All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Chy

(มีสินค้า 999+ รายการ)

ส่วนประกอบวงจรอิเล็กทรอนิกส์สำหรับการจัดการพลังงาน (PMIC) รุ่น MCP1502T-33E/CHY SOT 23 6 มีสินค้าในสต็อก - Product Image 1
ส่วนประกอบวงจรอิเล็กทรอนิกส์สำหรับการจัดการพลังงาน (PMIC) รุ่น MCP1502T-33E/CHY SOT 23 6 มีสินค้าในสต็อก - Product Image 2
ส่วนประกอบวงจรอิเล็กทรอนิกส์สำหรับการจัดการพลังงาน (PMIC) รุ่น MCP1502T-33E/CHY SOT 23 6 มีสินค้าในสต็อก - Product Image 3
ส่วนประกอบวงจรอิเล็กทรอนิกส์สำหรับการจัดการพลังงาน (PMIC) รุ่น MCP1502T-33E/CHY SOT 23 6 มีสินค้าในสต็อก - Product Image 4
ส่วนประกอบวงจรอิเล็กทรอนิกส์สำหรับการจัดการพลังงาน (PMIC) รุ่น MCP1502T-33E/CHY SOT 23 6 มีสินค้าในสต็อก - Product Image 5
ส่วนประกอบวงจรอิเล็กทรอนิกส์สำหรับการจัดการพลังงาน (PMIC) รุ่น MCP1502T-33E/CHY SOT 23 6 มีสินค้าในสต็อก - Product Image 6

ส่วนประกอบวงจรอิเล็กทรอนิกส์สำหรับการจัดการพลังงาน (PMIC) รุ่น MCP1502T-33E/CHY SOT 23 6 มีสินค้าในสต็อก

฿14.47-19.29
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
KAILIYUAN TECHNOLOGY INTERNATIONAL CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(1)
GCM31CD7YA106KE36 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 35Vdc ±10% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCM31CD7YA106KE36 - Product Image 1
GCM31CD7YA106KE36 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 35Vdc ±10% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCM31CD7YA106KE36 - Product Image 2
GCM31CD7YA106KE36 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 35Vdc ±10% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCM31CD7YA106KE36 - Product Image 3
GCM31CD7YA106KE36 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 35Vdc ±10% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCM31CD7YA106KE36 - Product Image 4
GCM31CD7YA106KE36 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 35Vdc ±10% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCM31CD7YA106KE36 - Product Image 5
GCM31CD7YA106KE36 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 35Vdc ±10% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCM31CD7YA106KE36 - Product Image 6

GCM31CD7YA106KE36 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 35Vdc ±10% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCM31CD7YA106KE36

฿17.22-68.88
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(590)
GRM31CD70G107MEA8 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 100 F 4Vdc ±20% X7T 125 100uF GRM31CD70G107MEA8 - Product Image 1
GRM31CD70G107MEA8 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 100 F 4Vdc ±20% X7T 125 100uF GRM31CD70G107MEA8 - Product Image 2
GRM31CD70G107MEA8 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 100 F 4Vdc ±20% X7T 125 100uF GRM31CD70G107MEA8 - Product Image 3
GRM31CD70G107MEA8 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 100 F 4Vdc ±20% X7T 125 100uF GRM31CD70G107MEA8 - Product Image 4
GRM31CD70G107MEA8 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 100 F 4Vdc ±20% X7T 125 100uF GRM31CD70G107MEA8 - Product Image 5
GRM31CD70G107MEA8 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 100 F 4Vdc ±20% X7T 125 100uF GRM31CD70G107MEA8 - Product Image 6

GRM31CD70G107MEA8 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 100 F 4Vdc ±20% X7T 125 100uF GRM31CD70G107MEA8

฿17.22-68.88
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(590)
GRM31MC81C106MA12(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 16Vdc ± 20% X6S 105 GRM31MC81C106MA12 10uF - Product Image 1
GRM31MC81C106MA12(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 16Vdc ± 20% X6S 105 GRM31MC81C106MA12 10uF - Product Image 2
GRM31MC81C106MA12(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 16Vdc ± 20% X6S 105 GRM31MC81C106MA12 10uF - Product Image 3
GRM31MC81C106MA12(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 16Vdc ± 20% X6S 105 GRM31MC81C106MA12 10uF - Product Image 4
GRM31MC81C106MA12(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 16Vdc ± 20% X6S 105 GRM31MC81C106MA12 10uF - Product Image 5
GRM31MC81C106MA12(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 16Vdc ± 20% X6S 105 GRM31MC81C106MA12 10uF - Product Image 6

GRM31MC81C106MA12(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 16Vdc ± 20% X6S 105 GRM31MC81C106MA12 10uF

฿17.22-68.88
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(590)
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ MCP1502T-50E/CHY SOT 23 6 ช่องสัญญาณการจัดการพลังงานของผู้ผลิต (PMIC) - Product Image 1
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ MCP1502T-50E/CHY SOT 23 6 ช่องสัญญาณการจัดการพลังงานของผู้ผลิต (PMIC) - Product Image 2
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ MCP1502T-50E/CHY SOT 23 6 ช่องสัญญาณการจัดการพลังงานของผู้ผลิต (PMIC) - Product Image 3
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ MCP1502T-50E/CHY SOT 23 6 ช่องสัญญาณการจัดการพลังงานของผู้ผลิต (PMIC) - Product Image 4
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ MCP1502T-50E/CHY SOT 23 6 ช่องสัญญาณการจัดการพลังงานของผู้ผลิต (PMIC) - Product Image 5
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ MCP1502T-50E/CHY SOT 23 6 ช่องสัญญาณการจัดการพลังงานของผู้ผลิต (PMIC) - Product Image 6

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ MCP1502T-50E/CHY SOT 23 6 ช่องสัญญาณการจัดการพลังงานของผู้ผลิต (PMIC)

฿19.29-25.49
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
KAILIYUAN TECHNOLOGY INTERNATIONAL CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(1)
KRM55WR71H226MH01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 22 F 50Vdc ±20% X7R 125 22uF KRM55WR71H226MH01 - Product Image 1
KRM55WR71H226MH01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 22 F 50Vdc ±20% X7R 125 22uF KRM55WR71H226MH01 - Product Image 2
KRM55WR71H226MH01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 22 F 50Vdc ±20% X7R 125 22uF KRM55WR71H226MH01 - Product Image 3
KRM55WR71H226MH01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 22 F 50Vdc ±20% X7R 125 22uF KRM55WR71H226MH01 - Product Image 4
KRM55WR71H226MH01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 22 F 50Vdc ±20% X7R 125 22uF KRM55WR71H226MH01 - Product Image 5
KRM55WR71H226MH01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 22 F 50Vdc ±20% X7R 125 22uF KRM55WR71H226MH01 - Product Image 6

KRM55WR71H226MH01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 22 F 50Vdc ±20% X7R 125 22uF KRM55WR71H226MH01

฿17.22-68.88
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(590)
GRM188R61A226ME15 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0603 22 F 10Vdc ±20% X5R 85 22uF GRM188R61A226ME15 - Product Image 1
GRM188R61A226ME15 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0603 22 F 10Vdc ±20% X5R 85 22uF GRM188R61A226ME15 - Product Image 2
GRM188R61A226ME15 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0603 22 F 10Vdc ±20% X5R 85 22uF GRM188R61A226ME15 - Product Image 3
GRM188R61A226ME15 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0603 22 F 10Vdc ±20% X5R 85 22uF GRM188R61A226ME15 - Product Image 4
GRM188R61A226ME15 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0603 22 F 10Vdc ±20% X5R 85 22uF GRM188R61A226ME15 - Product Image 5
GRM188R61A226ME15 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0603 22 F 10Vdc ±20% X5R 85 22uF GRM188R61A226ME15 - Product Image 6

GRM188R61A226ME15 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0603 22 F 10Vdc ±20% X5R 85 22uF GRM188R61A226ME15

฿17.22-68.88
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(590)
GRM31CC80E227ME11 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 220 F 2.5Vdc ±20% X6S 105 220uF GRM31CC80E227ME11 - Product Image 1
GRM31CC80E227ME11 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 220 F 2.5Vdc ±20% X6S 105 220uF GRM31CC80E227ME11 - Product Image 2
GRM31CC80E227ME11 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 220 F 2.5Vdc ±20% X6S 105 220uF GRM31CC80E227ME11 - Product Image 3
GRM31CC80E227ME11 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 220 F 2.5Vdc ±20% X6S 105 220uF GRM31CC80E227ME11 - Product Image 4
GRM31CC80E227ME11 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 220 F 2.5Vdc ±20% X6S 105 220uF GRM31CC80E227ME11 - Product Image 5
GRM31CC80E227ME11 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 220 F 2.5Vdc ±20% X6S 105 220uF GRM31CC80E227ME11 - Product Image 6

GRM31CC80E227ME11 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 220 F 2.5Vdc ±20% X6S 105 220uF GRM31CC80E227ME11

฿17.22-68.88
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(590)

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

ykbishomyightybinyshiatsuysyyyycieokihuearyikkiawyzhouayahaliyahgiayyy