All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Chy

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

GRM21BB31C106KE15(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 16Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB31C106KE15 - Product Image 1
GRM21BB31C106KE15(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 16Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB31C106KE15 - Product Image 2
GRM21BB31C106KE15(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 16Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB31C106KE15 - Product Image 3
GRM21BB31C106KE15(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 16Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB31C106KE15 - Product Image 4
GRM21BB31C106KE15(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 16Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB31C106KE15 - Product Image 5
GRM21BB31C106KE15(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 16Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB31C106KE15 - Product Image 6

GRM21BB31C106KE15(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 16Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB31C106KE15

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRJ32ER70J476ME11(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 47 F ± 6.3Vdc 20% X7R 125 47uF GRJ32ER70J476ME11 - Product Image 1
GRJ32ER70J476ME11(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 47 F ± 6.3Vdc 20% X7R 125 47uF GRJ32ER70J476ME11 - Product Image 2
GRJ32ER70J476ME11(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 47 F ± 6.3Vdc 20% X7R 125 47uF GRJ32ER70J476ME11 - Product Image 3
GRJ32ER70J476ME11(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 47 F ± 6.3Vdc 20% X7R 125 47uF GRJ32ER70J476ME11 - Product Image 4
GRJ32ER70J476ME11(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 47 F ± 6.3Vdc 20% X7R 125 47uF GRJ32ER70J476ME11 - Product Image 5
GRJ32ER70J476ME11(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 47 F ± 6.3Vdc 20% X7R 125 47uF GRJ32ER70J476ME11 - Product Image 6

GRJ32ER70J476ME11(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 47 F ± 6.3Vdc 20% X7R 125 47uF GRJ32ER70J476ME11

฿6.58-65.77
MOQ: 1
GRM21BZ71C106KE15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 0805 10 F 16Vdc ± 10% X7R 125 GRM21BZ71C106KE15 10uF - Product Image 1
GRM21BZ71C106KE15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 0805 10 F 16Vdc ± 10% X7R 125 GRM21BZ71C106KE15 10uF - Product Image 2
GRM21BZ71C106KE15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 0805 10 F 16Vdc ± 10% X7R 125 GRM21BZ71C106KE15 10uF - Product Image 3
GRM21BZ71C106KE15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 0805 10 F 16Vdc ± 10% X7R 125 GRM21BZ71C106KE15 10uF - Product Image 4
GRM21BZ71C106KE15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 0805 10 F 16Vdc ± 10% X7R 125 GRM21BZ71C106KE15 10uF - Product Image 5
GRM21BZ71C106KE15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 0805 10 F 16Vdc ± 10% X7R 125 GRM21BZ71C106KE15 10uF - Product Image 6

GRM21BZ71C106KE15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 0805 10 F 16Vdc ± 10% X7R 125 GRM21BZ71C106KE15 10uF

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRM32ER61A106MA01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 10 F 10Vdc ± 20% X5R GRM32ER61A106MA01 85 10uF - Product Image 1
GRM32ER61A106MA01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 10 F 10Vdc ± 20% X5R GRM32ER61A106MA01 85 10uF - Product Image 2
GRM32ER61A106MA01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 10 F 10Vdc ± 20% X5R GRM32ER61A106MA01 85 10uF - Product Image 3
GRM32ER61A106MA01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 10 F 10Vdc ± 20% X5R GRM32ER61A106MA01 85 10uF - Product Image 4
GRM32ER61A106MA01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 10 F 10Vdc ± 20% X5R GRM32ER61A106MA01 85 10uF - Product Image 5
GRM32ER61A106MA01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 10 F 10Vdc ± 20% X5R GRM32ER61A106MA01 85 10uF - Product Image 6

GRM32ER61A106MA01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 10 F 10Vdc ± 20% X5R GRM32ER61A106MA01 85 10uF

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRJ32ER71H106KE11(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 50Vdc ± 10% X7R 125 GRJ32ER71H106KE11 10uF - Product Image 1
GRJ32ER71H106KE11(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 50Vdc ± 10% X7R 125 GRJ32ER71H106KE11 10uF - Product Image 2
GRJ32ER71H106KE11(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 50Vdc ± 10% X7R 125 GRJ32ER71H106KE11 10uF - Product Image 3
GRJ32ER71H106KE11(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 50Vdc ± 10% X7R 125 GRJ32ER71H106KE11 10uF - Product Image 4
GRJ32ER71H106KE11(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 50Vdc ± 10% X7R 125 GRJ32ER71H106KE11 10uF - Product Image 5
GRJ32ER71H106KE11(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 50Vdc ± 10% X7R 125 GRJ32ER71H106KE11 10uF - Product Image 6

GRJ32ER71H106KE11(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 50Vdc ± 10% X7R 125 GRJ32ER71H106KE11 10uF

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRT32DR61A226ME01(ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 22 F 10Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32DR61A226ME01 - Product Image 1
GRT32DR61A226ME01(ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 22 F 10Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32DR61A226ME01 - Product Image 2
GRT32DR61A226ME01(ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 22 F 10Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32DR61A226ME01 - Product Image 3
GRT32DR61A226ME01(ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 22 F 10Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32DR61A226ME01 - Product Image 4
GRT32DR61A226ME01(ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 22 F 10Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32DR61A226ME01 - Product Image 5
GRT32DR61A226ME01(ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 22 F 10Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32DR61A226ME01 - Product Image 6

GRT32DR61A226ME01(ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 22 F 10Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32DR61A226ME01

฿16.45-65.77
MOQ: 1
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ Power Management (PMIC) SOT 23 6 MCP1640BT-I/CHY ไอซี BOM มีสินค้าในสต็อก - Product Image 1
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ Power Management (PMIC) SOT 23 6 MCP1640BT-I/CHY ไอซี BOM มีสินค้าในสต็อก - Product Image 2
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ Power Management (PMIC) SOT 23 6 MCP1640BT-I/CHY ไอซี BOM มีสินค้าในสต็อก - Product Image 3
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ Power Management (PMIC) SOT 23 6 MCP1640BT-I/CHY ไอซี BOM มีสินค้าในสต็อก - Product Image 4
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ Power Management (PMIC) SOT 23 6 MCP1640BT-I/CHY ไอซี BOM มีสินค้าในสต็อก - Product Image 5
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ Power Management (PMIC) SOT 23 6 MCP1640BT-I/CHY ไอซี BOM มีสินค้าในสต็อก - Product Image 6

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ Power Management (PMIC) SOT 23 6 MCP1640BT-I/CHY ไอซี BOM มีสินค้าในสต็อก

฿9.87-12.83
MOQ: 1
GRM31CC81E106MA12ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่1206 10 F 25Vdc ± 20% X6S 105 10uF GRM31CC81E106MA12 - Product Image 1
GRM31CC81E106MA12ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่1206 10 F 25Vdc ± 20% X6S 105 10uF GRM31CC81E106MA12 - Product Image 2
GRM31CC81E106MA12ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่1206 10 F 25Vdc ± 20% X6S 105 10uF GRM31CC81E106MA12 - Product Image 3
GRM31CC81E106MA12ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่1206 10 F 25Vdc ± 20% X6S 105 10uF GRM31CC81E106MA12 - Product Image 4
GRM31CC81E106MA12ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่1206 10 F 25Vdc ± 20% X6S 105 10uF GRM31CC81E106MA12 - Product Image 5
GRM31CC81E106MA12ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่1206 10 F 25Vdc ± 20% X6S 105 10uF GRM31CC81E106MA12 - Product Image 6

GRM31CC81E106MA12ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่1206 10 F 25Vdc ± 20% X6S 105 10uF GRM31CC81E106MA12

฿16.45-65.77
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

ykbishomyightybinyshiatsuysyyyycieokihuearyikkiawyzhouayahaliyahgiayyy