All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Capacitors

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

CL10Z106MP8N4R (ชิปเฮลโล ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ความจุสูง 0603 1608 10uF 10Vdc ±20% X7T 125) CL10Z106MP8N4R - Product Image 1
CL10Z106MP8N4R (ชิปเฮลโล ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ความจุสูง 0603 1608 10uF 10Vdc ±20% X7T 125) CL10Z106MP8N4R - Product Image 2
CL10Z106MP8N4R (ชิปเฮลโล ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ความจุสูง 0603 1608 10uF 10Vdc ±20% X7T 125) CL10Z106MP8N4R - Product Image 3
CL10Z106MP8N4R (ชิปเฮลโล ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ความจุสูง 0603 1608 10uF 10Vdc ±20% X7T 125) CL10Z106MP8N4R - Product Image 4
CL10Z106MP8N4R (ชิปเฮลโล ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ความจุสูง 0603 1608 10uF 10Vdc ±20% X7T 125) CL10Z106MP8N4R - Product Image 5
CL10Z106MP8N4R (ชิปเฮลโล ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ความจุสูง 0603 1608 10uF 10Vdc ±20% X7T 125) CL10Z106MP8N4R - Product Image 6

CL10Z106MP8N4R (ชิปเฮลโล ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ความจุสูง 0603 1608 10uF 10Vdc ±20% X7T 125) CL10Z106MP8N4R

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(256)
CL21X106KPQNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 10Vdc ± 10% X6S 105 ) CL21X106KPQNNW - Product Image 1
CL21X106KPQNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 10Vdc ± 10% X6S 105 ) CL21X106KPQNNW - Product Image 2
CL21X106KPQNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 10Vdc ± 10% X6S 105 ) CL21X106KPQNNW - Product Image 3
CL21X106KPQNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 10Vdc ± 10% X6S 105 ) CL21X106KPQNNW - Product Image 4
CL21X106KPQNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 10Vdc ± 10% X6S 105 ) CL21X106KPQNNW - Product Image 5
CL21X106KPQNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 10Vdc ± 10% X6S 105 ) CL21X106KPQNNW - Product Image 6

CL21X106KPQNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 10Vdc ± 10% X6S 105 ) CL21X106KPQNNW

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(256)
Taiyo Yuden TMK107B7105KA-T MSAST168SB7105KTNA01ไดอิเล็กทริกสูง SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0603 X7R 1uF 25V 10% - Product Image 1
Taiyo Yuden TMK107B7105KA-T MSAST168SB7105KTNA01ไดอิเล็กทริกสูง SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0603 X7R 1uF 25V 10% - Product Image 2
Taiyo Yuden TMK107B7105KA-T MSAST168SB7105KTNA01ไดอิเล็กทริกสูง SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0603 X7R 1uF 25V 10% - Product Image 3
Taiyo Yuden TMK107B7105KA-T MSAST168SB7105KTNA01ไดอิเล็กทริกสูง SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0603 X7R 1uF 25V 10% - Product Image 4
Taiyo Yuden TMK107B7105KA-T MSAST168SB7105KTNA01ไดอิเล็กทริกสูง SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0603 X7R 1uF 25V 10% - Product Image 5
Taiyo Yuden TMK107B7105KA-T MSAST168SB7105KTNA01ไดอิเล็กทริกสูง SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0603 X7R 1uF 25V 10% - Product Image 6

Taiyo Yuden TMK107B7105KA-T MSAST168SB7105KTNA01ไดอิเล็กทริกสูง SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0603 X7R 1uF 25V 10%

฿0.1234-0.3334
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 4,000 ชิ้น
CHARMING TECHNOLOGY CO., LTD.
2 yrsTW flagTW5.0/5.0(1)
CL31B106KAHSFN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 10uF 25Vdc ± 10% X7R 125 ) CL31B106KAHSFN - Product Image 1
CL31B106KAHSFN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 10uF 25Vdc ± 10% X7R 125 ) CL31B106KAHSFN - Product Image 2
CL31B106KAHSFN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 10uF 25Vdc ± 10% X7R 125 ) CL31B106KAHSFN - Product Image 3
CL31B106KAHSFN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 10uF 25Vdc ± 10% X7R 125 ) CL31B106KAHSFN - Product Image 4
CL31B106KAHSFN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 10uF 25Vdc ± 10% X7R 125 ) CL31B106KAHSFN - Product Image 5
CL31B106KAHSFN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 10uF 25Vdc ± 10% X7R 125 ) CL31B106KAHSFN - Product Image 6

CL31B106KAHSFN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 10uF 25Vdc ± 10% X7R 125 ) CL31B106KAHSFN

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(256)
ตัวเก็บประจุนิรภัย PX474K2C1004 แบบ Through hole (THT), P=10มม. 470นิวตัน-โวลต์ 10% 310โวลต์/380โวลต์/350โวลต์ X2 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุนิรภัย PX474K2C1004 แบบ Through hole (THT), P=10มม. 470นิวตัน-โวลต์ 10% 310โวลต์/380โวลต์/350โวลต์ X2 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุนิรภัย PX474K2C1004 แบบ Through hole (THT), P=10มม. 470นิวตัน-โวลต์ 10% 310โวลต์/380โวลต์/350โวลต์ X2 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุนิรภัย PX474K2C1004 แบบ Through hole (THT), P=10มม. 470นิวตัน-โวลต์ 10% 310โวลต์/380โวลต์/350โวลต์ X2 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุนิรภัย PX474K2C1004 แบบ Through hole (THT), P=10มม. 470นิวตัน-โวลต์ 10% 310โวลต์/380โวลต์/350โวลต์ X2 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุนิรภัย PX474K2C1004 แบบ Through hole (THT), P=10มม. 470นิวตัน-โวลต์ 10% 310โวลต์/380โวลต์/350โวลต์ X2 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุนิรภัย PX474K2C1004 แบบ Through hole (THT), P=10มม. 470นิวตัน-โวลต์ 10% 310โวลต์/380โวลต์/350โวลต์ X2

฿2.67-10.34
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5 ชิ้น
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.8/5.0(15)
CL10Z106MP8NRW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 0603 1608 10uF 10Vdc ± 20% X7T 125 ) CL10Z106MP8NRW - Product Image 1
CL10Z106MP8NRW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 0603 1608 10uF 10Vdc ± 20% X7T 125 ) CL10Z106MP8NRW - Product Image 2
CL10Z106MP8NRW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 0603 1608 10uF 10Vdc ± 20% X7T 125 ) CL10Z106MP8NRW - Product Image 3
CL10Z106MP8NRW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 0603 1608 10uF 10Vdc ± 20% X7T 125 ) CL10Z106MP8NRW - Product Image 4
CL10Z106MP8NRW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 0603 1608 10uF 10Vdc ± 20% X7T 125 ) CL10Z106MP8NRW - Product Image 5
CL10Z106MP8NRW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 0603 1608 10uF 10Vdc ± 20% X7T 125 ) CL10Z106MP8NRW - Product Image 6

CL10Z106MP8NRW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 0603 1608 10uF 10Vdc ± 20% X7T 125 ) CL10Z106MP8NRW

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(256)
CKG57NX7S1C107M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 100 F 16V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7S1C107M500JJ 100uF - Product Image 1
CKG57NX7S1C107M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 100 F 16V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7S1C107M500JJ 100uF - Product Image 2
CKG57NX7S1C107M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 100 F 16V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7S1C107M500JJ 100uF - Product Image 3
CKG57NX7S1C107M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 100 F 16V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7S1C107M500JJ 100uF - Product Image 4
CKG57NX7S1C107M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 100 F 16V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7S1C107M500JJ 100uF - Product Image 5
CKG57NX7S1C107M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 100 F 16V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7S1C107M500JJ 100uF - Product Image 6

CKG57NX7S1C107M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 100 F 16V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7S1C107M500JJ 100uF

฿16.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(256)
C42824 Stc 310E40 +++++ แผ่นกรองโพลีโพรพิลีน P8 X2ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม AC 310มม. V-0ระยะ22.5มม. - Product Image 1
C42824 Stc 310E40 +++++ แผ่นกรองโพลีโพรพิลีน P8 X2ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม AC 310มม. V-0ระยะ22.5มม. - Product Image 2
C42824 Stc 310E40 +++++ แผ่นกรองโพลีโพรพิลีน P8 X2ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม AC 310มม. V-0ระยะ22.5มม. - Product Image 3
C42824 Stc 310E40 +++++ แผ่นกรองโพลีโพรพิลีน P8 X2ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม AC 310มม. V-0ระยะ22.5มม. - Product Image 4
C42824 Stc 310E40 +++++ แผ่นกรองโพลีโพรพิลีน P8 X2ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม AC 310มม. V-0ระยะ22.5มม. - Product Image 5
C42824 Stc 310E40 +++++ แผ่นกรองโพลีโพรพิลีน P8 X2ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม AC 310มม. V-0ระยะ22.5มม. - Product Image 6

C42824 Stc 310E40 +++++ แผ่นกรองโพลีโพรพิลีน P8 X2ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม AC 310มม. V-0ระยะ22.5มม.

฿12.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 2,000 ชิ้น
CHARMING TECHNOLOGY CO., LTD.
2 yrsTW flagTW5.0/5.0(1)

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

cbb60 50ufcbb61 15ufcbb61capacitor cbb61 3uf 250vac 50 60hzปลา คา ร์ ฟ จักร พร ร ดิ์cbb60cbb60 12uf 450vacปลา คา ร์ ฟ ราคา เท่า ไหร่cbb60 450vac 50 60hz 40 85 21คา ปา ปั๊ม น้ำkondensator cbb60epcosคา ร์ บั้ มcbb61 1ufcbb60 15uf 450vaccbb60 45ufอี แว ป ปอ เร เตอร์cbb60 450vac 50 60hz 40 70 21ปลา คา ร์ ฟ แพ ล ต ติ นั่ มcapacitor cbb 60