All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Chy

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

GCJ31CC71E106KA15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 10 F 25Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCJ31CC71E106KA15 - Product Image 1
GCJ31CC71E106KA15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 10 F 25Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCJ31CC71E106KA15 - Product Image 2
GCJ31CC71E106KA15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 10 F 25Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCJ31CC71E106KA15 - Product Image 3
GCJ31CC71E106KA15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 10 F 25Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCJ31CC71E106KA15 - Product Image 4
GCJ31CC71E106KA15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 10 F 25Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCJ31CC71E106KA15 - Product Image 5
GCJ31CC71E106KA15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 10 F 25Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCJ31CC71E106KA15 - Product Image 6

GCJ31CC71E106KA15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 10 F 25Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCJ31CC71E106KA15

฿16.25-64.99
MOQ: 1
GRT31CR61C106KE01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 16Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT31CR61C106KE01 - Product Image 1
GRT31CR61C106KE01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 16Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT31CR61C106KE01 - Product Image 2
GRT31CR61C106KE01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 16Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT31CR61C106KE01 - Product Image 3
GRT31CR61C106KE01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 16Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT31CR61C106KE01 - Product Image 4
GRT31CR61C106KE01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 16Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT31CR61C106KE01 - Product Image 5
GRT31CR61C106KE01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 16Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT31CR61C106KE01 - Product Image 6

GRT31CR61C106KE01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 16Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT31CR61C106KE01

฿16.25-64.99
MOQ: 1
GRT31CC71E226ME13ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 1206 22 F 25Vdc ± 20% X7S 125 AEC-Q200 22uF GRT31CC71E226ME13 - Product Image 1
GRT31CC71E226ME13ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 1206 22 F 25Vdc ± 20% X7S 125 AEC-Q200 22uF GRT31CC71E226ME13 - Product Image 2
GRT31CC71E226ME13ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 1206 22 F 25Vdc ± 20% X7S 125 AEC-Q200 22uF GRT31CC71E226ME13 - Product Image 3
GRT31CC71E226ME13ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 1206 22 F 25Vdc ± 20% X7S 125 AEC-Q200 22uF GRT31CC71E226ME13 - Product Image 4
GRT31CC71E226ME13ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 1206 22 F 25Vdc ± 20% X7S 125 AEC-Q200 22uF GRT31CC71E226ME13 - Product Image 5
GRT31CC71E226ME13ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 1206 22 F 25Vdc ± 20% X7S 125 AEC-Q200 22uF GRT31CC71E226ME13 - Product Image 6

GRT31CC71E226ME13ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 1206 22 F 25Vdc ± 20% X7S 125 AEC-Q200 22uF GRT31CC71E226ME13

฿16.25-64.99
MOQ: 1
GCJ31CR71A106MA13ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่1206 10 F 10Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCJ31CR71A106MA13 - Product Image 1
GCJ31CR71A106MA13ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่1206 10 F 10Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCJ31CR71A106MA13 - Product Image 2
GCJ31CR71A106MA13ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่1206 10 F 10Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCJ31CR71A106MA13 - Product Image 3
GCJ31CR71A106MA13ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่1206 10 F 10Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCJ31CR71A106MA13 - Product Image 4
GCJ31CR71A106MA13ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่1206 10 F 10Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCJ31CR71A106MA13 - Product Image 5
GCJ31CR71A106MA13ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่1206 10 F 10Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCJ31CR71A106MA13 - Product Image 6

GCJ31CR71A106MA13ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่1206 10 F 10Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCJ31CR71A106MA13

฿16.25-64.99
MOQ: 1
GRM155C80G156ME05(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0402 15 F 4Vdc ± 20% X6S 105 15uF GRM155C80G156ME05 - Product Image 1
GRM155C80G156ME05(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0402 15 F 4Vdc ± 20% X6S 105 15uF GRM155C80G156ME05 - Product Image 2
GRM155C80G156ME05(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0402 15 F 4Vdc ± 20% X6S 105 15uF GRM155C80G156ME05 - Product Image 3
GRM155C80G156ME05(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0402 15 F 4Vdc ± 20% X6S 105 15uF GRM155C80G156ME05 - Product Image 4
GRM155C80G156ME05(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0402 15 F 4Vdc ± 20% X6S 105 15uF GRM155C80G156ME05 - Product Image 5
GRM155C80G156ME05(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0402 15 F 4Vdc ± 20% X6S 105 15uF GRM155C80G156ME05 - Product Image 6

GRM155C80G156ME05(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0402 15 F 4Vdc ± 20% X6S 105 15uF GRM155C80G156ME05

฿16.25-64.99
MOQ: 1
GRT31CC81A226ME01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 22 F 10Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 22uF GRT31CC81A226ME01 - Product Image 1
GRT31CC81A226ME01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 22 F 10Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 22uF GRT31CC81A226ME01 - Product Image 2
GRT31CC81A226ME01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 22 F 10Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 22uF GRT31CC81A226ME01 - Product Image 3
GRT31CC81A226ME01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 22 F 10Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 22uF GRT31CC81A226ME01 - Product Image 4
GRT31CC81A226ME01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 22 F 10Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 22uF GRT31CC81A226ME01 - Product Image 5
GRT31CC81A226ME01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 22 F 10Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 22uF GRT31CC81A226ME01 - Product Image 6

GRT31CC81A226ME01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 22 F 10Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 22uF GRT31CC81A226ME01

฿16.25-64.99
MOQ: 1
GRM43ER61C226KE01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1812 22 F ± 16Vdc 10% X5R GRM43ER61C226KE01 85 22uF - Product Image 1
GRM43ER61C226KE01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1812 22 F ± 16Vdc 10% X5R GRM43ER61C226KE01 85 22uF - Product Image 2
GRM43ER61C226KE01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1812 22 F ± 16Vdc 10% X5R GRM43ER61C226KE01 85 22uF - Product Image 3
GRM43ER61C226KE01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1812 22 F ± 16Vdc 10% X5R GRM43ER61C226KE01 85 22uF - Product Image 4
GRM43ER61C226KE01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1812 22 F ± 16Vdc 10% X5R GRM43ER61C226KE01 85 22uF - Product Image 5
GRM43ER61C226KE01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1812 22 F ± 16Vdc 10% X5R GRM43ER61C226KE01 85 22uF - Product Image 6

GRM43ER61C226KE01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1812 22 F ± 16Vdc 10% X5R GRM43ER61C226KE01 85 22uF

฿16.25-64.99
MOQ: 1
KCM55WR72A226MH01(CHY ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 22 F 100Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 22uF KCM55WR72A226MH01 - Product Image 1
KCM55WR72A226MH01(CHY ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 22 F 100Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 22uF KCM55WR72A226MH01 - Product Image 2
KCM55WR72A226MH01(CHY ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 22 F 100Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 22uF KCM55WR72A226MH01 - Product Image 3
KCM55WR72A226MH01(CHY ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 22 F 100Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 22uF KCM55WR72A226MH01 - Product Image 4
KCM55WR72A226MH01(CHY ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 22 F 100Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 22uF KCM55WR72A226MH01 - Product Image 5
KCM55WR72A226MH01(CHY ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 22 F 100Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 22uF KCM55WR72A226MH01 - Product Image 6

KCM55WR72A226MH01(CHY ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 22 F 100Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 22uF KCM55WR72A226MH01

฿16.25-64.99
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

ykbishomyightybinyshiatsuysyyyycieokihuearyikkiawyzhouayahaliyahgiayyy