All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Capacitors

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

CL10A106KQQ1IN (ชิปเฮลโล SMD MLCC Capacitor 0603 1608 10uF 6.3Vdc ±10% X5R 85 AEC-Q200) CL10A106KQQ1IN - Product Image 1
CL10A106KQQ1IN (ชิปเฮลโล SMD MLCC Capacitor 0603 1608 10uF 6.3Vdc ±10% X5R 85 AEC-Q200) CL10A106KQQ1IN - Product Image 2
CL10A106KQQ1IN (ชิปเฮลโล SMD MLCC Capacitor 0603 1608 10uF 6.3Vdc ±10% X5R 85 AEC-Q200) CL10A106KQQ1IN - Product Image 3
CL10A106KQQ1IN (ชิปเฮลโล SMD MLCC Capacitor 0603 1608 10uF 6.3Vdc ±10% X5R 85 AEC-Q200) CL10A106KQQ1IN - Product Image 4
CL10A106KQQ1IN (ชิปเฮลโล SMD MLCC Capacitor 0603 1608 10uF 6.3Vdc ±10% X5R 85 AEC-Q200) CL10A106KQQ1IN - Product Image 5
CL10A106KQQ1IN (ชิปเฮลโล SMD MLCC Capacitor 0603 1608 10uF 6.3Vdc ±10% X5R 85 AEC-Q200) CL10A106KQQ1IN - Product Image 6

CL10A106KQQ1IN (ชิปเฮลโล SMD MLCC Capacitor 0603 1608 10uF 6.3Vdc ±10% X5R 85 AEC-Q200) CL10A106KQQ1IN

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(255)
ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP85-154K630VDCP10C3 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 150nF 10% แรงดัน 630V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP85-154K630VDCP10C3 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 150nF 10% แรงดัน 630V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP85-154K630VDCP10C3 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 150nF 10% แรงดัน 630V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP85-154K630VDCP10C3 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 150nF 10% แรงดัน 630V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP85-154K630VDCP10C3 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 150nF 10% แรงดัน 630V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP85-154K630VDCP10C3 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 150nF 10% แรงดัน 630V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP85-154K630VDCP10C3 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 150nF 10% แรงดัน 630V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ

฿0.6667-3.01
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ชิ้น
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.8/5.0(15)
CL31B106KOKVPN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1206 3216 10uF 16Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200) CL31B106KOKVPN - Product Image 1
CL31B106KOKVPN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1206 3216 10uF 16Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200) CL31B106KOKVPN - Product Image 2
CL31B106KOKVPN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1206 3216 10uF 16Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200) CL31B106KOKVPN - Product Image 3
CL31B106KOKVPN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1206 3216 10uF 16Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200) CL31B106KOKVPN - Product Image 4
CL31B106KOKVPN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1206 3216 10uF 16Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200) CL31B106KOKVPN - Product Image 5
CL31B106KOKVPN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1206 3216 10uF 16Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200) CL31B106KOKVPN - Product Image 6

CL31B106KOKVPN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1206 3216 10uF 16Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200) CL31B106KOKVPN

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(255)
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดโมโนลิธิกไดอิเล็กทริกสูง ยี่ห้อไทโย ยูเดน รุ่น MSASJ105CB5106MFNQ11 JMK105CBJ106MV-F ขนาด 0402 X5R สำหรับงาน SMT - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดโมโนลิธิกไดอิเล็กทริกสูง ยี่ห้อไทโย ยูเดน รุ่น MSASJ105CB5106MFNQ11 JMK105CBJ106MV-F ขนาด 0402 X5R สำหรับงาน SMT - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดโมโนลิธิกไดอิเล็กทริกสูง ยี่ห้อไทโย ยูเดน รุ่น MSASJ105CB5106MFNQ11 JMK105CBJ106MV-F ขนาด 0402 X5R สำหรับงาน SMT - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดโมโนลิธิกไดอิเล็กทริกสูง ยี่ห้อไทโย ยูเดน รุ่น MSASJ105CB5106MFNQ11 JMK105CBJ106MV-F ขนาด 0402 X5R สำหรับงาน SMT - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดโมโนลิธิกไดอิเล็กทริกสูง ยี่ห้อไทโย ยูเดน รุ่น MSASJ105CB5106MFNQ11 JMK105CBJ106MV-F ขนาด 0402 X5R สำหรับงาน SMT - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดโมโนลิธิกไดอิเล็กทริกสูง ยี่ห้อไทโย ยูเดน รุ่น MSASJ105CB5106MFNQ11 JMK105CBJ106MV-F ขนาด 0402 X5R สำหรับงาน SMT

฿0.1434-0.3334
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 100,000 ชิ้น
CHARMING TECHNOLOGY CO., LTD.
2 yrsTW flagTW5.0/5.0(1)
CL10X106MO8NRW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0603 1608 10uF 16Vdc ± 20% X6S 105 ) CL10X106MO8NRW - Product Image 1
CL10X106MO8NRW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0603 1608 10uF 16Vdc ± 20% X6S 105 ) CL10X106MO8NRW - Product Image 2
CL10X106MO8NRW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0603 1608 10uF 16Vdc ± 20% X6S 105 ) CL10X106MO8NRW - Product Image 3
CL10X106MO8NRW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0603 1608 10uF 16Vdc ± 20% X6S 105 ) CL10X106MO8NRW - Product Image 4
CL10X106MO8NRW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0603 1608 10uF 16Vdc ± 20% X6S 105 ) CL10X106MO8NRW - Product Image 5
CL10X106MO8NRW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0603 1608 10uF 16Vdc ± 20% X6S 105 ) CL10X106MO8NRW - Product Image 6

CL10X106MO8NRW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0603 1608 10uF 16Vdc ± 20% X6S 105 ) CL10X106MO8NRW

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(255)
ตัวเก็บประจุฟิล์ม JWMPP85-104K500VDCP7.5B4ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 100nF 10% โพลีโพรพิลีน500V - Product Image 1
ตัวเก็บประจุฟิล์ม JWMPP85-104K500VDCP7.5B4ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 100nF 10% โพลีโพรพิลีน500V - Product Image 2
ตัวเก็บประจุฟิล์ม JWMPP85-104K500VDCP7.5B4ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 100nF 10% โพลีโพรพิลีน500V - Product Image 3
ตัวเก็บประจุฟิล์ม JWMPP85-104K500VDCP7.5B4ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 100nF 10% โพลีโพรพิลีน500V - Product Image 4
ตัวเก็บประจุฟิล์ม JWMPP85-104K500VDCP7.5B4ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 100nF 10% โพลีโพรพิลีน500V - Product Image 5
ตัวเก็บประจุฟิล์ม JWMPP85-104K500VDCP7.5B4ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 100nF 10% โพลีโพรพิลีน500V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม JWMPP85-104K500VDCP7.5B4ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 100nF 10% โพลีโพรพิลีน500V

฿1.34-5.34
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ชิ้น
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.8/5.0(15)
CL31Z226MQKVPN (ชิป Hello ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 22uF 6.3Vdc ± 20% X7T 125 AEC-Q200) CL31Z226MQKVPN - Product Image 1
CL31Z226MQKVPN (ชิป Hello ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 22uF 6.3Vdc ± 20% X7T 125 AEC-Q200) CL31Z226MQKVPN - Product Image 2
CL31Z226MQKVPN (ชิป Hello ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 22uF 6.3Vdc ± 20% X7T 125 AEC-Q200) CL31Z226MQKVPN - Product Image 3
CL31Z226MQKVPN (ชิป Hello ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 22uF 6.3Vdc ± 20% X7T 125 AEC-Q200) CL31Z226MQKVPN - Product Image 4
CL31Z226MQKVPN (ชิป Hello ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 22uF 6.3Vdc ± 20% X7T 125 AEC-Q200) CL31Z226MQKVPN - Product Image 5
CL31Z226MQKVPN (ชิป Hello ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 22uF 6.3Vdc ± 20% X7T 125 AEC-Q200) CL31Z226MQKVPN - Product Image 6

CL31Z226MQKVPN (ชิป Hello ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 22uF 6.3Vdc ± 20% X7T 125 AEC-Q200) CL31Z226MQKVPN

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(255)
ตัวเก็บประจุฟิล์มแบบต้านทานรบกวน EMI ยี่ห้อ STC รุ่น C42334*310E10+++++P8 ซีรีส์ X2 ระยะพิทช์ 22.5 มม. ความจุ 0.33uF แรงดัน 310V ได้รับการรับรองมาตรฐาน UL94 V-0 และ ENEC - Product Image 1
ตัวเก็บประจุฟิล์มแบบต้านทานรบกวน EMI ยี่ห้อ STC รุ่น C42334*310E10+++++P8 ซีรีส์ X2 ระยะพิทช์ 22.5 มม. ความจุ 0.33uF แรงดัน 310V ได้รับการรับรองมาตรฐาน UL94 V-0 และ ENEC - Product Image 2
ตัวเก็บประจุฟิล์มแบบต้านทานรบกวน EMI ยี่ห้อ STC รุ่น C42334*310E10+++++P8 ซีรีส์ X2 ระยะพิทช์ 22.5 มม. ความจุ 0.33uF แรงดัน 310V ได้รับการรับรองมาตรฐาน UL94 V-0 และ ENEC - Product Image 3
ตัวเก็บประจุฟิล์มแบบต้านทานรบกวน EMI ยี่ห้อ STC รุ่น C42334*310E10+++++P8 ซีรีส์ X2 ระยะพิทช์ 22.5 มม. ความจุ 0.33uF แรงดัน 310V ได้รับการรับรองมาตรฐาน UL94 V-0 และ ENEC - Product Image 4
ตัวเก็บประจุฟิล์มแบบต้านทานรบกวน EMI ยี่ห้อ STC รุ่น C42334*310E10+++++P8 ซีรีส์ X2 ระยะพิทช์ 22.5 มม. ความจุ 0.33uF แรงดัน 310V ได้รับการรับรองมาตรฐาน UL94 V-0 และ ENEC - Product Image 5
ตัวเก็บประจุฟิล์มแบบต้านทานรบกวน EMI ยี่ห้อ STC รุ่น C42334*310E10+++++P8 ซีรีส์ X2 ระยะพิทช์ 22.5 มม. ความจุ 0.33uF แรงดัน 310V ได้รับการรับรองมาตรฐาน UL94 V-0 และ ENEC - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์มแบบต้านทานรบกวน EMI ยี่ห้อ STC รุ่น C42334*310E10+++++P8 ซีรีส์ X2 ระยะพิทช์ 22.5 มม. ความจุ 0.33uF แรงดัน 310V ได้รับการรับรองมาตรฐาน UL94 V-0 และ ENEC

฿7.34
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 2,000 ชิ้น
CHARMING TECHNOLOGY CO., LTD.
2 yrsTW flagTW5.0/5.0(1)

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

cbb60 50ufcbb61 15ufcbb61capacitor cbb61 3uf 250vac 50 60hzปลา คา ร์ ฟ จักร พร ร ดิ์cbb60cbb60 12uf 450vacปลา คา ร์ ฟ ราคา เท่า ไหร่cbb60 450vac 50 60hz 40 85 21คา ปา ปั๊ม น้ำkondensator cbb60epcosคา ร์ บั้ มcbb61 1ufcbb60 15uf 450vaccbb60 45ufอี แว ป ปอ เร เตอร์cbb60 450vac 50 60hz 40 70 21ปลา คา ร์ ฟ แพ ล ต ติ นั่ มcapacitor cbb 60