All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

ฉ 20

(มีสินค้า 999+ รายการ)

KCM55WC71E107MH13(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 100 F 25Vdc ±20% X7S 125 AEC-Q200 100uF KCM55WC71E107MH13 - Product Image 1
KCM55WC71E107MH13(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 100 F 25Vdc ±20% X7S 125 AEC-Q200 100uF KCM55WC71E107MH13 - Product Image 2
KCM55WC71E107MH13(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 100 F 25Vdc ±20% X7S 125 AEC-Q200 100uF KCM55WC71E107MH13 - Product Image 3
KCM55WC71E107MH13(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 100 F 25Vdc ±20% X7S 125 AEC-Q200 100uF KCM55WC71E107MH13 - Product Image 4
KCM55WC71E107MH13(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 100 F 25Vdc ±20% X7S 125 AEC-Q200 100uF KCM55WC71E107MH13 - Product Image 5
KCM55WC71E107MH13(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 100 F 25Vdc ±20% X7S 125 AEC-Q200 100uF KCM55WC71E107MH13 - Product Image 6

KCM55WC71E107MH13(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 100 F 25Vdc ±20% X7S 125 AEC-Q200 100uF KCM55WC71E107MH13

฿6.85-68.49
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(549)
C3216X5R0J107M160AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1206 100 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 100uF C3216X5R0J107M160AB - Product Image 1
C3216X5R0J107M160AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1206 100 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 100uF C3216X5R0J107M160AB - Product Image 2
C3216X5R0J107M160AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1206 100 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 100uF C3216X5R0J107M160AB - Product Image 3
C3216X5R0J107M160AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1206 100 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 100uF C3216X5R0J107M160AB - Product Image 4
C3216X5R0J107M160AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1206 100 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 100uF C3216X5R0J107M160AB - Product Image 5
C3216X5R0J107M160AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1206 100 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 100uF C3216X5R0J107M160AB - Product Image 6

C3216X5R0J107M160AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1206 100 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 100uF C3216X5R0J107M160AB

฿17.13-68.49
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(549)
GRM31CC81C226ME15 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 22 F 16Vdc ±20% X6S 105 22uF GRM31CC81C226ME15 - Product Image 1
GRM31CC81C226ME15 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 22 F 16Vdc ±20% X6S 105 22uF GRM31CC81C226ME15 - Product Image 2
GRM31CC81C226ME15 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 22 F 16Vdc ±20% X6S 105 22uF GRM31CC81C226ME15 - Product Image 3
GRM31CC81C226ME15 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 22 F 16Vdc ±20% X6S 105 22uF GRM31CC81C226ME15 - Product Image 4
GRM31CC81C226ME15 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 22 F 16Vdc ±20% X6S 105 22uF GRM31CC81C226ME15 - Product Image 5
GRM31CC81C226ME15 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 22 F 16Vdc ±20% X6S 105 22uF GRM31CC81C226ME15 - Product Image 6

GRM31CC81C226ME15 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 22 F 16Vdc ±20% X6S 105 22uF GRM31CC81C226ME15

฿17.13-68.49
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(549)
GRM155C80E156ME05(CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0402 15 F 2.5Vdc ±20% X6S 105 15uF GRM155C80E156ME05 - Product Image 1
GRM155C80E156ME05(CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0402 15 F 2.5Vdc ±20% X6S 105 15uF GRM155C80E156ME05 - Product Image 2
GRM155C80E156ME05(CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0402 15 F 2.5Vdc ±20% X6S 105 15uF GRM155C80E156ME05 - Product Image 3
GRM155C80E156ME05(CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0402 15 F 2.5Vdc ±20% X6S 105 15uF GRM155C80E156ME05 - Product Image 4
GRM155C80E156ME05(CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0402 15 F 2.5Vdc ±20% X6S 105 15uF GRM155C80E156ME05 - Product Image 5
GRM155C80E156ME05(CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0402 15 F 2.5Vdc ±20% X6S 105 15uF GRM155C80E156ME05 - Product Image 6

GRM155C80E156ME05(CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0402 15 F 2.5Vdc ±20% X6S 105 15uF GRM155C80E156ME05

฿17.13-68.49
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(549)
GCJ188D70J106ME02 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCJ188D70J106ME02 - Product Image 1
GCJ188D70J106ME02 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCJ188D70J106ME02 - Product Image 2
GCJ188D70J106ME02 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCJ188D70J106ME02 - Product Image 3
GCJ188D70J106ME02 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCJ188D70J106ME02 - Product Image 4
GCJ188D70J106ME02 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCJ188D70J106ME02 - Product Image 5
GCJ188D70J106ME02 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCJ188D70J106ME02 - Product Image 6

GCJ188D70J106ME02 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCJ188D70J106ME02

฿17.13-68.49
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(549)
C3216X5R1E106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1206 10 F 25V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L3X5R1E106M160AB - Product Image 1
C3216X5R1E106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1206 10 F 25V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L3X5R1E106M160AB - Product Image 2
C3216X5R1E106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1206 10 F 25V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L3X5R1E106M160AB - Product Image 3
C3216X5R1E106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1206 10 F 25V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L3X5R1E106M160AB - Product Image 4
C3216X5R1E106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1206 10 F 25V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L3X5R1E106M160AB - Product Image 5
C3216X5R1E106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1206 10 F 25V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L3X5R1E106M160AB - Product Image 6

C3216X5R1E106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1206 10 F 25V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L3X5R1E106M160AB

฿17.13-68.49
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(549)
8N3SV76FC-0167CDI New Original Integrated Circuit 20-QFN (4x4) for Industrial Automation Embedded Control - Product Image 1
8N3SV76FC-0167CDI New Original Integrated Circuit 20-QFN (4x4) for Industrial Automation Embedded Control - Product Image 2
8N3SV76FC-0167CDI New Original Integrated Circuit 20-QFN (4x4) for Industrial Automation Embedded Control - Product Image 3
8N3SV76FC-0167CDI New Original Integrated Circuit 20-QFN (4x4) for Industrial Automation Embedded Control - Product Image 4
8N3SV76FC-0167CDI New Original Integrated Circuit 20-QFN (4x4) for Industrial Automation Embedded Control - Product Image 5
8N3SV76FC-0167CDI New Original Integrated Circuit 20-QFN (4x4) for Industrial Automation Embedded Control - Product Image 6

8N3SV76FC-0167CDI New Original Integrated Circuit 20-QFN (4x4) for Industrial Automation Embedded Control

฿8.57
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 100 ชิ้น
MEGA SOURCE ELEC. LIMITED
3 yrsHK flagHK4.9/5.0(18)
GXT188R61E106ME13 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 10 F 25Vdc ±20% X5R 85 10uF GXT188R61E106ME13 - Product Image 1
GXT188R61E106ME13 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 10 F 25Vdc ±20% X5R 85 10uF GXT188R61E106ME13 - Product Image 2
GXT188R61E106ME13 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 10 F 25Vdc ±20% X5R 85 10uF GXT188R61E106ME13 - Product Image 3
GXT188R61E106ME13 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 10 F 25Vdc ±20% X5R 85 10uF GXT188R61E106ME13 - Product Image 4
GXT188R61E106ME13 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 10 F 25Vdc ±20% X5R 85 10uF GXT188R61E106ME13 - Product Image 5
GXT188R61E106ME13 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 10 F 25Vdc ±20% X5R 85 10uF GXT188R61E106ME13 - Product Image 6

GXT188R61E106ME13 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 10 F 25Vdc ±20% X5R 85 10uF GXT188R61E106ME13

฿17.13-68.49
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(549)

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

porsche 991 carrera 4sauto q3 sportbackford focus rs mk11.4 tsi gtimini cooper r50panameracaravelle californiasmart fortwovolkswagen transporter t5carrera 2audi a6 avant 2.0 tfsiaustin mini coopermitsubishi grandis ralliartaudi a7 rscayenne purplecls w218civic ek9ขาย lancer ex 2.0 gtฮ อน ด้า civic hatchbacklenovo 100e upgrade