All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Chy

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

GRM32NR61A226ME19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 20% X5R 85 22uF GRM32NR61A226ME19 - Product Image 1
GRM32NR61A226ME19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 20% X5R 85 22uF GRM32NR61A226ME19 - Product Image 2
GRM32NR61A226ME19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 20% X5R 85 22uF GRM32NR61A226ME19 - Product Image 3
GRM32NR61A226ME19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 20% X5R 85 22uF GRM32NR61A226ME19 - Product Image 4
GRM32NR61A226ME19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 20% X5R 85 22uF GRM32NR61A226ME19 - Product Image 5
GRM32NR61A226ME19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 20% X5R 85 22uF GRM32NR61A226ME19 - Product Image 6

GRM32NR61A226ME19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 20% X5R 85 22uF GRM32NR61A226ME19

฿16.32-65.26
MOQ: 1
CHY ชิปอ้างอิง TLVH431ของแท้ใหม่ TLVH431BIL3T แรงดันไฟฟ้าและ A292กระแสไฟที่เสถียร - Product Image 1
CHY ชิปอ้างอิง TLVH431ของแท้ใหม่ TLVH431BIL3T แรงดันไฟฟ้าและ A292กระแสไฟที่เสถียร - Product Image 2
CHY ชิปอ้างอิง TLVH431ของแท้ใหม่ TLVH431BIL3T แรงดันไฟฟ้าและ A292กระแสไฟที่เสถียร - Product Image 3
CHY ชิปอ้างอิง TLVH431ของแท้ใหม่ TLVH431BIL3T แรงดันไฟฟ้าและ A292กระแสไฟที่เสถียร - Product Image 4
CHY ชิปอ้างอิง TLVH431ของแท้ใหม่ TLVH431BIL3T แรงดันไฟฟ้าและ A292กระแสไฟที่เสถียร - Product Image 5

CHY ชิปอ้างอิง TLVH431ของแท้ใหม่ TLVH431BIL3T แรงดันไฟฟ้าและ A292กระแสไฟที่เสถียร

฿3.59-4.90
MOQ: 1
CHY telescopic เสาอากาศ ANT500 ANT500 ANT700 (75MHz 1GHz) ANT700(300 MHz ถึง1.1GHz) สำหรับ hackrf หนึ่ง H274จีนแผ่นดินใหญ่ - Product Image 1
CHY telescopic เสาอากาศ ANT500 ANT500 ANT700 (75MHz 1GHz) ANT700(300 MHz ถึง1.1GHz) สำหรับ hackrf หนึ่ง H274จีนแผ่นดินใหญ่ - Product Image 2
CHY telescopic เสาอากาศ ANT500 ANT500 ANT700 (75MHz 1GHz) ANT700(300 MHz ถึง1.1GHz) สำหรับ hackrf หนึ่ง H274จีนแผ่นดินใหญ่ - Product Image 3
CHY telescopic เสาอากาศ ANT500 ANT500 ANT700 (75MHz 1GHz) ANT700(300 MHz ถึง1.1GHz) สำหรับ hackrf หนึ่ง H274จีนแผ่นดินใหญ่ - Product Image 4
CHY telescopic เสาอากาศ ANT500 ANT500 ANT700 (75MHz 1GHz) ANT700(300 MHz ถึง1.1GHz) สำหรับ hackrf หนึ่ง H274จีนแผ่นดินใหญ่ - Product Image 5
CHY telescopic เสาอากาศ ANT500 ANT500 ANT700 (75MHz 1GHz) ANT700(300 MHz ถึง1.1GHz) สำหรับ hackrf หนึ่ง H274จีนแผ่นดินใหญ่ - Product Image 6

CHY telescopic เสาอากาศ ANT500 ANT500 ANT700 (75MHz 1GHz) ANT700(300 MHz ถึง1.1GHz) สำหรับ hackrf หนึ่ง H274จีนแผ่นดินใหญ่

฿721.06-789.58
MOQ: 1
GRM31CB10J106KA01ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY SMD MLCC 1206 10 F 6.3Vdc ± 10% B 85 10uF GRM31CB10J106KA01 - Product Image 1
GRM31CB10J106KA01ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY SMD MLCC 1206 10 F 6.3Vdc ± 10% B 85 10uF GRM31CB10J106KA01 - Product Image 2
GRM31CB10J106KA01ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY SMD MLCC 1206 10 F 6.3Vdc ± 10% B 85 10uF GRM31CB10J106KA01 - Product Image 3
GRM31CB10J106KA01ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY SMD MLCC 1206 10 F 6.3Vdc ± 10% B 85 10uF GRM31CB10J106KA01 - Product Image 4
GRM31CB10J106KA01ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY SMD MLCC 1206 10 F 6.3Vdc ± 10% B 85 10uF GRM31CB10J106KA01 - Product Image 5
GRM31CB10J106KA01ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY SMD MLCC 1206 10 F 6.3Vdc ± 10% B 85 10uF GRM31CB10J106KA01 - Product Image 6

GRM31CB10J106KA01ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY SMD MLCC 1206 10 F 6.3Vdc ± 10% B 85 10uF GRM31CB10J106KA01

฿16.32-65.26
MOQ: 1
STM32F103C8T6 STM32F103C6T6ชี่สำหรับโมดูลบอร์ด STM32พัฒนาระบบขั้นต่ำสำหรับ D10 -40-+ 85C - Product Image 1
STM32F103C8T6 STM32F103C6T6ชี่สำหรับโมดูลบอร์ด STM32พัฒนาระบบขั้นต่ำสำหรับ D10 -40-+ 85C - Product Image 2
STM32F103C8T6 STM32F103C6T6ชี่สำหรับโมดูลบอร์ด STM32พัฒนาระบบขั้นต่ำสำหรับ D10 -40-+ 85C - Product Image 3
STM32F103C8T6 STM32F103C6T6ชี่สำหรับโมดูลบอร์ด STM32พัฒนาระบบขั้นต่ำสำหรับ D10 -40-+ 85C - Product Image 4
STM32F103C8T6 STM32F103C6T6ชี่สำหรับโมดูลบอร์ด STM32พัฒนาระบบขั้นต่ำสำหรับ D10 -40-+ 85C - Product Image 5

STM32F103C8T6 STM32F103C6T6ชี่สำหรับโมดูลบอร์ด STM32พัฒนาระบบขั้นต่ำสำหรับ D10 -40-+ 85C

฿65.26-97.89
MOQ: 5
GRM31CR71C106KAC7(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 10 F 16Vdc ± 10% X7R 125 GRM31CR71C106KAC7 10uF - Product Image 1
GRM31CR71C106KAC7(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 10 F 16Vdc ± 10% X7R 125 GRM31CR71C106KAC7 10uF - Product Image 2
GRM31CR71C106KAC7(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 10 F 16Vdc ± 10% X7R 125 GRM31CR71C106KAC7 10uF - Product Image 3
GRM31CR71C106KAC7(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 10 F 16Vdc ± 10% X7R 125 GRM31CR71C106KAC7 10uF - Product Image 4
GRM31CR71C106KAC7(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 10 F 16Vdc ± 10% X7R 125 GRM31CR71C106KAC7 10uF - Product Image 5
GRM31CR71C106KAC7(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 10 F 16Vdc ± 10% X7R 125 GRM31CR71C106KAC7 10uF - Product Image 6

GRM31CR71C106KAC7(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 10 F 16Vdc ± 10% X7R 125 GRM31CR71C106KAC7 10uF

฿16.32-65.26
MOQ: 1
GRM188R60J476ME01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0603 47 F ± 6.3Vdc 20% X5R GRM188R60J476ME01 85 47uF - Product Image 1
GRM188R60J476ME01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0603 47 F ± 6.3Vdc 20% X5R GRM188R60J476ME01 85 47uF - Product Image 2
GRM188R60J476ME01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0603 47 F ± 6.3Vdc 20% X5R GRM188R60J476ME01 85 47uF - Product Image 3
GRM188R60J476ME01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0603 47 F ± 6.3Vdc 20% X5R GRM188R60J476ME01 85 47uF - Product Image 4
GRM188R60J476ME01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0603 47 F ± 6.3Vdc 20% X5R GRM188R60J476ME01 85 47uF - Product Image 5
GRM188R60J476ME01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0603 47 F ± 6.3Vdc 20% X5R GRM188R60J476ME01 85 47uF - Product Image 6

GRM188R60J476ME01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0603 47 F ± 6.3Vdc 20% X5R GRM188R60J476ME01 85 47uF

฿16.32-65.26
MOQ: 1
GRM319B31E106KA12ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY SMD MLCC 1206 10 F 25Vdc ± 10% B 85 10uF GRM319B31E106KA12 - Product Image 1
GRM319B31E106KA12ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY SMD MLCC 1206 10 F 25Vdc ± 10% B 85 10uF GRM319B31E106KA12 - Product Image 2
GRM319B31E106KA12ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY SMD MLCC 1206 10 F 25Vdc ± 10% B 85 10uF GRM319B31E106KA12 - Product Image 3
GRM319B31E106KA12ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY SMD MLCC 1206 10 F 25Vdc ± 10% B 85 10uF GRM319B31E106KA12 - Product Image 4
GRM319B31E106KA12ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY SMD MLCC 1206 10 F 25Vdc ± 10% B 85 10uF GRM319B31E106KA12 - Product Image 5
GRM319B31E106KA12ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY SMD MLCC 1206 10 F 25Vdc ± 10% B 85 10uF GRM319B31E106KA12 - Product Image 6

GRM319B31E106KA12ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY SMD MLCC 1206 10 F 25Vdc ± 10% B 85 10uF GRM319B31E106KA12

฿16.32-65.26
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

ykbishomyightybinyshiatsuysyyyycieokihuearyikkiawyzhouayahaliyahgiayyy