All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Capacitors

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ฟิล์มโพลีโพรพีลีนชนิดโลหะ Y2ชนิดตัวเก็บประจุความปลอดภัย,0.047UF 300V / 473K 300V - Product Image 1

ฟิล์มโพลีโพรพีลีนชนิดโลหะ Y2ชนิดตัวเก็บประจุความปลอดภัย,0.047UF 300V / 473K 300V - Product Image 2

ฟิล์มโพลีโพรพีลีนชนิดโลหะ Y2ชนิดตัวเก็บประจุความปลอดภัย,0.047UF 300V / 473K 300V - Product Image 3

ฟิล์มโพลีโพรพีลีนชนิดโลหะ Y2ชนิดตัวเก็บประจุความปลอดภัย,0.047UF 300V / 473K 300V - Product Image 4

ฟิล์มโพลีโพรพีลีนชนิดโลหะ Y2ชนิดตัวเก็บประจุความปลอดภัย,0.047UF 300V / 473K 300V - Product Image 5

ฟิล์มโพลีโพรพีลีนชนิดโลหะ Y2ชนิดตัวเก็บประจุความปลอดภัย,0.047UF 300V / 473K 300V - Product Image 6

ฟิล์มโพลีโพรพีลีนชนิดโลหะ Y2ชนิดตัวเก็บประจุความปลอดภัย,0.047UF 300V / 473K 300V

฿1.67-15.01

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1,000 ชิ้น

SUPERTECH ELECTRONIC CO., LTD.

17 yrs

TW

CL31A106KOH1IN (Hello Chip ตัวเก็บประจุ MLCC 1206 3216 10uF 16Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200) CL31A106KOH1IN - Product Image 1

CL31A106KOH1IN (Hello Chip ตัวเก็บประจุ MLCC 1206 3216 10uF 16Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200) CL31A106KOH1IN - Product Image 2

CL31A106KOH1IN (Hello Chip ตัวเก็บประจุ MLCC 1206 3216 10uF 16Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200) CL31A106KOH1IN - Product Image 3

CL31A106KOH1IN (Hello Chip ตัวเก็บประจุ MLCC 1206 3216 10uF 16Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200) CL31A106KOH1IN - Product Image 4

CL31A106KOH1IN (Hello Chip ตัวเก็บประจุ MLCC 1206 3216 10uF 16Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200) CL31A106KOH1IN - Product Image 5

CL31A106KOH1IN (Hello Chip ตัวเก็บประจุ MLCC 1206 3216 10uF 16Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200) CL31A106KOH1IN - Product Image 6

CL31A106KOH1IN (Hello Chip ตัวเก็บประจุ MLCC 1206 3216 10uF 16Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200) CL31A106KOH1IN

฿6.67-66.67

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

CL31A476MQHNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 47uF ± 6.3Vdc 20% X5R 85 ) CL31A476MQHNNW - Product Image 1

CL31A476MQHNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 47uF ± 6.3Vdc 20% X5R 85 ) CL31A476MQHNNW - Product Image 2

CL31A476MQHNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 47uF ± 6.3Vdc 20% X5R 85 ) CL31A476MQHNNW - Product Image 3

CL31A476MQHNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 47uF ± 6.3Vdc 20% X5R 85 ) CL31A476MQHNNW - Product Image 4

CL31A476MQHNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 47uF ± 6.3Vdc 20% X5R 85 ) CL31A476MQHNNW - Product Image 5

CL31A476MQHNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 47uF ± 6.3Vdc 20% X5R 85 ) CL31A476MQHNNW - Product Image 6

CL31A476MQHNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 47uF ± 6.3Vdc 20% X5R 85 ) CL31A476MQHNNW

฿6.67-66.67

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

ตัวเก็บประจุ0.1uF 400V MKP10 MKP10ฟิล์มโพรพิลีน0.1uF 400V MKP ผ่านรูตัวเก็บประจุเสียงความแม่นยำสูง0.1uF 400V MKP10 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุ0.1uF 400V MKP10 MKP10ฟิล์มโพรพิลีน0.1uF 400V MKP ผ่านรูตัวเก็บประจุเสียงความแม่นยำสูง0.1uF 400V MKP10 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุ0.1uF 400V MKP10 MKP10ฟิล์มโพรพิลีน0.1uF 400V MKP ผ่านรูตัวเก็บประจุเสียงความแม่นยำสูง0.1uF 400V MKP10 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุ0.1uF 400V MKP10 MKP10ฟิล์มโพรพิลีน0.1uF 400V MKP ผ่านรูตัวเก็บประจุเสียงความแม่นยำสูง0.1uF 400V MKP10 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุ0.1uF 400V MKP10 MKP10ฟิล์มโพรพิลีน0.1uF 400V MKP ผ่านรูตัวเก็บประจุเสียงความแม่นยำสูง0.1uF 400V MKP10 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุ0.1uF 400V MKP10 MKP10ฟิล์มโพรพิลีน0.1uF 400V MKP ผ่านรูตัวเก็บประจุเสียงความแม่นยำสูง0.1uF 400V MKP10 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุ0.1uF 400V MKP10 MKP10ฟิล์มโพรพิลีน0.1uF 400V MKP ผ่านรูตัวเก็บประจุเสียงความแม่นยำสูง0.1uF 400V MKP10

฿6.67-33.34

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00 หมายเลขสินค้า FKP2F011001D00JC00 A164 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00 หมายเลขสินค้า FKP2F011001D00JC00 A164 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00 หมายเลขสินค้า FKP2F011001D00JC00 A164 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00 หมายเลขสินค้า FKP2F011001D00JC00 A164 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00 หมายเลขสินค้า FKP2F011001D00JC00 A164 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00 หมายเลขสินค้า FKP2F011001D00JC00 A164 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00 หมายเลขสินค้า FKP2F011001D00JC00 A164

฿1.67-30.01

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH103M46Y5UN6VL7A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH103M46Y5UN6VL7A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH103M46Y5UN6VL7A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH103M46Y5UN6VL7A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH103M46Y5UN6VL7A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH103M46Y5UN6VL7A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH103M46Y5UN6VL7A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ขนาดขา 7.5 มม.

฿1.67-6.67

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED

2 yrs

CL31B226MQKVPJ (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบเฮลโลชิป 1206 3216 22uF 6.3Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200) CL31B226MQKVPJ - Product Image 1

CL31B226MQKVPJ (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบเฮลโลชิป 1206 3216 22uF 6.3Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200) CL31B226MQKVPJ - Product Image 2

CL31B226MQKVPJ (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบเฮลโลชิป 1206 3216 22uF 6.3Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200) CL31B226MQKVPJ - Product Image 3

CL31B226MQKVPJ (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบเฮลโลชิป 1206 3216 22uF 6.3Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200) CL31B226MQKVPJ - Product Image 4

CL31B226MQKVPJ (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบเฮลโลชิป 1206 3216 22uF 6.3Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200) CL31B226MQKVPJ - Product Image 5

CL31B226MQKVPJ (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบเฮลโลชิป 1206 3216 22uF 6.3Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200) CL31B226MQKVPJ - Product Image 6

CL31B226MQKVPJ (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบเฮลโลชิป 1206 3216 22uF 6.3Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200) CL31B226MQKVPJ

฿6.67-66.67

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-152K2KVDCP7.5B4 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1.5nF 10% 2kV ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-152K2KVDCP7.5B4 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1.5nF 10% 2kV ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-152K2KVDCP7.5B4 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1.5nF 10% 2kV ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-152K2KVDCP7.5B4 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1.5nF 10% 2kV ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-152K2KVDCP7.5B4 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1.5nF 10% 2kV ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-152K2KVDCP7.5B4 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1.5nF 10% 2kV ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-152K2KVDCP7.5B4 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1.5nF 10% 2kV ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ

฿1.01-3.34

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED

2 yrs