All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Chy

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

GRT188R61C106KE13ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 0603 10 F 16Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT188R61C106KE13 - Product Image 1
GRT188R61C106KE13ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 0603 10 F 16Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT188R61C106KE13 - Product Image 2
GRT188R61C106KE13ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 0603 10 F 16Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT188R61C106KE13 - Product Image 3
GRT188R61C106KE13ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 0603 10 F 16Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT188R61C106KE13 - Product Image 4
GRT188R61C106KE13ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 0603 10 F 16Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT188R61C106KE13 - Product Image 5
GRT188R61C106KE13ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 0603 10 F 16Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT188R61C106KE13 - Product Image 6

GRT188R61C106KE13ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 0603 10 F 16Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT188R61C106KE13

฿16.33-65.32
MOQ: 1
GRT188R61A106KE13ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT188R61A106KE13 - Product Image 1
GRT188R61A106KE13ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT188R61A106KE13 - Product Image 2
GRT188R61A106KE13ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT188R61A106KE13 - Product Image 3
GRT188R61A106KE13ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT188R61A106KE13 - Product Image 4
GRT188R61A106KE13ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT188R61A106KE13 - Product Image 5
GRT188R61A106KE13ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT188R61A106KE13 - Product Image 6

GRT188R61A106KE13ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT188R61A106KE13

฿16.33-65.32
MOQ: 1
GRT31CC71C226ME13(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 22 F ± 16Vdc 20% X7S 125 AEC-Q200 22uF GRT31CC71C226ME13 - Product Image 1
GRT31CC71C226ME13(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 22 F ± 16Vdc 20% X7S 125 AEC-Q200 22uF GRT31CC71C226ME13 - Product Image 2
GRT31CC71C226ME13(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 22 F ± 16Vdc 20% X7S 125 AEC-Q200 22uF GRT31CC71C226ME13 - Product Image 3
GRT31CC71C226ME13(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 22 F ± 16Vdc 20% X7S 125 AEC-Q200 22uF GRT31CC71C226ME13 - Product Image 4
GRT31CC71C226ME13(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 22 F ± 16Vdc 20% X7S 125 AEC-Q200 22uF GRT31CC71C226ME13 - Product Image 5
GRT31CC71C226ME13(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 22 F ± 16Vdc 20% X7S 125 AEC-Q200 22uF GRT31CC71C226ME13 - Product Image 6

GRT31CC71C226ME13(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 22 F ± 16Vdc 20% X7S 125 AEC-Q200 22uF GRT31CC71C226ME13

฿16.33-65.32
MOQ: 1
GRT21BR61E226ME13(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0805 22 F ± 25Vdc 20% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT21BR61E226ME13 - Product Image 1
GRT21BR61E226ME13(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0805 22 F ± 25Vdc 20% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT21BR61E226ME13 - Product Image 2
GRT21BR61E226ME13(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0805 22 F ± 25Vdc 20% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT21BR61E226ME13 - Product Image 3
GRT21BR61E226ME13(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0805 22 F ± 25Vdc 20% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT21BR61E226ME13 - Product Image 4
GRT21BR61E226ME13(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0805 22 F ± 25Vdc 20% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT21BR61E226ME13 - Product Image 5
GRT21BR61E226ME13(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0805 22 F ± 25Vdc 20% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT21BR61E226ME13 - Product Image 6

GRT21BR61E226ME13(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0805 22 F ± 25Vdc 20% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT21BR61E226ME13

฿16.33-65.32
MOQ: 1
GRT21BR61C106KE01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 16Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT21BR61C106KE01 - Product Image 1
GRT21BR61C106KE01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 16Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT21BR61C106KE01 - Product Image 2
GRT21BR61C106KE01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 16Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT21BR61C106KE01 - Product Image 3
GRT21BR61C106KE01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 16Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT21BR61C106KE01 - Product Image 4
GRT21BR61C106KE01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 16Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT21BR61C106KE01 - Product Image 5
GRT21BR61C106KE01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 16Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT21BR61C106KE01 - Product Image 6

GRT21BR61C106KE01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 16Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT21BR61C106KE01

฿16.33-65.32
MOQ: 1
GCM21BM8EE106KE08ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 16Vdc ± 10% X8M 150 AEC-Q200 10uF GCM21BM8EE106KE08 - Product Image 1
GCM21BM8EE106KE08ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 16Vdc ± 10% X8M 150 AEC-Q200 10uF GCM21BM8EE106KE08 - Product Image 2
GCM21BM8EE106KE08ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 16Vdc ± 10% X8M 150 AEC-Q200 10uF GCM21BM8EE106KE08 - Product Image 3
GCM21BM8EE106KE08ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 16Vdc ± 10% X8M 150 AEC-Q200 10uF GCM21BM8EE106KE08 - Product Image 4
GCM21BM8EE106KE08ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 16Vdc ± 10% X8M 150 AEC-Q200 10uF GCM21BM8EE106KE08 - Product Image 5
GCM21BM8EE106KE08ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 16Vdc ± 10% X8M 150 AEC-Q200 10uF GCM21BM8EE106KE08 - Product Image 6

GCM21BM8EE106KE08ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 16Vdc ± 10% X8M 150 AEC-Q200 10uF GCM21BM8EE106KE08

฿16.33-65.32
MOQ: 1
GCM32EC7YA106MA03ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่1210 10 F 35Vdc ± 20% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCM32EC7YA106MA03 - Product Image 1
GCM32EC7YA106MA03ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่1210 10 F 35Vdc ± 20% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCM32EC7YA106MA03 - Product Image 2
GCM32EC7YA106MA03ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่1210 10 F 35Vdc ± 20% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCM32EC7YA106MA03 - Product Image 3
GCM32EC7YA106MA03ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่1210 10 F 35Vdc ± 20% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCM32EC7YA106MA03 - Product Image 4
GCM32EC7YA106MA03ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่1210 10 F 35Vdc ± 20% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCM32EC7YA106MA03 - Product Image 5
GCM32EC7YA106MA03ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่1210 10 F 35Vdc ± 20% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCM32EC7YA106MA03 - Product Image 6

GCM32EC7YA106MA03ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่1210 10 F 35Vdc ± 20% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCM32EC7YA106MA03

฿16.33-65.32
MOQ: 1
GCM31CR71A226KE02ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 1206 22 F 10Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 22uF GCM31CR71A226KE02 - Product Image 1
GCM31CR71A226KE02ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 1206 22 F 10Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 22uF GCM31CR71A226KE02 - Product Image 2
GCM31CR71A226KE02ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 1206 22 F 10Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 22uF GCM31CR71A226KE02 - Product Image 3
GCM31CR71A226KE02ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 1206 22 F 10Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 22uF GCM31CR71A226KE02 - Product Image 4
GCM31CR71A226KE02ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 1206 22 F 10Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 22uF GCM31CR71A226KE02 - Product Image 5
GCM31CR71A226KE02ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 1206 22 F 10Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 22uF GCM31CR71A226KE02 - Product Image 6

GCM31CR71A226KE02ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 1206 22 F 10Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 22uF GCM31CR71A226KE02

฿16.33-65.32
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

ykbishomyightybinyshiatsuysyyyycieokihuearyikkiawyzhouayahaliyahgiayyy