All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Chy

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

GRM319R60J226ME15(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R GRM319R60J226ME15 85 22uF - Product Image 1
GRM319R60J226ME15(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R GRM319R60J226ME15 85 22uF - Product Image 2
GRM319R60J226ME15(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R GRM319R60J226ME15 85 22uF - Product Image 3
GRM319R60J226ME15(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R GRM319R60J226ME15 85 22uF - Product Image 4
GRM319R60J226ME15(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R GRM319R60J226ME15 85 22uF - Product Image 5
GRM319R60J226ME15(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R GRM319R60J226ME15 85 22uF - Product Image 6

GRM319R60J226ME15(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R GRM319R60J226ME15 85 22uF

฿16.33-65.30
MOQ: 1
CHY NOR แฟลช SOIC-8 SST25VF SST25VF020B-80-4C-SAE-T วงจรรวมยึดพื้นผิว A347 - Product Image 1
CHY NOR แฟลช SOIC-8 SST25VF SST25VF020B-80-4C-SAE-T วงจรรวมยึดพื้นผิว A347 - Product Image 2
CHY NOR แฟลช SOIC-8 SST25VF SST25VF020B-80-4C-SAE-T วงจรรวมยึดพื้นผิว A347 - Product Image 3
CHY NOR แฟลช SOIC-8 SST25VF SST25VF020B-80-4C-SAE-T วงจรรวมยึดพื้นผิว A347 - Product Image 4
CHY NOR แฟลช SOIC-8 SST25VF SST25VF020B-80-4C-SAE-T วงจรรวมยึดพื้นผิว A347 - Product Image 5
CHY NOR แฟลช SOIC-8 SST25VF SST25VF020B-80-4C-SAE-T วงจรรวมยึดพื้นผิว A347 - Product Image 6

CHY NOR แฟลช SOIC-8 SST25VF SST25VF020B-80-4C-SAE-T วงจรรวมยึดพื้นผิว A347

฿6.53-16.98
MOQ: 1
GRM32NR61A226ME19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 20% X5R 85 22uF GRM32NR61A226ME19 - Product Image 1
GRM32NR61A226ME19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 20% X5R 85 22uF GRM32NR61A226ME19 - Product Image 2
GRM32NR61A226ME19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 20% X5R 85 22uF GRM32NR61A226ME19 - Product Image 3
GRM32NR61A226ME19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 20% X5R 85 22uF GRM32NR61A226ME19 - Product Image 4
GRM32NR61A226ME19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 20% X5R 85 22uF GRM32NR61A226ME19 - Product Image 5
GRM32NR61A226ME19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 20% X5R 85 22uF GRM32NR61A226ME19 - Product Image 6

GRM32NR61A226ME19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 20% X5R 85 22uF GRM32NR61A226ME19

฿16.33-65.30
MOQ: 1
CHY ชิปอ้างอิง TLVH431ของแท้ใหม่ TLVH431BIL3T แรงดันไฟฟ้าและ A292กระแสไฟที่เสถียร - Product Image 1
CHY ชิปอ้างอิง TLVH431ของแท้ใหม่ TLVH431BIL3T แรงดันไฟฟ้าและ A292กระแสไฟที่เสถียร - Product Image 2
CHY ชิปอ้างอิง TLVH431ของแท้ใหม่ TLVH431BIL3T แรงดันไฟฟ้าและ A292กระแสไฟที่เสถียร - Product Image 3
CHY ชิปอ้างอิง TLVH431ของแท้ใหม่ TLVH431BIL3T แรงดันไฟฟ้าและ A292กระแสไฟที่เสถียร - Product Image 4
CHY ชิปอ้างอิง TLVH431ของแท้ใหม่ TLVH431BIL3T แรงดันไฟฟ้าและ A292กระแสไฟที่เสถียร - Product Image 5

CHY ชิปอ้างอิง TLVH431ของแท้ใหม่ TLVH431BIL3T แรงดันไฟฟ้าและ A292กระแสไฟที่เสถียร

฿3.60-4.90
MOQ: 1
CHY telescopic เสาอากาศ ANT500 ANT500 ANT700 (75MHz 1GHz) ANT700(300 MHz ถึง1.1GHz) สำหรับ hackrf หนึ่ง H274จีนแผ่นดินใหญ่ - Product Image 1
CHY telescopic เสาอากาศ ANT500 ANT500 ANT700 (75MHz 1GHz) ANT700(300 MHz ถึง1.1GHz) สำหรับ hackrf หนึ่ง H274จีนแผ่นดินใหญ่ - Product Image 2
CHY telescopic เสาอากาศ ANT500 ANT500 ANT700 (75MHz 1GHz) ANT700(300 MHz ถึง1.1GHz) สำหรับ hackrf หนึ่ง H274จีนแผ่นดินใหญ่ - Product Image 3
CHY telescopic เสาอากาศ ANT500 ANT500 ANT700 (75MHz 1GHz) ANT700(300 MHz ถึง1.1GHz) สำหรับ hackrf หนึ่ง H274จีนแผ่นดินใหญ่ - Product Image 4
CHY telescopic เสาอากาศ ANT500 ANT500 ANT700 (75MHz 1GHz) ANT700(300 MHz ถึง1.1GHz) สำหรับ hackrf หนึ่ง H274จีนแผ่นดินใหญ่ - Product Image 5
CHY telescopic เสาอากาศ ANT500 ANT500 ANT700 (75MHz 1GHz) ANT700(300 MHz ถึง1.1GHz) สำหรับ hackrf หนึ่ง H274จีนแผ่นดินใหญ่ - Product Image 6

CHY telescopic เสาอากาศ ANT500 ANT500 ANT700 (75MHz 1GHz) ANT700(300 MHz ถึง1.1GHz) สำหรับ hackrf หนึ่ง H274จีนแผ่นดินใหญ่

฿721.51-790.07
MOQ: 1
GRM31CB10J106KA01ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY SMD MLCC 1206 10 F 6.3Vdc ± 10% B 85 10uF GRM31CB10J106KA01 - Product Image 1
GRM31CB10J106KA01ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY SMD MLCC 1206 10 F 6.3Vdc ± 10% B 85 10uF GRM31CB10J106KA01 - Product Image 2
GRM31CB10J106KA01ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY SMD MLCC 1206 10 F 6.3Vdc ± 10% B 85 10uF GRM31CB10J106KA01 - Product Image 3
GRM31CB10J106KA01ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY SMD MLCC 1206 10 F 6.3Vdc ± 10% B 85 10uF GRM31CB10J106KA01 - Product Image 4
GRM31CB10J106KA01ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY SMD MLCC 1206 10 F 6.3Vdc ± 10% B 85 10uF GRM31CB10J106KA01 - Product Image 5
GRM31CB10J106KA01ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY SMD MLCC 1206 10 F 6.3Vdc ± 10% B 85 10uF GRM31CB10J106KA01 - Product Image 6

GRM31CB10J106KA01ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY SMD MLCC 1206 10 F 6.3Vdc ± 10% B 85 10uF GRM31CB10J106KA01

฿16.33-65.30
MOQ: 1
STM32F103C8T6 STM32F103C6T6ชี่สำหรับโมดูลบอร์ด STM32พัฒนาระบบขั้นต่ำสำหรับ D10 -40-+ 85C - Product Image 1
STM32F103C8T6 STM32F103C6T6ชี่สำหรับโมดูลบอร์ด STM32พัฒนาระบบขั้นต่ำสำหรับ D10 -40-+ 85C - Product Image 2
STM32F103C8T6 STM32F103C6T6ชี่สำหรับโมดูลบอร์ด STM32พัฒนาระบบขั้นต่ำสำหรับ D10 -40-+ 85C - Product Image 3
STM32F103C8T6 STM32F103C6T6ชี่สำหรับโมดูลบอร์ด STM32พัฒนาระบบขั้นต่ำสำหรับ D10 -40-+ 85C - Product Image 4
STM32F103C8T6 STM32F103C6T6ชี่สำหรับโมดูลบอร์ด STM32พัฒนาระบบขั้นต่ำสำหรับ D10 -40-+ 85C - Product Image 5

STM32F103C8T6 STM32F103C6T6ชี่สำหรับโมดูลบอร์ด STM32พัฒนาระบบขั้นต่ำสำหรับ D10 -40-+ 85C

฿65.30-97.95
MOQ: 5
GRM31CR71C106KAC7(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 10 F 16Vdc ± 10% X7R 125 GRM31CR71C106KAC7 10uF - Product Image 1
GRM31CR71C106KAC7(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 10 F 16Vdc ± 10% X7R 125 GRM31CR71C106KAC7 10uF - Product Image 2
GRM31CR71C106KAC7(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 10 F 16Vdc ± 10% X7R 125 GRM31CR71C106KAC7 10uF - Product Image 3
GRM31CR71C106KAC7(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 10 F 16Vdc ± 10% X7R 125 GRM31CR71C106KAC7 10uF - Product Image 4
GRM31CR71C106KAC7(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 10 F 16Vdc ± 10% X7R 125 GRM31CR71C106KAC7 10uF - Product Image 5
GRM31CR71C106KAC7(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 10 F 16Vdc ± 10% X7R 125 GRM31CR71C106KAC7 10uF - Product Image 6

GRM31CR71C106KAC7(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 10 F 16Vdc ± 10% X7R 125 GRM31CR71C106KAC7 10uF

฿16.33-65.30
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

ykbishomyightybinyshiatsuysyyyycieokihuearyikkiawyzhouayahaliyahgiayyy