All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Chy

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

GRM21BC71E106ME11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 0805 10 F 25Vdc ± 20% X7S 125 GRM21BC71E106ME11 10uF - Product Image 1
GRM21BC71E106ME11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 0805 10 F 25Vdc ± 20% X7S 125 GRM21BC71E106ME11 10uF - Product Image 2
GRM21BC71E106ME11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 0805 10 F 25Vdc ± 20% X7S 125 GRM21BC71E106ME11 10uF - Product Image 3
GRM21BC71E106ME11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 0805 10 F 25Vdc ± 20% X7S 125 GRM21BC71E106ME11 10uF - Product Image 4
GRM21BC71E106ME11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 0805 10 F 25Vdc ± 20% X7S 125 GRM21BC71E106ME11 10uF - Product Image 5
GRM21BC71E106ME11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 0805 10 F 25Vdc ± 20% X7S 125 GRM21BC71E106ME11 10uF - Product Image 6

GRM21BC71E106ME11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 0805 10 F 25Vdc ± 20% X7S 125 GRM21BC71E106ME11 10uF

฿16.30-65.20
MOQ: 1
GRJ31CR70J226ME12(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 22 F ± 6.3Vdc 20% X7R 125 22uF GRJ31CR70J226ME12 - Product Image 1
GRJ31CR70J226ME12(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 22 F ± 6.3Vdc 20% X7R 125 22uF GRJ31CR70J226ME12 - Product Image 2
GRJ31CR70J226ME12(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 22 F ± 6.3Vdc 20% X7R 125 22uF GRJ31CR70J226ME12 - Product Image 3
GRJ31CR70J226ME12(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 22 F ± 6.3Vdc 20% X7R 125 22uF GRJ31CR70J226ME12 - Product Image 4
GRJ31CR70J226ME12(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 22 F ± 6.3Vdc 20% X7R 125 22uF GRJ31CR70J226ME12 - Product Image 5
GRJ31CR70J226ME12(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 22 F ± 6.3Vdc 20% X7R 125 22uF GRJ31CR70J226ME12 - Product Image 6

GRJ31CR70J226ME12(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 22 F ± 6.3Vdc 20% X7R 125 22uF GRJ31CR70J226ME12

฿16.30-65.20
MOQ: 1
KCM55WC71E107MH13(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 100 F ± 25Vdc 20% X7S 125 AEC-Q200 KCM55WC71E107MH13 100uF - Product Image 1
KCM55WC71E107MH13(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 100 F ± 25Vdc 20% X7S 125 AEC-Q200 KCM55WC71E107MH13 100uF - Product Image 2
KCM55WC71E107MH13(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 100 F ± 25Vdc 20% X7S 125 AEC-Q200 KCM55WC71E107MH13 100uF - Product Image 3
KCM55WC71E107MH13(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 100 F ± 25Vdc 20% X7S 125 AEC-Q200 KCM55WC71E107MH13 100uF - Product Image 4
KCM55WC71E107MH13(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 100 F ± 25Vdc 20% X7S 125 AEC-Q200 KCM55WC71E107MH13 100uF - Product Image 5
KCM55WC71E107MH13(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 100 F ± 25Vdc 20% X7S 125 AEC-Q200 KCM55WC71E107MH13 100uF - Product Image 6

KCM55WC71E107MH13(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 100 F ± 25Vdc 20% X7S 125 AEC-Q200 KCM55WC71E107MH13 100uF

฿6.52-65.20
MOQ: 1
ZRA21MR60G476ME11(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 47 F 4Vdc ± 20% X5R 85 47uF ZRA21MR60G476ME11 - Product Image 1
ZRA21MR60G476ME11(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 47 F 4Vdc ± 20% X5R 85 47uF ZRA21MR60G476ME11 - Product Image 2
ZRA21MR60G476ME11(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 47 F 4Vdc ± 20% X5R 85 47uF ZRA21MR60G476ME11 - Product Image 3
ZRA21MR60G476ME11(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 47 F 4Vdc ± 20% X5R 85 47uF ZRA21MR60G476ME11 - Product Image 4
ZRA21MR60G476ME11(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 47 F 4Vdc ± 20% X5R 85 47uF ZRA21MR60G476ME11 - Product Image 5
ZRA21MR60G476ME11(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 47 F 4Vdc ± 20% X5R 85 47uF ZRA21MR60G476ME11 - Product Image 6

ZRA21MR60G476ME11(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 47 F 4Vdc ± 20% X5R 85 47uF ZRA21MR60G476ME11

฿6.52-65.20
MOQ: 1
GRT21BC81C226ME13(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 0805 22 F 16Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 22uF GRT21BC81C226ME13 - Product Image 1
GRT21BC81C226ME13(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 0805 22 F 16Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 22uF GRT21BC81C226ME13 - Product Image 2
GRT21BC81C226ME13(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 0805 22 F 16Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 22uF GRT21BC81C226ME13 - Product Image 3
GRT21BC81C226ME13(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 0805 22 F 16Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 22uF GRT21BC81C226ME13 - Product Image 4
GRT21BC81C226ME13(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 0805 22 F 16Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 22uF GRT21BC81C226ME13 - Product Image 5
GRT21BC81C226ME13(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 0805 22 F 16Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 22uF GRT21BC81C226ME13 - Product Image 6

GRT21BC81C226ME13(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 0805 22 F 16Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 22uF GRT21BC81C226ME13

฿16.30-65.20
MOQ: 1
GRT32DC81C106ME01ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 1210 10 F 16Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 GRT32DC81C106ME01 10uF - Product Image 1
GRT32DC81C106ME01ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 1210 10 F 16Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 GRT32DC81C106ME01 10uF - Product Image 2
GRT32DC81C106ME01ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 1210 10 F 16Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 GRT32DC81C106ME01 10uF - Product Image 3
GRT32DC81C106ME01ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 1210 10 F 16Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 GRT32DC81C106ME01 10uF - Product Image 4
GRT32DC81C106ME01ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 1210 10 F 16Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 GRT32DC81C106ME01 10uF - Product Image 5
GRT32DC81C106ME01ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 1210 10 F 16Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 GRT32DC81C106ME01 10uF - Product Image 6

GRT32DC81C106ME01ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 1210 10 F 16Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 GRT32DC81C106ME01 10uF

฿16.30-65.20
MOQ: 1
GRM21BZ71C106ME15(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 16Vdc ± 20% X7R 125 GRM21BZ71C106ME15 10uF - Product Image 1
GRM21BZ71C106ME15(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 16Vdc ± 20% X7R 125 GRM21BZ71C106ME15 10uF - Product Image 2
GRM21BZ71C106ME15(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 16Vdc ± 20% X7R 125 GRM21BZ71C106ME15 10uF - Product Image 3
GRM21BZ71C106ME15(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 16Vdc ± 20% X7R 125 GRM21BZ71C106ME15 10uF - Product Image 4
GRM21BZ71C106ME15(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 16Vdc ± 20% X7R 125 GRM21BZ71C106ME15 10uF - Product Image 5
GRM21BZ71C106ME15(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 16Vdc ± 20% X7R 125 GRM21BZ71C106ME15 10uF - Product Image 6

GRM21BZ71C106ME15(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 16Vdc ± 20% X7R 125 GRM21BZ71C106ME15 10uF

฿16.30-65.20
MOQ: 1
GRT32EC70G107ME13ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 100 F 4Vdc ± 20% X7S 125 AEC-Q200 GRT32EC70G107ME13 100uF - Product Image 1
GRT32EC70G107ME13ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 100 F 4Vdc ± 20% X7S 125 AEC-Q200 GRT32EC70G107ME13 100uF - Product Image 2
GRT32EC70G107ME13ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 100 F 4Vdc ± 20% X7S 125 AEC-Q200 GRT32EC70G107ME13 100uF - Product Image 3
GRT32EC70G107ME13ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 100 F 4Vdc ± 20% X7S 125 AEC-Q200 GRT32EC70G107ME13 100uF - Product Image 4
GRT32EC70G107ME13ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 100 F 4Vdc ± 20% X7S 125 AEC-Q200 GRT32EC70G107ME13 100uF - Product Image 5
GRT32EC70G107ME13ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 100 F 4Vdc ± 20% X7S 125 AEC-Q200 GRT32EC70G107ME13 100uF - Product Image 6

GRT32EC70G107ME13ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 100 F 4Vdc ± 20% X7S 125 AEC-Q200 GRT32EC70G107ME13 100uF

฿6.52-65.20
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

ykbishomyightybinyshiatsuysyyyycieokihuearyikkiawyzhouayahaliyahgiayyy