All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Capacitors

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

CL31B226MQKVPN (ชิป Hello ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 22uF 6.3Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200) CL31B226MQKVPN - Product Image 1
CL31B226MQKVPN (ชิป Hello ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 22uF 6.3Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200) CL31B226MQKVPN - Product Image 2
CL31B226MQKVPN (ชิป Hello ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 22uF 6.3Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200) CL31B226MQKVPN - Product Image 3
CL31B226MQKVPN (ชิป Hello ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 22uF 6.3Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200) CL31B226MQKVPN - Product Image 4
CL31B226MQKVPN (ชิป Hello ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 22uF 6.3Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200) CL31B226MQKVPN - Product Image 5
CL31B226MQKVPN (ชิป Hello ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 22uF 6.3Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200) CL31B226MQKVPN - Product Image 6

CL31B226MQKVPN (ชิป Hello ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 22uF 6.3Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200) CL31B226MQKVPN

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(258)
ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ ซีรีส์ C42 รุ่น STC C42475*310T40+++++P0 สำหรับป้องกันสัญญาณรบกวน EMI ความจุ 4.7uF แรงดัน 310V มาตรฐาน UL94 V-0 ระยะห่างระหว่างขา 37.5 มม. - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ ซีรีส์ C42 รุ่น STC C42475*310T40+++++P0 สำหรับป้องกันสัญญาณรบกวน EMI ความจุ 4.7uF แรงดัน 310V มาตรฐาน UL94 V-0 ระยะห่างระหว่างขา 37.5 มม. - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ ซีรีส์ C42 รุ่น STC C42475*310T40+++++P0 สำหรับป้องกันสัญญาณรบกวน EMI ความจุ 4.7uF แรงดัน 310V มาตรฐาน UL94 V-0 ระยะห่างระหว่างขา 37.5 มม. - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ ซีรีส์ C42 รุ่น STC C42475*310T40+++++P0 สำหรับป้องกันสัญญาณรบกวน EMI ความจุ 4.7uF แรงดัน 310V มาตรฐาน UL94 V-0 ระยะห่างระหว่างขา 37.5 มม. - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ ซีรีส์ C42 รุ่น STC C42475*310T40+++++P0 สำหรับป้องกันสัญญาณรบกวน EMI ความจุ 4.7uF แรงดัน 310V มาตรฐาน UL94 V-0 ระยะห่างระหว่างขา 37.5 มม. - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ ซีรีส์ C42 รุ่น STC C42475*310T40+++++P0 สำหรับป้องกันสัญญาณรบกวน EMI ความจุ 4.7uF แรงดัน 310V มาตรฐาน UL94 V-0 ระยะห่างระหว่างขา 37.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ ซีรีส์ C42 รุ่น STC C42475*310T40+++++P0 สำหรับป้องกันสัญญาณรบกวน EMI ความจุ 4.7uF แรงดัน 310V มาตรฐาน UL94 V-0 ระยะห่างระหว่างขา 37.5 มม.

฿76.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1,000 ชิ้น
CHARMING TECHNOLOGY CO., LTD.
2 yrsTW flagTW5.0/5.0(1)
ตัวเก็บประจุแบบซุปเปอร์คาปาซิเตอร์ SP-5R5-Z105VYA13 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15.3 มม. ความจุ 1F 0%~+30% แรงดัน 5.5V ความต้านทาน 240mOhm ที่ 1kHz - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบซุปเปอร์คาปาซิเตอร์ SP-5R5-Z105VYA13 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15.3 มม. ความจุ 1F 0%~+30% แรงดัน 5.5V ความต้านทาน 240mOhm ที่ 1kHz - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบซุปเปอร์คาปาซิเตอร์ SP-5R5-Z105VYA13 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15.3 มม. ความจุ 1F 0%~+30% แรงดัน 5.5V ความต้านทาน 240mOhm ที่ 1kHz - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบซุปเปอร์คาปาซิเตอร์ SP-5R5-Z105VYA13 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15.3 มม. ความจุ 1F 0%~+30% แรงดัน 5.5V ความต้านทาน 240mOhm ที่ 1kHz - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบซุปเปอร์คาปาซิเตอร์ SP-5R5-Z105VYA13 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15.3 มม. ความจุ 1F 0%~+30% แรงดัน 5.5V ความต้านทาน 240mOhm ที่ 1kHz - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบซุปเปอร์คาปาซิเตอร์ SP-5R5-Z105VYA13 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15.3 มม. ความจุ 1F 0%~+30% แรงดัน 5.5V ความต้านทาน 240mOhm ที่ 1kHz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบซุปเปอร์คาปาซิเตอร์ SP-5R5-Z105VYA13 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15.3 มม. ความจุ 1F 0%~+30% แรงดัน 5.5V ความต้านทาน 240mOhm ที่ 1kHz

฿14.67-57.01
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.8/5.0(15)
CL21A106KAUUNN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 25Vdc ± 10% X5R 85 ) CL21A106KAUUNN - Product Image 1
CL21A106KAUUNN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 25Vdc ± 10% X5R 85 ) CL21A106KAUUNN - Product Image 2
CL21A106KAUUNN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 25Vdc ± 10% X5R 85 ) CL21A106KAUUNN - Product Image 3
CL21A106KAUUNN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 25Vdc ± 10% X5R 85 ) CL21A106KAUUNN - Product Image 4
CL21A106KAUUNN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 25Vdc ± 10% X5R 85 ) CL21A106KAUUNN - Product Image 5
CL21A106KAUUNN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 25Vdc ± 10% X5R 85 ) CL21A106KAUUNN - Product Image 6

CL21A106KAUUNN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 25Vdc ± 10% X5R 85 ) CL21A106KAUUNN

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(258)
CL31A106KPHNNW (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น Hello chip ขนาด 1206 3216 10uF 10Vdc ±10% X5R 85) CL31A106KPHNNW - Product Image 1
CL31A106KPHNNW (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น Hello chip ขนาด 1206 3216 10uF 10Vdc ±10% X5R 85) CL31A106KPHNNW - Product Image 2
CL31A106KPHNNW (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น Hello chip ขนาด 1206 3216 10uF 10Vdc ±10% X5R 85) CL31A106KPHNNW - Product Image 3
CL31A106KPHNNW (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น Hello chip ขนาด 1206 3216 10uF 10Vdc ±10% X5R 85) CL31A106KPHNNW - Product Image 4
CL31A106KPHNNW (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น Hello chip ขนาด 1206 3216 10uF 10Vdc ±10% X5R 85) CL31A106KPHNNW - Product Image 5
CL31A106KPHNNW (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น Hello chip ขนาด 1206 3216 10uF 10Vdc ±10% X5R 85) CL31A106KPHNNW - Product Image 6

CL31A106KPHNNW (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น Hello chip ขนาด 1206 3216 10uF 10Vdc ±10% X5R 85) CL31A106KPHNNW

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(258)
CL21A106KOQNNN (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบ SMD 0805 2012 10uF 16Vdc ±10% X5R 85) CL21A106KOQNNN - Product Image 1
CL21A106KOQNNN (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบ SMD 0805 2012 10uF 16Vdc ±10% X5R 85) CL21A106KOQNNN - Product Image 2
CL21A106KOQNNN (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบ SMD 0805 2012 10uF 16Vdc ±10% X5R 85) CL21A106KOQNNN - Product Image 3
CL21A106KOQNNN (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบ SMD 0805 2012 10uF 16Vdc ±10% X5R 85) CL21A106KOQNNN - Product Image 4
CL21A106KOQNNN (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบ SMD 0805 2012 10uF 16Vdc ±10% X5R 85) CL21A106KOQNNN - Product Image 5
CL21A106KOQNNN (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบ SMD 0805 2012 10uF 16Vdc ±10% X5R 85) CL21A106KOQNNN - Product Image 6

CL21A106KOQNNN (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบ SMD 0805 2012 10uF 16Vdc ±10% X5R 85) CL21A106KOQNNN

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(258)
CL10Z106MP8N4R (ชิปเฮลโล ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ความจุสูง 0603 1608 10uF 10Vdc ±20% X7T 125) CL10Z106MP8N4R - Product Image 1
CL10Z106MP8N4R (ชิปเฮลโล ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ความจุสูง 0603 1608 10uF 10Vdc ±20% X7T 125) CL10Z106MP8N4R - Product Image 2
CL10Z106MP8N4R (ชิปเฮลโล ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ความจุสูง 0603 1608 10uF 10Vdc ±20% X7T 125) CL10Z106MP8N4R - Product Image 3
CL10Z106MP8N4R (ชิปเฮลโล ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ความจุสูง 0603 1608 10uF 10Vdc ±20% X7T 125) CL10Z106MP8N4R - Product Image 4
CL10Z106MP8N4R (ชิปเฮลโล ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ความจุสูง 0603 1608 10uF 10Vdc ±20% X7T 125) CL10Z106MP8N4R - Product Image 5
CL10Z106MP8N4R (ชิปเฮลโล ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ความจุสูง 0603 1608 10uF 10Vdc ±20% X7T 125) CL10Z106MP8N4R - Product Image 6

CL10Z106MP8N4R (ชิปเฮลโล ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ความจุสูง 0603 1608 10uF 10Vdc ±20% X7T 125) CL10Z106MP8N4R

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(258)
CL21X106KPQNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 10Vdc ± 10% X6S 105 ) CL21X106KPQNNW - Product Image 1
CL21X106KPQNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 10Vdc ± 10% X6S 105 ) CL21X106KPQNNW - Product Image 2
CL21X106KPQNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 10Vdc ± 10% X6S 105 ) CL21X106KPQNNW - Product Image 3
CL21X106KPQNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 10Vdc ± 10% X6S 105 ) CL21X106KPQNNW - Product Image 4
CL21X106KPQNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 10Vdc ± 10% X6S 105 ) CL21X106KPQNNW - Product Image 5
CL21X106KPQNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 10Vdc ± 10% X6S 105 ) CL21X106KPQNNW - Product Image 6

CL21X106KPQNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 10Vdc ± 10% X6S 105 ) CL21X106KPQNNW

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(258)

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

cbb60 50ufcbb61 15ufcbb61capacitor cbb61 3uf 250vac 50 60hzปลา คา ร์ ฟ จักร พร ร ดิ์cbb60cbb60 12uf 450vacปลา คา ร์ ฟ ราคา เท่า ไหร่cbb60 450vac 50 60hz 40 85 21คา ปา ปั๊ม น้ำkondensator cbb60epcosคา ร์ บั้ มcbb61 1ufcbb60 15uf 450vaccbb60 45ufอี แว ป ปอ เร เตอร์cbb60 450vac 50 60hz 40 70 21ปลา คา ร์ ฟ แพ ล ต ติ นั่ มcapacitor cbb 60