All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Chy

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

GRM31CR61C106KA88(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 16Vdc ± 10% X5R GRM31CR61C106KA88 85 10uF - Product Image 1
GRM31CR61C106KA88(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 16Vdc ± 10% X5R GRM31CR61C106KA88 85 10uF - Product Image 2
GRM31CR61C106KA88(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 16Vdc ± 10% X5R GRM31CR61C106KA88 85 10uF - Product Image 3
GRM31CR61C106KA88(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 16Vdc ± 10% X5R GRM31CR61C106KA88 85 10uF - Product Image 4
GRM31CR61C106KA88(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 16Vdc ± 10% X5R GRM31CR61C106KA88 85 10uF - Product Image 5
GRM31CR61C106KA88(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 16Vdc ± 10% X5R GRM31CR61C106KA88 85 10uF - Product Image 6

GRM31CR61C106KA88(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 16Vdc ± 10% X5R GRM31CR61C106KA88 85 10uF

฿16.32-65.26
MOQ: 1
GRM31CC81C106KE19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1206 10 F 16Vdc ± 10% X6S 105 GRM31CC81C106KE19 10uF - Product Image 1
GRM31CC81C106KE19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1206 10 F 16Vdc ± 10% X6S 105 GRM31CC81C106KE19 10uF - Product Image 2
GRM31CC81C106KE19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1206 10 F 16Vdc ± 10% X6S 105 GRM31CC81C106KE19 10uF - Product Image 3
GRM31CC81C106KE19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1206 10 F 16Vdc ± 10% X6S 105 GRM31CC81C106KE19 10uF - Product Image 4
GRM31CC81C106KE19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1206 10 F 16Vdc ± 10% X6S 105 GRM31CC81C106KE19 10uF - Product Image 5
GRM31CC81C106KE19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1206 10 F 16Vdc ± 10% X6S 105 GRM31CC81C106KE19 10uF - Product Image 6

GRM31CC81C106KE19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1206 10 F 16Vdc ± 10% X6S 105 GRM31CC81C106KE19 10uF

฿16.32-65.26
MOQ: 1
MCP1501T-40E ชิป IC VREF 4.096V SOT23-6ของแท้ใหม่ล่าสุด - Product Image 1
MCP1501T-40E ชิป IC VREF 4.096V SOT23-6ของแท้ใหม่ล่าสุด - Product Image 2
MCP1501T-40E ชิป IC VREF 4.096V SOT23-6ของแท้ใหม่ล่าสุด - Product Image 3
MCP1501T-40E ชิป IC VREF 4.096V SOT23-6ของแท้ใหม่ล่าสุด - Product Image 4
MCP1501T-40E ชิป IC VREF 4.096V SOT23-6ของแท้ใหม่ล่าสุด - Product Image 5
MCP1501T-40E ชิป IC VREF 4.096V SOT23-6ของแท้ใหม่ล่าสุด - Product Image 6

MCP1501T-40E ชิป IC VREF 4.096V SOT23-6ของแท้ใหม่ล่าสุด

฿3.27-16.32
MOQ: 100
ZRB18AC80E476ME01 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0603 47 F 2.5Vdc ±20% X6S 105 47uF ZRB18AC80E476ME01 - Product Image 1
ZRB18AC80E476ME01 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0603 47 F 2.5Vdc ±20% X6S 105 47uF ZRB18AC80E476ME01 - Product Image 2
ZRB18AC80E476ME01 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0603 47 F 2.5Vdc ±20% X6S 105 47uF ZRB18AC80E476ME01 - Product Image 3
ZRB18AC80E476ME01 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0603 47 F 2.5Vdc ±20% X6S 105 47uF ZRB18AC80E476ME01 - Product Image 4
ZRB18AC80E476ME01 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0603 47 F 2.5Vdc ±20% X6S 105 47uF ZRB18AC80E476ME01 - Product Image 5
ZRB18AC80E476ME01 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0603 47 F 2.5Vdc ±20% X6S 105 47uF ZRB18AC80E476ME01 - Product Image 6

ZRB18AC80E476ME01 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0603 47 F 2.5Vdc ±20% X6S 105 47uF ZRB18AC80E476ME01

฿6.53-65.26
MOQ: 1
GRM319R60J106ME19(CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1206 10 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM319R60J106ME19 - Product Image 1
GRM319R60J106ME19(CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1206 10 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM319R60J106ME19 - Product Image 2
GRM319R60J106ME19(CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1206 10 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM319R60J106ME19 - Product Image 3
GRM319R60J106ME19(CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1206 10 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM319R60J106ME19 - Product Image 4
GRM319R60J106ME19(CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1206 10 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM319R60J106ME19 - Product Image 5
GRM319R60J106ME19(CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1206 10 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM319R60J106ME19 - Product Image 6

GRM319R60J106ME19(CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1206 10 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM319R60J106ME19

฿16.32-65.26
MOQ: 1
GRM319C80J106ME19(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 6.3Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM319C80J106ME19 - Product Image 1
GRM319C80J106ME19(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 6.3Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM319C80J106ME19 - Product Image 2
GRM319C80J106ME19(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 6.3Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM319C80J106ME19 - Product Image 3
GRM319C80J106ME19(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 6.3Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM319C80J106ME19 - Product Image 4
GRM319C80J106ME19(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 6.3Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM319C80J106ME19 - Product Image 5
GRM319C80J106ME19(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 6.3Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM319C80J106ME19 - Product Image 6

GRM319C80J106ME19(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 6.3Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM319C80J106ME19

฿16.32-65.26
MOQ: 1
GRM31CB30J226KE18(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 22 F ± 6.3Vdc 10% B 85 22uF GRM31CB30J226KE18 - Product Image 1
GRM31CB30J226KE18(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 22 F ± 6.3Vdc 10% B 85 22uF GRM31CB30J226KE18 - Product Image 2
GRM31CB30J226KE18(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 22 F ± 6.3Vdc 10% B 85 22uF GRM31CB30J226KE18 - Product Image 3
GRM31CB30J226KE18(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 22 F ± 6.3Vdc 10% B 85 22uF GRM31CB30J226KE18 - Product Image 4
GRM31CB30J226KE18(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 22 F ± 6.3Vdc 10% B 85 22uF GRM31CB30J226KE18 - Product Image 5
GRM31CB30J226KE18(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 22 F ± 6.3Vdc 10% B 85 22uF GRM31CB30J226KE18 - Product Image 6

GRM31CB30J226KE18(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 22 F ± 6.3Vdc 10% B 85 22uF GRM31CB30J226KE18

฿16.32-65.26
MOQ: 1
GRM21BC80G476ME18(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 47 F ± 4Vdc 20% X6S 105 47uF GRM21BC80G476ME18 - Product Image 1
GRM21BC80G476ME18(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 47 F ± 4Vdc 20% X6S 105 47uF GRM21BC80G476ME18 - Product Image 2
GRM21BC80G476ME18(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 47 F ± 4Vdc 20% X6S 105 47uF GRM21BC80G476ME18 - Product Image 3
GRM21BC80G476ME18(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 47 F ± 4Vdc 20% X6S 105 47uF GRM21BC80G476ME18 - Product Image 4
GRM21BC80G476ME18(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 47 F ± 4Vdc 20% X6S 105 47uF GRM21BC80G476ME18 - Product Image 5
GRM21BC80G476ME18(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 47 F ± 4Vdc 20% X6S 105 47uF GRM21BC80G476ME18 - Product Image 6

GRM21BC80G476ME18(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 47 F ± 4Vdc 20% X6S 105 47uF GRM21BC80G476ME18

฿16.32-65.26
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

ykbishomyightybinyshiatsuysyyyycieokihuearyikkiawyzhouayahaliyahgiayyy