All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Capacitors

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

CL21A106MQFNNN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 6.3Vdc ± 20% X5R 85 ) CL21A106MQFNNN - Product Image 1
CL21A106MQFNNN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 6.3Vdc ± 20% X5R 85 ) CL21A106MQFNNN - Product Image 2
CL21A106MQFNNN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 6.3Vdc ± 20% X5R 85 ) CL21A106MQFNNN - Product Image 3
CL21A106MQFNNN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 6.3Vdc ± 20% X5R 85 ) CL21A106MQFNNN - Product Image 4
CL21A106MQFNNN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 6.3Vdc ± 20% X5R 85 ) CL21A106MQFNNN - Product Image 5
CL21A106MQFNNN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 6.3Vdc ± 20% X5R 85 ) CL21A106MQFNNN - Product Image 6

CL21A106MQFNNN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 6.3Vdc ± 20% X5R 85 ) CL21A106MQFNNN

฿6.71-67.06
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(258)
CL31A226KOH1IN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 22uF 16Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200) CL31A226KOH1IN - Product Image 1
CL31A226KOH1IN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 22uF 16Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200) CL31A226KOH1IN - Product Image 2
CL31A226KOH1IN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 22uF 16Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200) CL31A226KOH1IN - Product Image 3
CL31A226KOH1IN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 22uF 16Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200) CL31A226KOH1IN - Product Image 4
CL31A226KOH1IN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 22uF 16Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200) CL31A226KOH1IN - Product Image 5
CL31A226KOH1IN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 22uF 16Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200) CL31A226KOH1IN - Product Image 6

CL31A226KOH1IN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 22uF 16Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200) CL31A226KOH1IN

฿6.71-67.06
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(258)
CL10A106ML8NRN (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบ SMD ขนาด 0603 1608 ความจุ 10uF แรงดัน 35Vdc ±20% X5R 85) CL10A106ML8NRN - Product Image 1
CL10A106ML8NRN (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบ SMD ขนาด 0603 1608 ความจุ 10uF แรงดัน 35Vdc ±20% X5R 85) CL10A106ML8NRN - Product Image 2
CL10A106ML8NRN (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบ SMD ขนาด 0603 1608 ความจุ 10uF แรงดัน 35Vdc ±20% X5R 85) CL10A106ML8NRN - Product Image 3
CL10A106ML8NRN (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบ SMD ขนาด 0603 1608 ความจุ 10uF แรงดัน 35Vdc ±20% X5R 85) CL10A106ML8NRN - Product Image 4
CL10A106ML8NRN (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบ SMD ขนาด 0603 1608 ความจุ 10uF แรงดัน 35Vdc ±20% X5R 85) CL10A106ML8NRN - Product Image 5
CL10A106ML8NRN (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบ SMD ขนาด 0603 1608 ความจุ 10uF แรงดัน 35Vdc ±20% X5R 85) CL10A106ML8NRN - Product Image 6

CL10A106ML8NRN (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบ SMD ขนาด 0603 1608 ความจุ 10uF แรงดัน 35Vdc ±20% X5R 85) CL10A106ML8NRN

฿6.71-67.06
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(258)
CL21A106MQQNNW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 6.3Vdc ± 20% X5R 85 ) CL21A106MQQNNW - Product Image 1
CL21A106MQQNNW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 6.3Vdc ± 20% X5R 85 ) CL21A106MQQNNW - Product Image 2
CL21A106MQQNNW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 6.3Vdc ± 20% X5R 85 ) CL21A106MQQNNW - Product Image 3
CL21A106MQQNNW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 6.3Vdc ± 20% X5R 85 ) CL21A106MQQNNW - Product Image 4
CL21A106MQQNNW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 6.3Vdc ± 20% X5R 85 ) CL21A106MQQNNW - Product Image 5
CL21A106MQQNNW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 6.3Vdc ± 20% X5R 85 ) CL21A106MQQNNW - Product Image 6

CL21A106MQQNNW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 6.3Vdc ± 20% X5R 85 ) CL21A106MQQNNW

฿6.71-67.06
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(258)
X5R เซรามิกหลายชั้น PDC FN 0201 0.47-0.82uF ตัวเก็บประจุบายพาสแหล่งจ่ายไฟแบบหลายชั้น - Product Image 1
X5R เซรามิกหลายชั้น PDC FN 0201 0.47-0.82uF ตัวเก็บประจุบายพาสแหล่งจ่ายไฟแบบหลายชั้น - Product Image 2
X5R เซรามิกหลายชั้น PDC FN 0201 0.47-0.82uF ตัวเก็บประจุบายพาสแหล่งจ่ายไฟแบบหลายชั้น - Product Image 3
X5R เซรามิกหลายชั้น PDC FN 0201 0.47-0.82uF ตัวเก็บประจุบายพาสแหล่งจ่ายไฟแบบหลายชั้น - Product Image 4
X5R เซรามิกหลายชั้น PDC FN 0201 0.47-0.82uF ตัวเก็บประจุบายพาสแหล่งจ่ายไฟแบบหลายชั้น - Product Image 5
X5R เซรามิกหลายชั้น PDC FN 0201 0.47-0.82uF ตัวเก็บประจุบายพาสแหล่งจ่ายไฟแบบหลายชั้น - Product Image 6

X5R เซรามิกหลายชั้น PDC FN 0201 0.47-0.82uF ตัวเก็บประจุบายพาสแหล่งจ่ายไฟแบบหลายชั้น

฿0.3353-1.68
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1,000 ชิ้น
ABECO ELECTRONIC CO., LTD.
11 yrsTW flagTW
CL31B106KOH6PJ (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบเฮลโลชิป 1206 3216 10uF 16Vdc ±10% X7R 125 AEC-Q200) CL31B106KOH6PJ - Product Image 1
CL31B106KOH6PJ (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบเฮลโลชิป 1206 3216 10uF 16Vdc ±10% X7R 125 AEC-Q200) CL31B106KOH6PJ - Product Image 2
CL31B106KOH6PJ (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบเฮลโลชิป 1206 3216 10uF 16Vdc ±10% X7R 125 AEC-Q200) CL31B106KOH6PJ - Product Image 3
CL31B106KOH6PJ (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบเฮลโลชิป 1206 3216 10uF 16Vdc ±10% X7R 125 AEC-Q200) CL31B106KOH6PJ - Product Image 4
CL31B106KOH6PJ (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบเฮลโลชิป 1206 3216 10uF 16Vdc ±10% X7R 125 AEC-Q200) CL31B106KOH6PJ - Product Image 5
CL31B106KOH6PJ (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบเฮลโลชิป 1206 3216 10uF 16Vdc ±10% X7R 125 AEC-Q200) CL31B106KOH6PJ - Product Image 6

CL31B106KOH6PJ (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบเฮลโลชิป 1206 3216 10uF 16Vdc ±10% X7R 125 AEC-Q200) CL31B106KOH6PJ

฿6.71-67.06
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(258)
CL31A106MQH1IN (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบ SMD ขนาด 1206 3216 ความจุ 10uF แรงดัน 6.3Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200) CL31A106MQH1IN - Product Image 1
CL31A106MQH1IN (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบ SMD ขนาด 1206 3216 ความจุ 10uF แรงดัน 6.3Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200) CL31A106MQH1IN - Product Image 2
CL31A106MQH1IN (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบ SMD ขนาด 1206 3216 ความจุ 10uF แรงดัน 6.3Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200) CL31A106MQH1IN - Product Image 3
CL31A106MQH1IN (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบ SMD ขนาด 1206 3216 ความจุ 10uF แรงดัน 6.3Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200) CL31A106MQH1IN - Product Image 4
CL31A106MQH1IN (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบ SMD ขนาด 1206 3216 ความจุ 10uF แรงดัน 6.3Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200) CL31A106MQH1IN - Product Image 5
CL31A106MQH1IN (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบ SMD ขนาด 1206 3216 ความจุ 10uF แรงดัน 6.3Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200) CL31A106MQH1IN - Product Image 6

CL31A106MQH1IN (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบ SMD ขนาด 1206 3216 ความจุ 10uF แรงดัน 6.3Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200) CL31A106MQH1IN

฿6.71-67.06
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(258)
CL10K106MQ8NRW (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ 0603 1608 10uF 6.3Vdc ±20% X7R(S) 125) CL10K106MQ8NRW - Product Image 1
CL10K106MQ8NRW (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ 0603 1608 10uF 6.3Vdc ±20% X7R(S) 125) CL10K106MQ8NRW - Product Image 2
CL10K106MQ8NRW (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ 0603 1608 10uF 6.3Vdc ±20% X7R(S) 125) CL10K106MQ8NRW - Product Image 3
CL10K106MQ8NRW (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ 0603 1608 10uF 6.3Vdc ±20% X7R(S) 125) CL10K106MQ8NRW - Product Image 4
CL10K106MQ8NRW (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ 0603 1608 10uF 6.3Vdc ±20% X7R(S) 125) CL10K106MQ8NRW - Product Image 5
CL10K106MQ8NRW (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ 0603 1608 10uF 6.3Vdc ±20% X7R(S) 125) CL10K106MQ8NRW - Product Image 6

CL10K106MQ8NRW (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ 0603 1608 10uF 6.3Vdc ±20% X7R(S) 125) CL10K106MQ8NRW

฿6.71-67.06
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(258)

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

cbb60 50ufcbb61 15ufcbb61capacitor cbb61 3uf 250vac 50 60hzปลา คา ร์ ฟ จักร พร ร ดิ์cbb60cbb60 12uf 450vacปลา คา ร์ ฟ ราคา เท่า ไหร่cbb60 450vac 50 60hz 40 85 21คา ปา ปั๊ม น้ำkondensator cbb60epcosคา ร์ บั้ มcbb61 1ufcbb60 15uf 450vaccbb60 45ufอี แว ป ปอ เร เตอร์cbb60 450vac 50 60hz 40 70 21ปลา คา ร์ ฟ แพ ล ต ติ นั่ มcapacitor cbb 60