All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Capacitors

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH103M46Y5UN6VL7A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH103M46Y5UN6VL7A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH103M46Y5UN6VL7A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH103M46Y5UN6VL7A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH103M46Y5UN6VL7A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH103M46Y5UN6VL7A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH103M46Y5UN6VL7A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ขนาดขา 7.5 มม.

฿1.67-6.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ชิ้น
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.8/5.0(15)
CL31B226MQKVPJ (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบเฮลโลชิป 1206 3216 22uF 6.3Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200) CL31B226MQKVPJ - Product Image 1
CL31B226MQKVPJ (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบเฮลโลชิป 1206 3216 22uF 6.3Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200) CL31B226MQKVPJ - Product Image 2
CL31B226MQKVPJ (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบเฮลโลชิป 1206 3216 22uF 6.3Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200) CL31B226MQKVPJ - Product Image 3
CL31B226MQKVPJ (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบเฮลโลชิป 1206 3216 22uF 6.3Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200) CL31B226MQKVPJ - Product Image 4
CL31B226MQKVPJ (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบเฮลโลชิป 1206 3216 22uF 6.3Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200) CL31B226MQKVPJ - Product Image 5
CL31B226MQKVPJ (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบเฮลโลชิป 1206 3216 22uF 6.3Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200) CL31B226MQKVPJ - Product Image 6

CL31B226MQKVPJ (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบเฮลโลชิป 1206 3216 22uF 6.3Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200) CL31B226MQKVPJ

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(255)
ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-152K2KVDCP7.5B4 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1.5nF 10% 2kV ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-152K2KVDCP7.5B4 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1.5nF 10% 2kV ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-152K2KVDCP7.5B4 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1.5nF 10% 2kV ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-152K2KVDCP7.5B4 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1.5nF 10% 2kV ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-152K2KVDCP7.5B4 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1.5nF 10% 2kV ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-152K2KVDCP7.5B4 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1.5nF 10% 2kV ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-152K2KVDCP7.5B4 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1.5nF 10% 2kV ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ

฿1.01-3.34
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ชิ้น
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.8/5.0(15)
CL32Y106KCJ6PJ (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1210 3225 10uF 100Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200) CL32Y106KCJ6PJ - Product Image 1
CL32Y106KCJ6PJ (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1210 3225 10uF 100Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200) CL32Y106KCJ6PJ - Product Image 2
CL32Y106KCJ6PJ (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1210 3225 10uF 100Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200) CL32Y106KCJ6PJ - Product Image 3
CL32Y106KCJ6PJ (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1210 3225 10uF 100Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200) CL32Y106KCJ6PJ - Product Image 4
CL32Y106KCJ6PJ (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1210 3225 10uF 100Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200) CL32Y106KCJ6PJ - Product Image 5
CL32Y106KCJ6PJ (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1210 3225 10uF 100Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200) CL32Y106KCJ6PJ - Product Image 6

CL32Y106KCJ6PJ (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1210 3225 10uF 100Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200) CL32Y106KCJ6PJ

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(255)
ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T530X477M006ATE010 รุ่น 2917 ( ความจุ: 470uF )( ความแม่นยำ: 20%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T530X477M006ATE010 รุ่น 2917 ( ความจุ: 470uF )( ความแม่นยำ: 20%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T530X477M006ATE010 รุ่น 2917 ( ความจุ: 470uF )( ความแม่นยำ: 20%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T530X477M006ATE010 รุ่น 2917 ( ความจุ: 470uF )( ความแม่นยำ: 20%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T530X477M006ATE010 รุ่น 2917 ( ความจุ: 470uF )( ความแม่นยำ: 20%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T530X477M006ATE010 รุ่น 2917 ( ความจุ: 470uF )( ความแม่นยำ: 20%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T530X477M006ATE010 รุ่น 2917 ( ความจุ: 470uF )( ความแม่นยำ: 20%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V

฿111.34-378.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.8/5.0(15)
CL31A476KPH1IN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1206 3216 47uF 10Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200) CL31A476KPH1IN - Product Image 1
CL31A476KPH1IN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1206 3216 47uF 10Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200) CL31A476KPH1IN - Product Image 2
CL31A476KPH1IN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1206 3216 47uF 10Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200) CL31A476KPH1IN - Product Image 3
CL31A476KPH1IN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1206 3216 47uF 10Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200) CL31A476KPH1IN - Product Image 4
CL31A476KPH1IN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1206 3216 47uF 10Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200) CL31A476KPH1IN - Product Image 5
CL31A476KPH1IN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1206 3216 47uF 10Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200) CL31A476KPH1IN - Product Image 6

CL31A476KPH1IN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1206 3216 47uF 10Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200) CL31A476KPH1IN

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(255)
CL31X106KOH1IN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1206 3216 10uF 16Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200) CL31X106KOH1IN - Product Image 1
CL31X106KOH1IN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1206 3216 10uF 16Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200) CL31X106KOH1IN - Product Image 2
CL31X106KOH1IN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1206 3216 10uF 16Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200) CL31X106KOH1IN - Product Image 3
CL31X106KOH1IN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1206 3216 10uF 16Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200) CL31X106KOH1IN - Product Image 4
CL31X106KOH1IN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1206 3216 10uF 16Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200) CL31X106KOH1IN - Product Image 5
CL31X106KOH1IN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1206 3216 10uF 16Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200) CL31X106KOH1IN - Product Image 6

CL31X106KOH1IN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1206 3216 10uF 16Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200) CL31X106KOH1IN

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(255)
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนแบบเมทัลไลซ์ STC รุ่น C42564*310D83+++++P8 แบบเรเดียล 0.56uF 310V สำหรับป้องกัน EMI ระยะพิทช์ 15 มม. มาตรฐาน UL94 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนแบบเมทัลไลซ์ STC รุ่น C42564*310D83+++++P8 แบบเรเดียล 0.56uF 310V สำหรับป้องกัน EMI ระยะพิทช์ 15 มม. มาตรฐาน UL94 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนแบบเมทัลไลซ์ STC รุ่น C42564*310D83+++++P8 แบบเรเดียล 0.56uF 310V สำหรับป้องกัน EMI ระยะพิทช์ 15 มม. มาตรฐาน UL94 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนแบบเมทัลไลซ์ STC รุ่น C42564*310D83+++++P8 แบบเรเดียล 0.56uF 310V สำหรับป้องกัน EMI ระยะพิทช์ 15 มม. มาตรฐาน UL94 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนแบบเมทัลไลซ์ STC รุ่น C42564*310D83+++++P8 แบบเรเดียล 0.56uF 310V สำหรับป้องกัน EMI ระยะพิทช์ 15 มม. มาตรฐาน UL94 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนแบบเมทัลไลซ์ STC รุ่น C42564*310D83+++++P8 แบบเรเดียล 0.56uF 310V สำหรับป้องกัน EMI ระยะพิทช์ 15 มม. มาตรฐาน UL94 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนแบบเมทัลไลซ์ STC รุ่น C42564*310D83+++++P8 แบบเรเดียล 0.56uF 310V สำหรับป้องกัน EMI ระยะพิทช์ 15 มม. มาตรฐาน UL94

฿10.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 2,000 ชิ้น
CHARMING TECHNOLOGY CO., LTD.
2 yrsTW flagTW5.0/5.0(1)

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

cbb60 50ufcbb61 15ufcbb61capacitor cbb61 3uf 250vac 50 60hzปลา คา ร์ ฟ จักร พร ร ดิ์cbb60cbb60 12uf 450vacปลา คา ร์ ฟ ราคา เท่า ไหร่cbb60 450vac 50 60hz 40 85 21คา ปา ปั๊ม น้ำkondensator cbb60epcosคา ร์ บั้ มcbb61 1ufcbb60 15uf 450vaccbb60 45ufอี แว ป ปอ เร เตอร์cbb60 450vac 50 60hz 40 70 21ปลา คา ร์ ฟ แพ ล ต ติ นั่ มcapacitor cbb 60