01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0402 47 F ± 2.5Vdc 20% X6S 105 47uF GRM158C80E476ME01 - Product Image 3
GRM158C80E476ME01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0402 47 F ± 2.5Vdc 20% X6S 105 47uF GRM158C80E476ME01 - Product Image 4
GRM158C80E476ME01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0402 47 F ± 2.5Vdc 20% X6S 105 47uF GRM158C80E476ME01 - Product Image 5
GRM158C80E476ME01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0402 47 F ± 2.5Vdc 20% X6S 105 47uF GRM158C80E476ME01 - Product Image 6

GRM158C80E476ME01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0402 47 F ± 2.5Vdc 20% X6S 105 47uF GRM158C80E476ME01

฿16.28-65.10
MOQ: 1
GRM55ER11E156KA01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 2220 15 F 25Vdc ± 10% R 125 15uF GRM55ER11E156KA01 - Product Image 1
GRM55ER11E156KA01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 2220 15 F 25Vdc ± 10% R 125 15uF GRM55ER11E156KA01 - Product Image 2
GRM55ER11E156KA01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 2220 15 F 25Vdc ± 10% R 125 15uF GRM55ER11E156KA01 - Product Image 3
GRM55ER11E156KA01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 2220 15 F 25Vdc ± 10% R 125 15uF GRM55ER11E156KA01 - Product Image 4
GRM55ER11E156KA01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 2220 15 F 25Vdc ± 10% R 125 15uF GRM55ER11E156KA01 - Product Image 5
GRM55ER11E156KA01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 2220 15 F 25Vdc ± 10% R 125 15uF GRM55ER11E156KA01 - Product Image 6

GRM55ER11E156KA01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 2220 15 F 25Vdc ± 10% R 125 15uF GRM55ER11E156KA01

฿16.28-65.10
MOQ: 1
GRM43EB11C226ME01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1812 22 F ± 16Vdc 20% B 85 22uF GRM43EB11C226ME01 - Product Image 1
GRM43EB11C226ME01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1812 22 F ± 16Vdc 20% B 85 22uF GRM43EB11C226ME01 - Product Image 2
GRM43EB11C226ME01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1812 22 F ± 16Vdc 20% B 85 22uF GRM43EB11C226ME01 - Product Image 3
GRM43EB11C226ME01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1812 22 F ± 16Vdc 20% B 85 22uF GRM43EB11C226ME01 - Product Image 4
GRM43EB11C226ME01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1812 22 F ± 16Vdc 20% B 85 22uF GRM43EB11C226ME01 - Product Image 5
GRM43EB11C226ME01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1812 22 F ± 16Vdc 20% B 85 22uF GRM43EB11C226ME01 - Product Image 6

GRM43EB11C226ME01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1812 22 F ± 16Vdc 20% B 85 22uF GRM43EB11C226ME01

฿16.28-65.10
MOQ: 1
GRM32NC81A226KE19 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 22 F 10Vdc ±10% X6S 105 22uF GRM32NC81A226KE19 - Product Image 1
GRM32NC81A226KE19 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 22 F 10Vdc ±10% X6S 105 22uF GRM32NC81A226KE19 - Product Image 2
GRM32NC81A226KE19 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 22 F 10Vdc ±10% X6S 105 22uF GRM32NC81A226KE19 - Product Image 3
GRM32NC81A226KE19 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 22 F 10Vdc ±10% X6S 105 22uF GRM32NC81A226KE19 - Product Image 4
GRM32NC81A226KE19 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 22 F 10Vdc ±10% X6S 105 22uF GRM32NC81A226KE19 - Product Image 5
GRM32NC81A226KE19 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 22 F 10Vdc ±10% X6S 105 22uF GRM32NC81A226KE19 - Product Image 6

GRM32NC81A226KE19 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 22 F 10Vdc ±10% X6S 105 22uF GRM32NC81A226KE19

฿16.28-65.10
MOQ: 1
GRM31CR70J106KA01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1206 10 F 6.3Vdc ± 10% X7R 125 GRM31CR70J106KA01 10uF - Product Image 1
GRM31CR70J106KA01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1206 10 F 6.3Vdc ± 10% X7R 125 GRM31CR70J106KA01 10uF - Product Image 2
GRM31CR70J106KA01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1206 10 F 6.3Vdc ± 10% X7R 125 GRM31CR70J106KA01 10uF - Product Image 3
GRM31CR70J106KA01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1206 10 F 6.3Vdc ± 10% X7R 125 GRM31CR70J106KA01 10uF - Product Image 4
GRM31CR70J106KA01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1206 10 F 6.3Vdc ± 10% X7R 125 GRM31CR70J106KA01 10uF - Product Image 5
GRM31CR70J106KA01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1206 10 F 6.3Vdc ± 10% X7R 125 GRM31CR70J106KA01 10uF - Product Image 6

GRM31CR70J106KA01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1206 10 F 6.3Vdc ± 10% X7R 125 GRM31CR70J106KA01 10uF

฿16.28-65.10
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

ykbishomyightybinyshiatsuysyyyycieokihuearyikkiawyzhouayahaliyahgiayyy