All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Chy

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

GRM21BR61E226ME44(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0805 22 F ± 25Vdc 20% X5R GRM21BR61E226ME44 85 22uF - Product Image 1
GRM21BR61E226ME44(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0805 22 F ± 25Vdc 20% X5R GRM21BR61E226ME44 85 22uF - Product Image 2
GRM21BR61E226ME44(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0805 22 F ± 25Vdc 20% X5R GRM21BR61E226ME44 85 22uF - Product Image 3
GRM21BR61E226ME44(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0805 22 F ± 25Vdc 20% X5R GRM21BR61E226ME44 85 22uF - Product Image 4
GRM21BR61E226ME44(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0805 22 F ± 25Vdc 20% X5R GRM21BR61E226ME44 85 22uF - Product Image 5
GRM21BR61E226ME44(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0805 22 F ± 25Vdc 20% X5R GRM21BR61E226ME44 85 22uF - Product Image 6

GRM21BR61E226ME44(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0805 22 F ± 25Vdc 20% X5R GRM21BR61E226ME44 85 22uF

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRM155C60E106ME16(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0402 10 F 2.5Vdc ± 20% X5S GRM155C60E106ME16 85 10uF - Product Image 1
GRM155C60E106ME16(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0402 10 F 2.5Vdc ± 20% X5S GRM155C60E106ME16 85 10uF - Product Image 2
GRM155C60E106ME16(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0402 10 F 2.5Vdc ± 20% X5S GRM155C60E106ME16 85 10uF - Product Image 3
GRM155C60E106ME16(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0402 10 F 2.5Vdc ± 20% X5S GRM155C60E106ME16 85 10uF - Product Image 4
GRM155C60E106ME16(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0402 10 F 2.5Vdc ± 20% X5S GRM155C60E106ME16 85 10uF - Product Image 5
GRM155C60E106ME16(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0402 10 F 2.5Vdc ± 20% X5S GRM155C60E106ME16 85 10uF - Product Image 6

GRM155C60E106ME16(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0402 10 F 2.5Vdc ± 20% X5S GRM155C60E106ME16 85 10uF

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRM219R61E106KA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 25Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM219R61E106KA12 - Product Image 1
GRM219R61E106KA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 25Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM219R61E106KA12 - Product Image 2
GRM219R61E106KA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 25Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM219R61E106KA12 - Product Image 3
GRM219R61E106KA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 25Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM219R61E106KA12 - Product Image 4
GRM219R61E106KA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 25Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM219R61E106KA12 - Product Image 5
GRM219R61E106KA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 25Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM219R61E106KA12 - Product Image 6

GRM219R61E106KA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 25Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM219R61E106KA12

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRM188C80J226ME01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0603 22 F 6.3Vdc ± 20% X6S 105 22uF GRM188C80J226ME01 - Product Image 1
GRM188C80J226ME01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0603 22 F 6.3Vdc ± 20% X6S 105 22uF GRM188C80J226ME01 - Product Image 2
GRM188C80J226ME01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0603 22 F 6.3Vdc ± 20% X6S 105 22uF GRM188C80J226ME01 - Product Image 3
GRM188C80J226ME01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0603 22 F 6.3Vdc ± 20% X6S 105 22uF GRM188C80J226ME01 - Product Image 4
GRM188C80J226ME01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0603 22 F 6.3Vdc ± 20% X6S 105 22uF GRM188C80J226ME01 - Product Image 5
GRM188C80J226ME01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0603 22 F 6.3Vdc ± 20% X6S 105 22uF GRM188C80J226ME01 - Product Image 6

GRM188C80J226ME01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0603 22 F 6.3Vdc ± 20% X6S 105 22uF GRM188C80J226ME01

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRM188R61E106KA73(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0603 10 F 25Vdc ± 10% X5R GRM188R61E106KA73 85 10uF - Product Image 1
GRM188R61E106KA73(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0603 10 F 25Vdc ± 10% X5R GRM188R61E106KA73 85 10uF - Product Image 2
GRM188R61E106KA73(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0603 10 F 25Vdc ± 10% X5R GRM188R61E106KA73 85 10uF - Product Image 3
GRM188R61E106KA73(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0603 10 F 25Vdc ± 10% X5R GRM188R61E106KA73 85 10uF - Product Image 4
GRM188R61E106KA73(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0603 10 F 25Vdc ± 10% X5R GRM188R61E106KA73 85 10uF - Product Image 5
GRM188R61E106KA73(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0603 10 F 25Vdc ± 10% X5R GRM188R61E106KA73 85 10uF - Product Image 6

GRM188R61E106KA73(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0603 10 F 25Vdc ± 10% X5R GRM188R61E106KA73 85 10uF

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRM21BR60J107ME15 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 100 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 100uF GRM21BR60J107ME15 - Product Image 1
GRM21BR60J107ME15 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 100 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 100uF GRM21BR60J107ME15 - Product Image 2
GRM21BR60J107ME15 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 100 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 100uF GRM21BR60J107ME15 - Product Image 3
GRM21BR60J107ME15 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 100 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 100uF GRM21BR60J107ME15 - Product Image 4
GRM21BR60J107ME15 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 100 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 100uF GRM21BR60J107ME15 - Product Image 5
GRM21BR60J107ME15 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 100 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 100uF GRM21BR60J107ME15 - Product Image 6

GRM21BR60J107ME15 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 100 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 100uF GRM21BR60J107ME15

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRM32DR71E106KA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 10 F 25Vdc ±10% X7R 125 10uF GRM32DR71E106KA12 - Product Image 1
GRM32DR71E106KA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 10 F 25Vdc ±10% X7R 125 10uF GRM32DR71E106KA12 - Product Image 2
GRM32DR71E106KA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 10 F 25Vdc ±10% X7R 125 10uF GRM32DR71E106KA12 - Product Image 3
GRM32DR71E106KA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 10 F 25Vdc ±10% X7R 125 10uF GRM32DR71E106KA12 - Product Image 4
GRM32DR71E106KA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 10 F 25Vdc ±10% X7R 125 10uF GRM32DR71E106KA12 - Product Image 5
GRM32DR71E106KA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 10 F 25Vdc ±10% X7R 125 10uF GRM32DR71E106KA12 - Product Image 6

GRM32DR71E106KA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 10 F 25Vdc ±10% X7R 125 10uF GRM32DR71E106KA12

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRM21BC81D106ME51(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 20Vdc ± 20% X6S 105 GRM21BC81D106ME51 10uF - Product Image 1
GRM21BC81D106ME51(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 20Vdc ± 20% X6S 105 GRM21BC81D106ME51 10uF - Product Image 2
GRM21BC81D106ME51(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 20Vdc ± 20% X6S 105 GRM21BC81D106ME51 10uF - Product Image 3
GRM21BC81D106ME51(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 20Vdc ± 20% X6S 105 GRM21BC81D106ME51 10uF - Product Image 4
GRM21BC81D106ME51(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 20Vdc ± 20% X6S 105 GRM21BC81D106ME51 10uF - Product Image 5
GRM21BC81D106ME51(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 20Vdc ± 20% X6S 105 GRM21BC81D106ME51 10uF - Product Image 6

GRM21BC81D106ME51(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 20Vdc ± 20% X6S 105 GRM21BC81D106ME51 10uF

฿16.45-65.77
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

ykbishomyightybinyshiatsuysyyyycieokihuearyikkiawyzhouayahaliyahgiayyy