All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Chy

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

GRM155R60J106ME05(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0402 10 F 6.3Vdc ± 20% X5R GRM155R60J106ME05 85 10uF - Product Image 1

GRM155R60J106ME05(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0402 10 F 6.3Vdc ± 20% X5R GRM155R60J106ME05 85 10uF - Product Image 2

GRM155R60J106ME05(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0402 10 F 6.3Vdc ± 20% X5R GRM155R60J106ME05 85 10uF - Product Image 3

GRM155R60J106ME05(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0402 10 F 6.3Vdc ± 20% X5R GRM155R60J106ME05 85 10uF - Product Image 4

GRM155R60J106ME05(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0402 10 F 6.3Vdc ± 20% X5R GRM155R60J106ME05 85 10uF - Product Image 5

GRM155R60J106ME05(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0402 10 F 6.3Vdc ± 20% X5R GRM155R60J106ME05 85 10uF - Product Image 6

GRM155R60J106ME05(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0402 10 F 6.3Vdc ± 20% X5R GRM155R60J106ME05 85 10uF

฿16.32-65.26

MOQ: 1

GRM32DR11C106KA01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1210 10 F 16Vdc ± 10% R 125 10uF GRM32DR11C106KA01 - Product Image 1

GRM32DR11C106KA01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1210 10 F 16Vdc ± 10% R 125 10uF GRM32DR11C106KA01 - Product Image 2

GRM32DR11C106KA01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1210 10 F 16Vdc ± 10% R 125 10uF GRM32DR11C106KA01 - Product Image 3

GRM32DR11C106KA01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1210 10 F 16Vdc ± 10% R 125 10uF GRM32DR11C106KA01 - Product Image 4

GRM32DR11C106KA01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1210 10 F 16Vdc ± 10% R 125 10uF GRM32DR11C106KA01 - Product Image 5

GRM32DR11C106KA01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1210 10 F 16Vdc ± 10% R 125 10uF GRM32DR11C106KA01 - Product Image 6

GRM32DR11C106KA01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1210 10 F 16Vdc ± 10% R 125 10uF GRM32DR11C106KA01

฿16.32-65.26

MOQ: 1

GRM21BB31A106ME14 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 10Vdc ±20% B 85 10uF GRM21BB31A106ME14 - Product Image 1

GRM21BB31A106ME14 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 10Vdc ±20% B 85 10uF GRM21BB31A106ME14 - Product Image 2

GRM21BB31A106ME14 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 10Vdc ±20% B 85 10uF GRM21BB31A106ME14 - Product Image 3

GRM21BB31A106ME14 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 10Vdc ±20% B 85 10uF GRM21BB31A106ME14 - Product Image 4

GRM21BB31A106ME14 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 10Vdc ±20% B 85 10uF GRM21BB31A106ME14 - Product Image 5

GRM21BB31A106ME14 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 10Vdc ±20% B 85 10uF GRM21BB31A106ME14 - Product Image 6

GRM21BB31A106ME14 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 10Vdc ±20% B 85 10uF GRM21BB31A106ME14

฿16.32-65.26

MOQ: 1

GRM32DB31E106KA75(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 10 F 25Vdc ± 10% B 85 10uF GRM32DB31E106KA75 - Product Image 1

GRM32DB31E106KA75(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 10 F 25Vdc ± 10% B 85 10uF GRM32DB31E106KA75 - Product Image 2

GRM32DB31E106KA75(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 10 F 25Vdc ± 10% B 85 10uF GRM32DB31E106KA75 - Product Image 3

GRM32DB31E106KA75(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 10 F 25Vdc ± 10% B 85 10uF GRM32DB31E106KA75 - Product Image 4

GRM32DB31E106KA75(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 10 F 25Vdc ± 10% B 85 10uF GRM32DB31E106KA75 - Product Image 5

GRM32DB31E106KA75(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 10 F 25Vdc ± 10% B 85 10uF GRM32DB31E106KA75 - Product Image 6

GRM32DB31E106KA75(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 10 F 25Vdc ± 10% B 85 10uF GRM32DB31E106KA75

฿16.32-65.26

MOQ: 1

GCJ188D70J106ME02 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCJ188D70J106ME02 - Product Image 1

GCJ188D70J106ME02 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCJ188D70J106ME02 - Product Image 2

GCJ188D70J106ME02 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCJ188D70J106ME02 - Product Image 3

GCJ188D70J106ME02 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCJ188D70J106ME02 - Product Image 4

GCJ188D70J106ME02 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCJ188D70J106ME02 - Product Image 5

GCJ188D70J106ME02 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCJ188D70J106ME02 - Product Image 6

GCJ188D70J106ME02 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCJ188D70J106ME02

฿16.32-65.26

MOQ: 1

GCM188D70G226MEC4ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 0603 22 F 4Vdc ± 20% X7T 125 AEC-Q200 22uF GCM188D70G226MEC4 - Product Image 1

GCM188D70G226MEC4ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 0603 22 F 4Vdc ± 20% X7T 125 AEC-Q200 22uF GCM188D70G226MEC4 - Product Image 2

GCM188D70G226MEC4ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 0603 22 F 4Vdc ± 20% X7T 125 AEC-Q200 22uF GCM188D70G226MEC4 - Product Image 3

GCM188D70G226MEC4ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 0603 22 F 4Vdc ± 20% X7T 125 AEC-Q200 22uF GCM188D70G226MEC4 - Product Image 4

GCM188D70G226MEC4ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 0603 22 F 4Vdc ± 20% X7T 125 AEC-Q200 22uF GCM188D70G226MEC4 - Product Image 5

GCM188D70G226MEC4ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 0603 22 F 4Vdc ± 20% X7T 125 AEC-Q200 22uF GCM188D70G226MEC4 - Product Image 6

GCM188D70G226MEC4ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 0603 22 F 4Vdc ± 20% X7T 125 AEC-Q200 22uF GCM188D70G226MEC4

฿16.32-65.26

MOQ: 1

GRMJN7R61C226ME05(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0704 22 F ± 16Vdc 20% X5R 85 22uF GRMJN7R61C226ME05 - Product Image 1

GRMJN7R61C226ME05(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0704 22 F ± 16Vdc 20% X5R 85 22uF GRMJN7R61C226ME05 - Product Image 2

GRMJN7R61C226ME05(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0704 22 F ± 16Vdc 20% X5R 85 22uF GRMJN7R61C226ME05 - Product Image 3

GRMJN7R61C226ME05(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0704 22 F ± 16Vdc 20% X5R 85 22uF GRMJN7R61C226ME05 - Product Image 4

GRMJN7R61C226ME05(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0704 22 F ± 16Vdc 20% X5R 85 22uF GRMJN7R61C226ME05 - Product Image 5

GRMJN7R61C226ME05(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0704 22 F ± 16Vdc 20% X5R 85 22uF GRMJN7R61C226ME05 - Product Image 6

GRMJN7R61C226ME05(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0704 22 F ± 16Vdc 20% X5R 85 22uF GRMJN7R61C226ME05

฿16.32-65.26

MOQ: 1

GRM55ER11E156MA01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 15 F ± 25Vdc 20% R 125 15uF GRM55ER11E156MA01 - Product Image 1

GRM55ER11E156MA01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 15 F ± 25Vdc 20% R 125 15uF GRM55ER11E156MA01 - Product Image 2

GRM55ER11E156MA01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 15 F ± 25Vdc 20% R 125 15uF GRM55ER11E156MA01 - Product Image 3

GRM55ER11E156MA01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 15 F ± 25Vdc 20% R 125 15uF GRM55ER11E156MA01 - Product Image 4

GRM55ER11E156MA01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 15 F ± 25Vdc 20% R 125 15uF GRM55ER11E156MA01 - Product Image 5

GRM55ER11E156MA01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 15 F ± 25Vdc 20% R 125 15uF GRM55ER11E156MA01 - Product Image 6

GRM55ER11E156MA01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 15 F ± 25Vdc 20% R 125 15uF GRM55ER11E156MA01

฿16.32-65.26

MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

yk bish omy ight yb iny shiatsu ys yyyy cie oki hue ary ikki awy zhou ayah aliyah gia yyy