All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Chy

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

GRM31CD80J107MEA8 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 1206 100 F 6.3Vdc ±20% X6T 105 100uF GRM31CD80J107MEA8 - Product Image 1
GRM31CD80J107MEA8 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 1206 100 F 6.3Vdc ±20% X6T 105 100uF GRM31CD80J107MEA8 - Product Image 2
GRM31CD80J107MEA8 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 1206 100 F 6.3Vdc ±20% X6T 105 100uF GRM31CD80J107MEA8 - Product Image 3
GRM31CD80J107MEA8 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 1206 100 F 6.3Vdc ±20% X6T 105 100uF GRM31CD80J107MEA8 - Product Image 4
GRM31CD80J107MEA8 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 1206 100 F 6.3Vdc ±20% X6T 105 100uF GRM31CD80J107MEA8 - Product Image 5
GRM31CD80J107MEA8 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 1206 100 F 6.3Vdc ±20% X6T 105 100uF GRM31CD80J107MEA8 - Product Image 6

GRM31CD80J107MEA8 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 1206 100 F 6.3Vdc ±20% X6T 105 100uF GRM31CD80J107MEA8

฿16.45-65.77
MOQ: 1
โมดูลเพิ่มกำลังไฟ20W QC3.0 2.0 FCP USB 3.7-5V ถึง5-12V 18650 A682แบตเตอรี่ Li-ion/li-Po - Product Image 1
โมดูลเพิ่มกำลังไฟ20W QC3.0 2.0 FCP USB 3.7-5V ถึง5-12V 18650 A682แบตเตอรี่ Li-ion/li-Po - Product Image 2
โมดูลเพิ่มกำลังไฟ20W QC3.0 2.0 FCP USB 3.7-5V ถึง5-12V 18650 A682แบตเตอรี่ Li-ion/li-Po - Product Image 3
โมดูลเพิ่มกำลังไฟ20W QC3.0 2.0 FCP USB 3.7-5V ถึง5-12V 18650 A682แบตเตอรี่ Li-ion/li-Po - Product Image 4
โมดูลเพิ่มกำลังไฟ20W QC3.0 2.0 FCP USB 3.7-5V ถึง5-12V 18650 A682แบตเตอรี่ Li-ion/li-Po - Product Image 5
โมดูลเพิ่มกำลังไฟ20W QC3.0 2.0 FCP USB 3.7-5V ถึง5-12V 18650 A682แบตเตอรี่ Li-ion/li-Po - Product Image 6

โมดูลเพิ่มกำลังไฟ20W QC3.0 2.0 FCP USB 3.7-5V ถึง5-12V 18650 A682แบตเตอรี่ Li-ion/li-Po

฿85.50-92.07
MOQ: 10
GRM32DR61A226KE18(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 10% X5R 85 22uF GRM32DR61A226KE18 - Product Image 1
GRM32DR61A226KE18(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 10% X5R 85 22uF GRM32DR61A226KE18 - Product Image 2
GRM32DR61A226KE18(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 10% X5R 85 22uF GRM32DR61A226KE18 - Product Image 3
GRM32DR61A226KE18(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 10% X5R 85 22uF GRM32DR61A226KE18 - Product Image 4
GRM32DR61A226KE18(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 10% X5R 85 22uF GRM32DR61A226KE18 - Product Image 5
GRM32DR61A226KE18(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 10% X5R 85 22uF GRM32DR61A226KE18 - Product Image 6

GRM32DR61A226KE18(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 10% X5R 85 22uF GRM32DR61A226KE18

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRM21BR60J106KE01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 0805 10 F ± 6.3Vdc 10% X5R GRM21BR60J106KE01 85 10uF - Product Image 1
GRM21BR60J106KE01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 0805 10 F ± 6.3Vdc 10% X5R GRM21BR60J106KE01 85 10uF - Product Image 2
GRM21BR60J106KE01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 0805 10 F ± 6.3Vdc 10% X5R GRM21BR60J106KE01 85 10uF - Product Image 3
GRM21BR60J106KE01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 0805 10 F ± 6.3Vdc 10% X5R GRM21BR60J106KE01 85 10uF - Product Image 4
GRM21BR60J106KE01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 0805 10 F ± 6.3Vdc 10% X5R GRM21BR60J106KE01 85 10uF - Product Image 5
GRM21BR60J106KE01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 0805 10 F ± 6.3Vdc 10% X5R GRM21BR60J106KE01 85 10uF - Product Image 6

GRM21BR60J106KE01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 0805 10 F ± 6.3Vdc 10% X5R GRM21BR60J106KE01 85 10uF

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRM319C80J106KE19(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 10 F 6.3Vdc ± 10% X6S 105 GRM319C80J106KE19 10uF - Product Image 1
GRM319C80J106KE19(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 10 F 6.3Vdc ± 10% X6S 105 GRM319C80J106KE19 10uF - Product Image 2
GRM319C80J106KE19(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 10 F 6.3Vdc ± 10% X6S 105 GRM319C80J106KE19 10uF - Product Image 3
GRM319C80J106KE19(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 10 F 6.3Vdc ± 10% X6S 105 GRM319C80J106KE19 10uF - Product Image 4
GRM319C80J106KE19(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 10 F 6.3Vdc ± 10% X6S 105 GRM319C80J106KE19 10uF - Product Image 5
GRM319C80J106KE19(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 10 F 6.3Vdc ± 10% X6S 105 GRM319C80J106KE19 10uF - Product Image 6

GRM319C80J106KE19(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 10 F 6.3Vdc ± 10% X6S 105 GRM319C80J106KE19 10uF

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRM32ER61C226ME20(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 1210 22 F ± 16Vdc 20% X5R GRM32ER61C226ME20 85 22uF - Product Image 1
GRM32ER61C226ME20(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 1210 22 F ± 16Vdc 20% X5R GRM32ER61C226ME20 85 22uF - Product Image 2
GRM32ER61C226ME20(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 1210 22 F ± 16Vdc 20% X5R GRM32ER61C226ME20 85 22uF - Product Image 3
GRM32ER61C226ME20(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 1210 22 F ± 16Vdc 20% X5R GRM32ER61C226ME20 85 22uF - Product Image 4
GRM32ER61C226ME20(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 1210 22 F ± 16Vdc 20% X5R GRM32ER61C226ME20 85 22uF - Product Image 5
GRM32ER61C226ME20(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 1210 22 F ± 16Vdc 20% X5R GRM32ER61C226ME20 85 22uF - Product Image 6

GRM32ER61C226ME20(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 1210 22 F ± 16Vdc 20% X5R GRM32ER61C226ME20 85 22uF

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRT31CR61A106ME01ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 1206 10 F 10Vdc ± 20% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT31CR61A106ME01 - Product Image 1
GRT31CR61A106ME01ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 1206 10 F 10Vdc ± 20% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT31CR61A106ME01 - Product Image 2
GRT31CR61A106ME01ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 1206 10 F 10Vdc ± 20% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT31CR61A106ME01 - Product Image 3
GRT31CR61A106ME01ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 1206 10 F 10Vdc ± 20% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT31CR61A106ME01 - Product Image 4
GRT31CR61A106ME01ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 1206 10 F 10Vdc ± 20% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT31CR61A106ME01 - Product Image 5
GRT31CR61A106ME01ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 1206 10 F 10Vdc ± 20% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT31CR61A106ME01 - Product Image 6

GRT31CR61A106ME01ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 1206 10 F 10Vdc ± 20% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT31CR61A106ME01

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRM319R60J226ME15(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R GRM319R60J226ME15 85 22uF - Product Image 1
GRM319R60J226ME15(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R GRM319R60J226ME15 85 22uF - Product Image 2
GRM319R60J226ME15(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R GRM319R60J226ME15 85 22uF - Product Image 3
GRM319R60J226ME15(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R GRM319R60J226ME15 85 22uF - Product Image 4
GRM319R60J226ME15(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R GRM319R60J226ME15 85 22uF - Product Image 5
GRM319R60J226ME15(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R GRM319R60J226ME15 85 22uF - Product Image 6

GRM319R60J226ME15(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R GRM319R60J226ME15 85 22uF

฿16.45-65.77
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

ykbishomyightybinyshiatsuysyyyycieokihuearyikkiawyzhouayahaliyahgiayyy