All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Chy

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

GRT31CC80G476ME01(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1206 47 F 4Vdc ±20% X6S 105 AEC-Q200 47uF GRT31CC80G476ME01 - Product Image 1
GRT31CC80G476ME01(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1206 47 F 4Vdc ±20% X6S 105 AEC-Q200 47uF GRT31CC80G476ME01 - Product Image 2
GRT31CC80G476ME01(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1206 47 F 4Vdc ±20% X6S 105 AEC-Q200 47uF GRT31CC80G476ME01 - Product Image 3
GRT31CC80G476ME01(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1206 47 F 4Vdc ±20% X6S 105 AEC-Q200 47uF GRT31CC80G476ME01 - Product Image 4
GRT31CC80G476ME01(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1206 47 F 4Vdc ±20% X6S 105 AEC-Q200 47uF GRT31CC80G476ME01 - Product Image 5
GRT31CC80G476ME01(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1206 47 F 4Vdc ±20% X6S 105 AEC-Q200 47uF GRT31CC80G476ME01 - Product Image 6

GRT31CC80G476ME01(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1206 47 F 4Vdc ±20% X6S 105 AEC-Q200 47uF GRT31CC80G476ME01

฿6.53-65.26
MOQ: 1
GRM32EB31C476KE15 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 47 F 16Vdc ±10% B 85 47uF GRM32EB31C476KE15 - Product Image 1
GRM32EB31C476KE15 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 47 F 16Vdc ±10% B 85 47uF GRM32EB31C476KE15 - Product Image 2
GRM32EB31C476KE15 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 47 F 16Vdc ±10% B 85 47uF GRM32EB31C476KE15 - Product Image 3
GRM32EB31C476KE15 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 47 F 16Vdc ±10% B 85 47uF GRM32EB31C476KE15 - Product Image 4
GRM32EB31C476KE15 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 47 F 16Vdc ±10% B 85 47uF GRM32EB31C476KE15 - Product Image 5
GRM32EB31C476KE15 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 47 F 16Vdc ±10% B 85 47uF GRM32EB31C476KE15 - Product Image 6

GRM32EB31C476KE15 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 47 F 16Vdc ±10% B 85 47uF GRM32EB31C476KE15

฿6.53-65.26
MOQ: 1
GRM31CB31A476ME15 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 47 F 10Vdc ±20% B 85 47uF GRM31CB31A476ME15 - Product Image 1
GRM31CB31A476ME15 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 47 F 10Vdc ±20% B 85 47uF GRM31CB31A476ME15 - Product Image 2
GRM31CB31A476ME15 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 47 F 10Vdc ±20% B 85 47uF GRM31CB31A476ME15 - Product Image 3
GRM31CB31A476ME15 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 47 F 10Vdc ±20% B 85 47uF GRM31CB31A476ME15 - Product Image 4
GRM31CB31A476ME15 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 47 F 10Vdc ±20% B 85 47uF GRM31CB31A476ME15 - Product Image 5
GRM31CB31A476ME15 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 47 F 10Vdc ±20% B 85 47uF GRM31CB31A476ME15 - Product Image 6

GRM31CB31A476ME15 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 47 F 10Vdc ±20% B 85 47uF GRM31CB31A476ME15

฿6.53-65.26
MOQ: 1
KRM55WR7YA476MH01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 47 F ± 35Vdc 20% X7R 125 47uF KRM55WR7YA476MH01 - Product Image 1
KRM55WR7YA476MH01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 47 F ± 35Vdc 20% X7R 125 47uF KRM55WR7YA476MH01 - Product Image 2
KRM55WR7YA476MH01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 47 F ± 35Vdc 20% X7R 125 47uF KRM55WR7YA476MH01 - Product Image 3
KRM55WR7YA476MH01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 47 F ± 35Vdc 20% X7R 125 47uF KRM55WR7YA476MH01 - Product Image 4
KRM55WR7YA476MH01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 47 F ± 35Vdc 20% X7R 125 47uF KRM55WR7YA476MH01 - Product Image 5
KRM55WR7YA476MH01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 47 F ± 35Vdc 20% X7R 125 47uF KRM55WR7YA476MH01 - Product Image 6

KRM55WR7YA476MH01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 47 F ± 35Vdc 20% X7R 125 47uF KRM55WR7YA476MH01

฿6.53-65.26
MOQ: 1
KRM55WR71E686MH01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 68 F ± 25Vdc 20% X7R 125 68uF KRM55WR71E686MH01 - Product Image 1
KRM55WR71E686MH01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 68 F ± 25Vdc 20% X7R 125 68uF KRM55WR71E686MH01 - Product Image 2
KRM55WR71E686MH01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 68 F ± 25Vdc 20% X7R 125 68uF KRM55WR71E686MH01 - Product Image 3
KRM55WR71E686MH01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 68 F ± 25Vdc 20% X7R 125 68uF KRM55WR71E686MH01 - Product Image 4
KRM55WR71E686MH01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 68 F ± 25Vdc 20% X7R 125 68uF KRM55WR71E686MH01 - Product Image 5
KRM55WR71E686MH01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 68 F ± 25Vdc 20% X7R 125 68uF KRM55WR71E686MH01 - Product Image 6

KRM55WR71E686MH01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 68 F ± 25Vdc 20% X7R 125 68uF KRM55WR71E686MH01

฿6.53-65.26
MOQ: 1
GRJ32ER71A476ME11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 47 F ± 10Vdc 20% X7R 125 47uF GRJ32ER71A476ME11 - Product Image 1
GRJ32ER71A476ME11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 47 F ± 10Vdc 20% X7R 125 47uF GRJ32ER71A476ME11 - Product Image 2
GRJ32ER71A476ME11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 47 F ± 10Vdc 20% X7R 125 47uF GRJ32ER71A476ME11 - Product Image 3
GRJ32ER71A476ME11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 47 F ± 10Vdc 20% X7R 125 47uF GRJ32ER71A476ME11 - Product Image 4
GRJ32ER71A476ME11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 47 F ± 10Vdc 20% X7R 125 47uF GRJ32ER71A476ME11 - Product Image 5
GRJ32ER71A476ME11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 47 F ± 10Vdc 20% X7R 125 47uF GRJ32ER71A476ME11 - Product Image 6

GRJ32ER71A476ME11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 47 F ± 10Vdc 20% X7R 125 47uF GRJ32ER71A476ME11

฿6.53-65.26
MOQ: 1
GCH32ER70J476KE01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 47 F 6.3Vdc ±10% X7R 125 47uF GCH32ER70J476KE01 - Product Image 1
GCH32ER70J476KE01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 47 F 6.3Vdc ±10% X7R 125 47uF GCH32ER70J476KE01 - Product Image 2
GCH32ER70J476KE01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 47 F 6.3Vdc ±10% X7R 125 47uF GCH32ER70J476KE01 - Product Image 3
GCH32ER70J476KE01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 47 F 6.3Vdc ±10% X7R 125 47uF GCH32ER70J476KE01 - Product Image 4
GCH32ER70J476KE01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 47 F 6.3Vdc ±10% X7R 125 47uF GCH32ER70J476KE01 - Product Image 5
GCH32ER70J476KE01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 47 F 6.3Vdc ±10% X7R 125 47uF GCH32ER70J476KE01 - Product Image 6

GCH32ER70J476KE01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 47 F 6.3Vdc ±10% X7R 125 47uF GCH32ER70J476KE01

฿6.53-65.26
MOQ: 1
GRT32EC70G107ME13ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 100 F 4Vdc ± 20% X7S 125 AEC-Q200 GRT32EC70G107ME13 100uF - Product Image 1
GRT32EC70G107ME13ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 100 F 4Vdc ± 20% X7S 125 AEC-Q200 GRT32EC70G107ME13 100uF - Product Image 2
GRT32EC70G107ME13ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 100 F 4Vdc ± 20% X7S 125 AEC-Q200 GRT32EC70G107ME13 100uF - Product Image 3
GRT32EC70G107ME13ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 100 F 4Vdc ± 20% X7S 125 AEC-Q200 GRT32EC70G107ME13 100uF - Product Image 4
GRT32EC70G107ME13ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 100 F 4Vdc ± 20% X7S 125 AEC-Q200 GRT32EC70G107ME13 100uF - Product Image 5
GRT32EC70G107ME13ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 100 F 4Vdc ± 20% X7S 125 AEC-Q200 GRT32EC70G107ME13 100uF - Product Image 6

GRT32EC70G107ME13ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 100 F 4Vdc ± 20% X7S 125 AEC-Q200 GRT32EC70G107ME13 100uF

฿6.53-65.26
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

ykbishomyightybinyshiatsuysyyyycieokihuearyikkiawyzhouayahaliyahgiayyy