All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Chy

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ZRB18AD71A106KE01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 10 F 10Vdc ± 10% X7T 125 ZRB18AD71A106KE01 10uF - Product Image 1
ZRB18AD71A106KE01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 10 F 10Vdc ± 10% X7T 125 ZRB18AD71A106KE01 10uF - Product Image 2
ZRB18AD71A106KE01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 10 F 10Vdc ± 10% X7T 125 ZRB18AD71A106KE01 10uF - Product Image 3
ZRB18AD71A106KE01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 10 F 10Vdc ± 10% X7T 125 ZRB18AD71A106KE01 10uF - Product Image 4
ZRB18AD71A106KE01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 10 F 10Vdc ± 10% X7T 125 ZRB18AD71A106KE01 10uF - Product Image 5
ZRB18AD71A106KE01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 10 F 10Vdc ± 10% X7T 125 ZRB18AD71A106KE01 10uF - Product Image 6

ZRB18AD71A106KE01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 10 F 10Vdc ± 10% X7T 125 ZRB18AD71A106KE01 10uF

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRM32ER61A226KA65(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 10% X5R GRM32ER61A226KA65 85 22uF - Product Image 1
GRM32ER61A226KA65(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 10% X5R GRM32ER61A226KA65 85 22uF - Product Image 2
GRM32ER61A226KA65(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 10% X5R GRM32ER61A226KA65 85 22uF - Product Image 3
GRM32ER61A226KA65(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 10% X5R GRM32ER61A226KA65 85 22uF - Product Image 4
GRM32ER61A226KA65(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 10% X5R GRM32ER61A226KA65 85 22uF - Product Image 5
GRM32ER61A226KA65(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 10% X5R GRM32ER61A226KA65 85 22uF - Product Image 6

GRM32ER61A226KA65(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 10% X5R GRM32ER61A226KA65 85 22uF

฿16.45-65.77
MOQ: 1
MCP1501T-20E/CHY IC VREF 2.048V SOT23 6ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ SOT 23 6การจัดการพลังงาน (PMIC) ต้นฉบับ - Product Image 1
MCP1501T-20E/CHY IC VREF 2.048V SOT23 6ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ SOT 23 6การจัดการพลังงาน (PMIC) ต้นฉบับ - Product Image 2
MCP1501T-20E/CHY IC VREF 2.048V SOT23 6ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ SOT 23 6การจัดการพลังงาน (PMIC) ต้นฉบับ - Product Image 3
MCP1501T-20E/CHY IC VREF 2.048V SOT23 6ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ SOT 23 6การจัดการพลังงาน (PMIC) ต้นฉบับ - Product Image 4
MCP1501T-20E/CHY IC VREF 2.048V SOT23 6ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ SOT 23 6การจัดการพลังงาน (PMIC) ต้นฉบับ - Product Image 5
MCP1501T-20E/CHY IC VREF 2.048V SOT23 6ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ SOT 23 6การจัดการพลังงาน (PMIC) ต้นฉบับ - Product Image 6

MCP1501T-20E/CHY IC VREF 2.048V SOT23 6ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ SOT 23 6การจัดการพลังงาน (PMIC) ต้นฉบับ

฿10.20-13.49
MOQ: 1
ZRA21MR60J186ME11(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 18 F 6.3Vdc ± 20% X5R 85 18uF ZRA21MR60J186ME11 - Product Image 1
ZRA21MR60J186ME11(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 18 F 6.3Vdc ± 20% X5R 85 18uF ZRA21MR60J186ME11 - Product Image 2
ZRA21MR60J186ME11(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 18 F 6.3Vdc ± 20% X5R 85 18uF ZRA21MR60J186ME11 - Product Image 3
ZRA21MR60J186ME11(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 18 F 6.3Vdc ± 20% X5R 85 18uF ZRA21MR60J186ME11 - Product Image 4
ZRA21MR60J186ME11(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 18 F 6.3Vdc ± 20% X5R 85 18uF ZRA21MR60J186ME11 - Product Image 5
ZRA21MR60J186ME11(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 18 F 6.3Vdc ± 20% X5R 85 18uF ZRA21MR60J186ME11 - Product Image 6

ZRA21MR60J186ME11(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 18 F 6.3Vdc ± 20% X5R 85 18uF ZRA21MR60J186ME11

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GCJ21BR71A106KE01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0805 10 F 10Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCJ21BR71A106KE01 - Product Image 1
GCJ21BR71A106KE01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0805 10 F 10Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCJ21BR71A106KE01 - Product Image 2
GCJ21BR71A106KE01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0805 10 F 10Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCJ21BR71A106KE01 - Product Image 3
GCJ21BR71A106KE01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0805 10 F 10Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCJ21BR71A106KE01 - Product Image 4
GCJ21BR71A106KE01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0805 10 F 10Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCJ21BR71A106KE01 - Product Image 5
GCJ21BR71A106KE01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0805 10 F 10Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCJ21BR71A106KE01 - Product Image 6

GCJ21BR71A106KE01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0805 10 F 10Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCJ21BR71A106KE01

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRM31CB31E106MA75(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 25Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB31E106MA75 - Product Image 1
GRM31CB31E106MA75(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 25Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB31E106MA75 - Product Image 2
GRM31CB31E106MA75(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 25Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB31E106MA75 - Product Image 3
GRM31CB31E106MA75(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 25Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB31E106MA75 - Product Image 4
GRM31CB31E106MA75(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 25Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB31E106MA75 - Product Image 5
GRM31CB31E106MA75(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 25Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB31E106MA75 - Product Image 6

GRM31CB31E106MA75(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 25Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB31E106MA75

฿16.45-65.77
MOQ: 1
KRM55WR7YA336MH01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 33 F 35Vdc ± 20% X7R 125 33uF KRM55WR7YA336MH01 - Product Image 1
KRM55WR7YA336MH01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 33 F 35Vdc ± 20% X7R 125 33uF KRM55WR7YA336MH01 - Product Image 2
KRM55WR7YA336MH01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 33 F 35Vdc ± 20% X7R 125 33uF KRM55WR7YA336MH01 - Product Image 3
KRM55WR7YA336MH01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 33 F 35Vdc ± 20% X7R 125 33uF KRM55WR7YA336MH01 - Product Image 4
KRM55WR7YA336MH01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 33 F 35Vdc ± 20% X7R 125 33uF KRM55WR7YA336MH01 - Product Image 5
KRM55WR7YA336MH01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 33 F 35Vdc ± 20% X7R 125 33uF KRM55WR7YA336MH01 - Product Image 6

KRM55WR7YA336MH01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 33 F 35Vdc ± 20% X7R 125 33uF KRM55WR7YA336MH01

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRM32ER60G227ME05(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 220 F ± 4Vdc 20% X5R 85 220uF GRM32ER60G227ME05 - Product Image 1
GRM32ER60G227ME05(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 220 F ± 4Vdc 20% X5R 85 220uF GRM32ER60G227ME05 - Product Image 2
GRM32ER60G227ME05(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 220 F ± 4Vdc 20% X5R 85 220uF GRM32ER60G227ME05 - Product Image 3
GRM32ER60G227ME05(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 220 F ± 4Vdc 20% X5R 85 220uF GRM32ER60G227ME05 - Product Image 4
GRM32ER60G227ME05(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 220 F ± 4Vdc 20% X5R 85 220uF GRM32ER60G227ME05 - Product Image 5
GRM32ER60G227ME05(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 220 F ± 4Vdc 20% X5R 85 220uF GRM32ER60G227ME05 - Product Image 6

GRM32ER60G227ME05(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 220 F ± 4Vdc 20% X5R 85 220uF GRM32ER60G227ME05

฿16.45-65.77
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

ykbishomyightybinyshiatsuysyyyycieokihuearyikkiawyzhouayahaliyahgiayyy