All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Capacitors

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00ESSD A151 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00ESSD A151 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00ESSD A151 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00ESSD A151 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00ESSD A151 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00ESSD A151 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00ESSD A151

฿1.67-30.01

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

C42473 Stc 310D10 +++++ ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มโพรพิลีนเคลือบ P6 310V 0.047uF ผลิตภัณฑ์ที่มีคุณภาพสูง - Product Image 1

C42473 Stc 310D10 +++++ ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มโพรพิลีนเคลือบ P6 310V 0.047uF ผลิตภัณฑ์ที่มีคุณภาพสูง - Product Image 2

C42473 Stc 310D10 +++++ ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มโพรพิลีนเคลือบ P6 310V 0.047uF ผลิตภัณฑ์ที่มีคุณภาพสูง - Product Image 3

C42473 Stc 310D10 +++++ ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มโพรพิลีนเคลือบ P6 310V 0.047uF ผลิตภัณฑ์ที่มีคุณภาพสูง - Product Image 4

C42473 Stc 310D10 +++++ ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มโพรพิลีนเคลือบ P6 310V 0.047uF ผลิตภัณฑ์ที่มีคุณภาพสูง - Product Image 5

C42473 Stc 310D10 +++++ ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มโพรพิลีนเคลือบ P6 310V 0.047uF ผลิตภัณฑ์ที่มีคุณภาพสูง - Product Image 6

C42473 Stc 310D10 +++++ ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มโพรพิลีนเคลือบ P6 310V 0.047uF ผลิตภัณฑ์ที่มีคุณภาพสูง

฿5.34

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 2,000 ชิ้น

CHARMING TECHNOLOGY CO., LTD.

2 yrs

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิคหลายชั้นแบบ2K/รีลตัวเก็บประจุแบบหลายชั้นของ GMK316AB7106KL-TR SMT 1206/3216 X7R 35V 10uF 10% - Product Image 1

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิคหลายชั้นแบบ2K/รีลตัวเก็บประจุแบบหลายชั้นของ GMK316AB7106KL-TR SMT 1206/3216 X7R 35V 10uF 10% - Product Image 2

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิคหลายชั้นแบบ2K/รีลตัวเก็บประจุแบบหลายชั้นของ GMK316AB7106KL-TR SMT 1206/3216 X7R 35V 10uF 10% - Product Image 3

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิคหลายชั้นแบบ2K/รีลตัวเก็บประจุแบบหลายชั้นของ GMK316AB7106KL-TR SMT 1206/3216 X7R 35V 10uF 10% - Product Image 4

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิคหลายชั้นแบบ2K/รีลตัวเก็บประจุแบบหลายชั้นของ GMK316AB7106KL-TR SMT 1206/3216 X7R 35V 10uF 10% - Product Image 5

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิคหลายชั้นแบบ2K/รีลตัวเก็บประจุแบบหลายชั้นของ GMK316AB7106KL-TR SMT 1206/3216 X7R 35V 10uF 10% - Product Image 6

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิคหลายชั้นแบบ2K/รีลตัวเก็บประจุแบบหลายชั้นของ GMK316AB7106KL-TR SMT 1206/3216 X7R 35V 10uF 10%

฿1.13-1.34

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 2,000 ชิ้น

CHARMING TECHNOLOGY CO., LTD.

2 yrs

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น CL10A106MP8NNNC ขนาด 0603 ( ค่าความจุ: 10uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น CL10A106MP8NNNC ขนาด 0603 ( ค่าความจุ: 10uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น CL10A106MP8NNNC ขนาด 0603 ( ค่าความจุ: 10uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น CL10A106MP8NNNC ขนาด 0603 ( ค่าความจุ: 10uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น CL10A106MP8NNNC ขนาด 0603 ( ค่าความจุ: 10uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น CL10A106MP8NNNC ขนาด 0603 ( ค่าความจุ: 10uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น CL10A106MP8NNNC ขนาด 0603 ( ค่าความจุ: 10uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V )

฿0.0667-0.3334

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 50 ชิ้น

CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED

2 yrs

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น 1812B102K402NT ขนาด 1812 ( ค่าความจุ: 1nF ) ( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 4kV - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น 1812B102K402NT ขนาด 1812 ( ค่าความจุ: 1nF ) ( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 4kV - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น 1812B102K402NT ขนาด 1812 ( ค่าความจุ: 1nF ) ( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 4kV - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น 1812B102K402NT ขนาด 1812 ( ค่าความจุ: 1nF ) ( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 4kV - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น 1812B102K402NT ขนาด 1812 ( ค่าความจุ: 1nF ) ( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 4kV - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น 1812B102K402NT ขนาด 1812 ( ค่าความจุ: 1nF ) ( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 4kV - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น 1812B102K402NT ขนาด 1812 ( ค่าความจุ: 1nF ) ( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 4kV

฿4.34-16.67

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED

2 yrs

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น FN18N4R7C500PSG ขนาด 0603 ความจุ 4.7pF แรงดัน 50V ค่าความคลาดเคลื่อน C0G - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น FN18N4R7C500PSG ขนาด 0603 ความจุ 4.7pF แรงดัน 50V ค่าความคลาดเคลื่อน C0G - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น FN18N4R7C500PSG ขนาด 0603 ความจุ 4.7pF แรงดัน 50V ค่าความคลาดเคลื่อน C0G - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น FN18N4R7C500PSG ขนาด 0603 ความจุ 4.7pF แรงดัน 50V ค่าความคลาดเคลื่อน C0G - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น FN18N4R7C500PSG ขนาด 0603 ความจุ 4.7pF แรงดัน 50V ค่าความคลาดเคลื่อน C0G - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น FN18N4R7C500PSG ขนาด 0603 ความจุ 4.7pF แรงดัน 50V ค่าความคลาดเคลื่อน C0G - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น FN18N4R7C500PSG ขนาด 0603 ความจุ 4.7pF แรงดัน 50V ค่าความคลาดเคลื่อน C0G

฿0.0667-0.3334

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 100 ชิ้น

CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED

2 yrs

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นสำหรับโทรคมนาคม TAIYO YUDEN 4.7uF 25V 10% SMD 0805/2012 รุ่นต่างๆ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นสำหรับโทรคมนาคม TAIYO YUDEN 4.7uF 25V 10% SMD 0805/2012 รุ่นต่างๆ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นสำหรับโทรคมนาคม TAIYO YUDEN 4.7uF 25V 10% SMD 0805/2012 รุ่นต่างๆ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นสำหรับโทรคมนาคม TAIYO YUDEN 4.7uF 25V 10% SMD 0805/2012 รุ่นต่างๆ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นสำหรับโทรคมนาคม TAIYO YUDEN 4.7uF 25V 10% SMD 0805/2012 รุ่นต่างๆ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นสำหรับโทรคมนาคม TAIYO YUDEN 4.7uF 25V 10% SMD 0805/2012 รุ่นต่างๆ

฿1,210.01

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ม้วน

CHARMING TECHNOLOGY CO., LTD.

2 yrs

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1808N102J302T ขนาด 1808 (ค่าความจุ: 1nF) (แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 3kV ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ: NP0) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1808N102J302T ขนาด 1808 (ค่าความจุ: 1nF) (แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 3kV ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ: NP0) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1808N102J302T ขนาด 1808 (ค่าความจุ: 1nF) (แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 3kV ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ: NP0) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1808N102J302T ขนาด 1808 (ค่าความจุ: 1nF) (แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 3kV ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ: NP0) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1808N102J302T ขนาด 1808 (ค่าความจุ: 1nF) (แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 3kV ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ: NP0) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1808N102J302T ขนาด 1808 (ค่าความจุ: 1nF) (แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 3kV ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ: NP0) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1808N102J302T ขนาด 1808 (ค่าความจุ: 1nF) (แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 3kV ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ: NP0)

฿3.34-13.34

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED

2 yrs