All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Chy

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

GRM31MB30J106ME18(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31MB30J106ME18 - Product Image 1
GRM31MB30J106ME18(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31MB30J106ME18 - Product Image 2
GRM31MB30J106ME18(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31MB30J106ME18 - Product Image 3
GRM31MB30J106ME18(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31MB30J106ME18 - Product Image 4
GRM31MB30J106ME18(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31MB30J106ME18 - Product Image 5
GRM31MB30J106ME18(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31MB30J106ME18 - Product Image 6

GRM31MB30J106ME18(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31MB30J106ME18

฿16.45-65.77
MOQ: 1
ZRB18AR6YA106ME01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 10 F 35Vdc ± 20% X5R ZRB18AR6YA106ME01 85 10uF - Product Image 1
ZRB18AR6YA106ME01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 10 F 35Vdc ± 20% X5R ZRB18AR6YA106ME01 85 10uF - Product Image 2
ZRB18AR6YA106ME01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 10 F 35Vdc ± 20% X5R ZRB18AR6YA106ME01 85 10uF - Product Image 3
ZRB18AR6YA106ME01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 10 F 35Vdc ± 20% X5R ZRB18AR6YA106ME01 85 10uF - Product Image 4
ZRB18AR6YA106ME01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 10 F 35Vdc ± 20% X5R ZRB18AR6YA106ME01 85 10uF - Product Image 5
ZRB18AR6YA106ME01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 10 F 35Vdc ± 20% X5R ZRB18AR6YA106ME01 85 10uF - Product Image 6

ZRB18AR6YA106ME01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 10 F 35Vdc ± 20% X5R ZRB18AR6YA106ME01 85 10uF

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GCJ32ER70J476ME01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 47 F ± 6.3Vdc 20% X7R 125 AEC-Q200 47uF GCJ32ER70J476ME01 - Product Image 1
GCJ32ER70J476ME01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 47 F ± 6.3Vdc 20% X7R 125 AEC-Q200 47uF GCJ32ER70J476ME01 - Product Image 2
GCJ32ER70J476ME01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 47 F ± 6.3Vdc 20% X7R 125 AEC-Q200 47uF GCJ32ER70J476ME01 - Product Image 3
GCJ32ER70J476ME01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 47 F ± 6.3Vdc 20% X7R 125 AEC-Q200 47uF GCJ32ER70J476ME01 - Product Image 4
GCJ32ER70J476ME01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 47 F ± 6.3Vdc 20% X7R 125 AEC-Q200 47uF GCJ32ER70J476ME01 - Product Image 5
GCJ32ER70J476ME01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 47 F ± 6.3Vdc 20% X7R 125 AEC-Q200 47uF GCJ32ER70J476ME01 - Product Image 6

GCJ32ER70J476ME01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 47 F ± 6.3Vdc 20% X7R 125 AEC-Q200 47uF GCJ32ER70J476ME01

฿6.58-65.77
MOQ: 1
GCM155D70G106MEC4(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0402 10 F 4Vdc ± 20% X7T 125 AEC-Q200 GCM155D70G106MEC4 10uF - Product Image 1
GCM155D70G106MEC4(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0402 10 F 4Vdc ± 20% X7T 125 AEC-Q200 GCM155D70G106MEC4 10uF - Product Image 2
GCM155D70G106MEC4(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0402 10 F 4Vdc ± 20% X7T 125 AEC-Q200 GCM155D70G106MEC4 10uF - Product Image 3
GCM155D70G106MEC4(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0402 10 F 4Vdc ± 20% X7T 125 AEC-Q200 GCM155D70G106MEC4 10uF - Product Image 4
GCM155D70G106MEC4(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0402 10 F 4Vdc ± 20% X7T 125 AEC-Q200 GCM155D70G106MEC4 10uF - Product Image 5
GCM155D70G106MEC4(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0402 10 F 4Vdc ± 20% X7T 125 AEC-Q200 GCM155D70G106MEC4 10uF - Product Image 6

GCM155D70G106MEC4(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0402 10 F 4Vdc ± 20% X7T 125 AEC-Q200 GCM155D70G106MEC4 10uF

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRM21BR71A106ME51(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 10Vdc ± 20% X7R 125 GRM21BR71A106ME51 10uF - Product Image 1
GRM21BR71A106ME51(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 10Vdc ± 20% X7R 125 GRM21BR71A106ME51 10uF - Product Image 2
GRM21BR71A106ME51(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 10Vdc ± 20% X7R 125 GRM21BR71A106ME51 10uF - Product Image 3
GRM21BR71A106ME51(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 10Vdc ± 20% X7R 125 GRM21BR71A106ME51 10uF - Product Image 4
GRM21BR71A106ME51(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 10Vdc ± 20% X7R 125 GRM21BR71A106ME51 10uF - Product Image 5
GRM21BR71A106ME51(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 10Vdc ± 20% X7R 125 GRM21BR71A106ME51 10uF - Product Image 6

GRM21BR71A106ME51(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 10Vdc ± 20% X7R 125 GRM21BR71A106ME51 10uF

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRM188B30E226ME16(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 22 F ± 2.5Vdc 20% B 85 22uF GRM188B30E226ME16 - Product Image 1
GRM188B30E226ME16(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 22 F ± 2.5Vdc 20% B 85 22uF GRM188B30E226ME16 - Product Image 2
GRM188B30E226ME16(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 22 F ± 2.5Vdc 20% B 85 22uF GRM188B30E226ME16 - Product Image 3
GRM188B30E226ME16(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 22 F ± 2.5Vdc 20% B 85 22uF GRM188B30E226ME16 - Product Image 4
GRM188B30E226ME16(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 22 F ± 2.5Vdc 20% B 85 22uF GRM188B30E226ME16 - Product Image 5
GRM188B30E226ME16(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 22 F ± 2.5Vdc 20% B 85 22uF GRM188B30E226ME16 - Product Image 6

GRM188B30E226ME16(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0603 22 F ± 2.5Vdc 20% B 85 22uF GRM188B30E226ME16

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRM31MR60J106KE19 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM31MR60J106KE19 - Product Image 1
GRM31MR60J106KE19 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM31MR60J106KE19 - Product Image 2
GRM31MR60J106KE19 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM31MR60J106KE19 - Product Image 3
GRM31MR60J106KE19 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM31MR60J106KE19 - Product Image 4
GRM31MR60J106KE19 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM31MR60J106KE19 - Product Image 5
GRM31MR60J106KE19 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM31MR60J106KE19 - Product Image 6

GRM31MR60J106KE19 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM31MR60J106KE19

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRJ31CR70J226KE12(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1206 22 F 6.3Vdc ±10% X7R 125 22uF GRJ31CR70J226KE12 - Product Image 1
GRJ31CR70J226KE12(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1206 22 F 6.3Vdc ±10% X7R 125 22uF GRJ31CR70J226KE12 - Product Image 2
GRJ31CR70J226KE12(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1206 22 F 6.3Vdc ±10% X7R 125 22uF GRJ31CR70J226KE12 - Product Image 3
GRJ31CR70J226KE12(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1206 22 F 6.3Vdc ±10% X7R 125 22uF GRJ31CR70J226KE12 - Product Image 4
GRJ31CR70J226KE12(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1206 22 F 6.3Vdc ±10% X7R 125 22uF GRJ31CR70J226KE12 - Product Image 5
GRJ31CR70J226KE12(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1206 22 F 6.3Vdc ±10% X7R 125 22uF GRJ31CR70J226KE12 - Product Image 6

GRJ31CR70J226KE12(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1206 22 F 6.3Vdc ±10% X7R 125 22uF GRJ31CR70J226KE12

฿16.45-65.77
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

ykbishomyightybinyshiatsuysyyyycieokihuearyikkiawyzhouayahaliyahgiayyy