All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Chy

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ZRB21CR61H106KE01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 50Vdc ± 10% X5R 85 10uF ZRB21CR61H106KE01 - Product Image 1
ZRB21CR61H106KE01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 50Vdc ± 10% X5R 85 10uF ZRB21CR61H106KE01 - Product Image 2
ZRB21CR61H106KE01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 50Vdc ± 10% X5R 85 10uF ZRB21CR61H106KE01 - Product Image 3
ZRB21CR61H106KE01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 50Vdc ± 10% X5R 85 10uF ZRB21CR61H106KE01 - Product Image 4
ZRB21CR61H106KE01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 50Vdc ± 10% X5R 85 10uF ZRB21CR61H106KE01 - Product Image 5
ZRB21CR61H106KE01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 50Vdc ± 10% X5R 85 10uF ZRB21CR61H106KE01 - Product Image 6

ZRB21CR61H106KE01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 50Vdc ± 10% X5R 85 10uF ZRB21CR61H106KE01

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRJ32ER71A226KE11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 10% X7R 125 22uF GRJ32ER71A226KE11 - Product Image 1
GRJ32ER71A226KE11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 10% X7R 125 22uF GRJ32ER71A226KE11 - Product Image 2
GRJ32ER71A226KE11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 10% X7R 125 22uF GRJ32ER71A226KE11 - Product Image 3
GRJ32ER71A226KE11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 10% X7R 125 22uF GRJ32ER71A226KE11 - Product Image 4
GRJ32ER71A226KE11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 10% X7R 125 22uF GRJ32ER71A226KE11 - Product Image 5
GRJ32ER71A226KE11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 10% X7R 125 22uF GRJ32ER71A226KE11 - Product Image 6

GRJ32ER71A226KE11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 10% X7R 125 22uF GRJ32ER71A226KE11

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GGM32ER71A226KE12(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 22 F 10Vdc ± 10% X7R 125 22uF GGM32ER71A226KE12 - Product Image 1
GGM32ER71A226KE12(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 22 F 10Vdc ± 10% X7R 125 22uF GGM32ER71A226KE12 - Product Image 2
GGM32ER71A226KE12(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 22 F 10Vdc ± 10% X7R 125 22uF GGM32ER71A226KE12 - Product Image 3
GGM32ER71A226KE12(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 22 F 10Vdc ± 10% X7R 125 22uF GGM32ER71A226KE12 - Product Image 4
GGM32ER71A226KE12(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 22 F 10Vdc ± 10% X7R 125 22uF GGM32ER71A226KE12 - Product Image 5
GGM32ER71A226KE12(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 22 F 10Vdc ± 10% X7R 125 22uF GGM32ER71A226KE12 - Product Image 6

GGM32ER71A226KE12(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 22 F 10Vdc ± 10% X7R 125 22uF GGM32ER71A226KE12

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRT31CR60J226ME01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 22 F 6.3Vdc ± 20% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT31CR60J226ME01 - Product Image 1
GRT31CR60J226ME01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 22 F 6.3Vdc ± 20% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT31CR60J226ME01 - Product Image 2
GRT31CR60J226ME01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 22 F 6.3Vdc ± 20% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT31CR60J226ME01 - Product Image 3
GRT31CR60J226ME01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 22 F 6.3Vdc ± 20% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT31CR60J226ME01 - Product Image 4
GRT31CR60J226ME01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 22 F 6.3Vdc ± 20% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT31CR60J226ME01 - Product Image 5
GRT31CR60J226ME01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 22 F 6.3Vdc ± 20% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT31CR60J226ME01 - Product Image 6

GRT31CR60J226ME01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 22 F 6.3Vdc ± 20% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT31CR60J226ME01

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRM32DR61C106MA01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 16Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM32DR61C106MA01 - Product Image 1
GRM32DR61C106MA01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 16Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM32DR61C106MA01 - Product Image 2
GRM32DR61C106MA01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 16Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM32DR61C106MA01 - Product Image 3
GRM32DR61C106MA01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 16Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM32DR61C106MA01 - Product Image 4
GRM32DR61C106MA01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 16Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM32DR61C106MA01 - Product Image 5
GRM32DR61C106MA01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 16Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM32DR61C106MA01 - Product Image 6

GRM32DR61C106MA01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 16Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM32DR61C106MA01

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRT31CC71C226ME13(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 22 F ± 16Vdc 20% X7S 125 AEC-Q200 22uF GRT31CC71C226ME13 - Product Image 1
GRT31CC71C226ME13(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 22 F ± 16Vdc 20% X7S 125 AEC-Q200 22uF GRT31CC71C226ME13 - Product Image 2
GRT31CC71C226ME13(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 22 F ± 16Vdc 20% X7S 125 AEC-Q200 22uF GRT31CC71C226ME13 - Product Image 3
GRT31CC71C226ME13(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 22 F ± 16Vdc 20% X7S 125 AEC-Q200 22uF GRT31CC71C226ME13 - Product Image 4
GRT31CC71C226ME13(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 22 F ± 16Vdc 20% X7S 125 AEC-Q200 22uF GRT31CC71C226ME13 - Product Image 5
GRT31CC71C226ME13(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 22 F ± 16Vdc 20% X7S 125 AEC-Q200 22uF GRT31CC71C226ME13 - Product Image 6

GRT31CC71C226ME13(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 22 F ± 16Vdc 20% X7S 125 AEC-Q200 22uF GRT31CC71C226ME13

฿16.45-65.77
MOQ: 1
KRM55QR7YA226KH01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ CHY Electronics) 22 F 35Vdc ±10% X7R 125 22uF KRM55QR7YA226KH01 - Product Image 1
KRM55QR7YA226KH01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ CHY Electronics) 22 F 35Vdc ±10% X7R 125 22uF KRM55QR7YA226KH01 - Product Image 2
KRM55QR7YA226KH01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ CHY Electronics) 22 F 35Vdc ±10% X7R 125 22uF KRM55QR7YA226KH01 - Product Image 3
KRM55QR7YA226KH01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ CHY Electronics) 22 F 35Vdc ±10% X7R 125 22uF KRM55QR7YA226KH01 - Product Image 4
KRM55QR7YA226KH01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ CHY Electronics) 22 F 35Vdc ±10% X7R 125 22uF KRM55QR7YA226KH01 - Product Image 5
KRM55QR7YA226KH01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ CHY Electronics) 22 F 35Vdc ±10% X7R 125 22uF KRM55QR7YA226KH01 - Product Image 6

KRM55QR7YA226KH01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ CHY Electronics) 22 F 35Vdc ±10% X7R 125 22uF KRM55QR7YA226KH01

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRM21BR61A476ME15 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 0805 47 F 10Vdc ±20% X5R 85 47uF GRM21BR61A476ME15 - Product Image 1
GRM21BR61A476ME15 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 0805 47 F 10Vdc ±20% X5R 85 47uF GRM21BR61A476ME15 - Product Image 2
GRM21BR61A476ME15 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 0805 47 F 10Vdc ±20% X5R 85 47uF GRM21BR61A476ME15 - Product Image 3
GRM21BR61A476ME15 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 0805 47 F 10Vdc ±20% X5R 85 47uF GRM21BR61A476ME15 - Product Image 4
GRM21BR61A476ME15 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 0805 47 F 10Vdc ±20% X5R 85 47uF GRM21BR61A476ME15 - Product Image 5
GRM21BR61A476ME15 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 0805 47 F 10Vdc ±20% X5R 85 47uF GRM21BR61A476ME15 - Product Image 6

GRM21BR61A476ME15 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 0805 47 F 10Vdc ±20% X5R 85 47uF GRM21BR61A476ME15

฿16.45-65.77
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

ykbishomyightybinyshiatsuysyyyycieokihuearyikkiawyzhouayahaliyahgiayyy