All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Chy

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

MCP1502T-12E ชิป VREF 1.25V SOT23-6ของแท้ใหม่ล่าสุด - Product Image 1
MCP1502T-12E ชิป VREF 1.25V SOT23-6ของแท้ใหม่ล่าสุด - Product Image 2
MCP1502T-12E ชิป VREF 1.25V SOT23-6ของแท้ใหม่ล่าสุด - Product Image 3
MCP1502T-12E ชิป VREF 1.25V SOT23-6ของแท้ใหม่ล่าสุด - Product Image 4
MCP1502T-12E ชิป VREF 1.25V SOT23-6ของแท้ใหม่ล่าสุด - Product Image 5
MCP1502T-12E ชิป VREF 1.25V SOT23-6ของแท้ใหม่ล่าสุด - Product Image 6

MCP1502T-12E ชิป VREF 1.25V SOT23-6ของแท้ใหม่ล่าสุด

฿3.29-26.31
MOQ: 100
GCM155D70E106ME36(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 0402 10 F 2.5Vdc ± 20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCM155D70E106ME36 - Product Image 1
GCM155D70E106ME36(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 0402 10 F 2.5Vdc ± 20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCM155D70E106ME36 - Product Image 2
GCM155D70E106ME36(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 0402 10 F 2.5Vdc ± 20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCM155D70E106ME36 - Product Image 3
GCM155D70E106ME36(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 0402 10 F 2.5Vdc ± 20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCM155D70E106ME36 - Product Image 4
GCM155D70E106ME36(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 0402 10 F 2.5Vdc ± 20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCM155D70E106ME36 - Product Image 5
GCM155D70E106ME36(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 0402 10 F 2.5Vdc ± 20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCM155D70E106ME36 - Product Image 6

GCM155D70E106ME36(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 0402 10 F 2.5Vdc ± 20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCM155D70E106ME36

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRT188C80J106ME13ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่0603 10 F 6.3Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT188C80J106ME13 - Product Image 1
GRT188C80J106ME13ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่0603 10 F 6.3Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT188C80J106ME13 - Product Image 2
GRT188C80J106ME13ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่0603 10 F 6.3Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT188C80J106ME13 - Product Image 3
GRT188C80J106ME13ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่0603 10 F 6.3Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT188C80J106ME13 - Product Image 4
GRT188C80J106ME13ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่0603 10 F 6.3Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT188C80J106ME13 - Product Image 5
GRT188C80J106ME13ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่0603 10 F 6.3Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT188C80J106ME13 - Product Image 6

GRT188C80J106ME13ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่0603 10 F 6.3Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT188C80J106ME13

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRM219R60J106KE19 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM219R60J106KE19 - Product Image 1
GRM219R60J106KE19 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM219R60J106KE19 - Product Image 2
GRM219R60J106KE19 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM219R60J106KE19 - Product Image 3
GRM219R60J106KE19 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM219R60J106KE19 - Product Image 4
GRM219R60J106KE19 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM219R60J106KE19 - Product Image 5
GRM219R60J106KE19 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM219R60J106KE19 - Product Image 6

GRM219R60J106KE19 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM219R60J106KE19

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRM188Z71A106MA73(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 10 F 10Vdc ± 20% X7R 125 GRM188Z71A106MA73 10uF - Product Image 1
GRM188Z71A106MA73(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 10 F 10Vdc ± 20% X7R 125 GRM188Z71A106MA73 10uF - Product Image 2
GRM188Z71A106MA73(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 10 F 10Vdc ± 20% X7R 125 GRM188Z71A106MA73 10uF - Product Image 3
GRM188Z71A106MA73(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 10 F 10Vdc ± 20% X7R 125 GRM188Z71A106MA73 10uF - Product Image 4
GRM188Z71A106MA73(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 10 F 10Vdc ± 20% X7R 125 GRM188Z71A106MA73 10uF - Product Image 5
GRM188Z71A106MA73(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 10 F 10Vdc ± 20% X7R 125 GRM188Z71A106MA73 10uF - Product Image 6

GRM188Z71A106MA73(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 10 F 10Vdc ± 20% X7R 125 GRM188Z71A106MA73 10uF

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRJ32ER71E106KE11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 10 F 25Vdc ± 10% X7R 125 GRJ32ER71E106KE11 10uF - Product Image 1
GRJ32ER71E106KE11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 10 F 25Vdc ± 10% X7R 125 GRJ32ER71E106KE11 10uF - Product Image 2
GRJ32ER71E106KE11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 10 F 25Vdc ± 10% X7R 125 GRJ32ER71E106KE11 10uF - Product Image 3
GRJ32ER71E106KE11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 10 F 25Vdc ± 10% X7R 125 GRJ32ER71E106KE11 10uF - Product Image 4
GRJ32ER71E106KE11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 10 F 25Vdc ± 10% X7R 125 GRJ32ER71E106KE11 10uF - Product Image 5
GRJ32ER71E106KE11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 10 F 25Vdc ± 10% X7R 125 GRJ32ER71E106KE11 10uF - Product Image 6

GRJ32ER71E106KE11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 10 F 25Vdc ± 10% X7R 125 GRJ32ER71E106KE11 10uF

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRM31CB11A106MA01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1206 10 F 10Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB11A106MA01 - Product Image 1
GRM31CB11A106MA01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1206 10 F 10Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB11A106MA01 - Product Image 2
GRM31CB11A106MA01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1206 10 F 10Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB11A106MA01 - Product Image 3
GRM31CB11A106MA01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1206 10 F 10Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB11A106MA01 - Product Image 4
GRM31CB11A106MA01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1206 10 F 10Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB11A106MA01 - Product Image 5
GRM31CB11A106MA01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1206 10 F 10Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB11A106MA01 - Product Image 6

GRM31CB11A106MA01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1206 10 F 10Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB11A106MA01

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRT32ER60J226KE01(ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 22 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32ER60J226KE01 - Product Image 1
GRT32ER60J226KE01(ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 22 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32ER60J226KE01 - Product Image 2
GRT32ER60J226KE01(ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 22 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32ER60J226KE01 - Product Image 3
GRT32ER60J226KE01(ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 22 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32ER60J226KE01 - Product Image 4
GRT32ER60J226KE01(ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 22 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32ER60J226KE01 - Product Image 5
GRT32ER60J226KE01(ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 22 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32ER60J226KE01 - Product Image 6

GRT32ER60J226KE01(ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 22 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32ER60J226KE01

฿16.45-65.77
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

ykbishomyightybinyshiatsuysyyyycieokihuearyikkiawyzhouayahaliyahgiayyy