All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Capacitors

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น RF03N1R5A500CT ขนาด 0201 (ค่าความจุ: 1.5pF) (แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ: NP0) - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น RF03N1R5A500CT ขนาด 0201 (ค่าความจุ: 1.5pF) (แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ: NP0) - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น RF03N1R5A500CT ขนาด 0201 (ค่าความจุ: 1.5pF) (แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ: NP0) - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น RF03N1R5A500CT ขนาด 0201 (ค่าความจุ: 1.5pF) (แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ: NP0) - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น RF03N1R5A500CT ขนาด 0201 (ค่าความจุ: 1.5pF) (แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ: NP0) - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น RF03N1R5A500CT ขนาด 0201 (ค่าความจุ: 1.5pF) (แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ: NP0) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น RF03N1R5A500CT ขนาด 0201 (ค่าความจุ: 1.5pF) (แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ: NP0)

฿0.3353-1.01
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 50 ชิ้น
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.8/5.0(15)
CL31A226MOHNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 22UF ± 16Vdc 20% X5R 85 ) CL31A226MOHNNW - Product Image 1
CL31A226MOHNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 22UF ± 16Vdc 20% X5R 85 ) CL31A226MOHNNW - Product Image 2
CL31A226MOHNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 22UF ± 16Vdc 20% X5R 85 ) CL31A226MOHNNW - Product Image 3
CL31A226MOHNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 22UF ± 16Vdc 20% X5R 85 ) CL31A226MOHNNW - Product Image 4
CL31A226MOHNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 22UF ± 16Vdc 20% X5R 85 ) CL31A226MOHNNW - Product Image 5
CL31A226MOHNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 22UF ± 16Vdc 20% X5R 85 ) CL31A226MOHNNW - Product Image 6

CL31A226MOHNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 22UF ± 16Vdc 20% X5R 85 ) CL31A226MOHNNW

฿6.71-67.06
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(258)
C4532X7R1E226M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1812 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CGA8P1X7R1E226M250KC - Product Image 1
C4532X7R1E226M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1812 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CGA8P1X7R1E226M250KC - Product Image 2
C4532X7R1E226M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1812 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CGA8P1X7R1E226M250KC - Product Image 3
C4532X7R1E226M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1812 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CGA8P1X7R1E226M250KC - Product Image 4
C4532X7R1E226M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1812 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CGA8P1X7R1E226M250KC - Product Image 5
C4532X7R1E226M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1812 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CGA8P1X7R1E226M250KC - Product Image 6

C4532X7R1E226M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1812 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CGA8P1X7R1E226M250KC

฿16.77-67.06
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(258)
CL10X106MQ8NNN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 0603 1608 10uF 6.3Vdc ± 20% X6S 105 ) CL10X106MQ8NNN - Product Image 1
CL10X106MQ8NNN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 0603 1608 10uF 6.3Vdc ± 20% X6S 105 ) CL10X106MQ8NNN - Product Image 2
CL10X106MQ8NNN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 0603 1608 10uF 6.3Vdc ± 20% X6S 105 ) CL10X106MQ8NNN - Product Image 3
CL10X106MQ8NNN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 0603 1608 10uF 6.3Vdc ± 20% X6S 105 ) CL10X106MQ8NNN - Product Image 4
CL10X106MQ8NNN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 0603 1608 10uF 6.3Vdc ± 20% X6S 105 ) CL10X106MQ8NNN - Product Image 5
CL10X106MQ8NNN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 0603 1608 10uF 6.3Vdc ± 20% X6S 105 ) CL10X106MQ8NNN - Product Image 6

CL10X106MQ8NNN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 0603 1608 10uF 6.3Vdc ± 20% X6S 105 ) CL10X106MQ8NNN

฿6.71-67.06
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(258)
CL31A227MQKNNW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 220uF 6.3Vdc ± 20% X5R 85 ) CL31A227MQKNNW - Product Image 1
CL31A227MQKNNW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 220uF 6.3Vdc ± 20% X5R 85 ) CL31A227MQKNNW - Product Image 2
CL31A227MQKNNW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 220uF 6.3Vdc ± 20% X5R 85 ) CL31A227MQKNNW - Product Image 3
CL31A227MQKNNW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 220uF 6.3Vdc ± 20% X5R 85 ) CL31A227MQKNNW - Product Image 4
CL31A227MQKNNW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 220uF 6.3Vdc ± 20% X5R 85 ) CL31A227MQKNNW - Product Image 5
CL31A227MQKNNW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 220uF 6.3Vdc ± 20% X5R 85 ) CL31A227MQKNNW - Product Image 6

CL31A227MQKNNW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 220uF 6.3Vdc ± 20% X5R 85 ) CL31A227MQKNNW

฿6.71-67.06
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(258)
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) แบบมีรูทะลุ (THT) รุ่น C3D3A206KF0AC00, ระยะขา P=37.5 มม. ความจุ 20uF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV - Product Image 1
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) แบบมีรูทะลุ (THT) รุ่น C3D3A206KF0AC00, ระยะขา P=37.5 มม. ความจุ 20uF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV - Product Image 2
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) แบบมีรูทะลุ (THT) รุ่น C3D3A206KF0AC00, ระยะขา P=37.5 มม. ความจุ 20uF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV - Product Image 3
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) แบบมีรูทะลุ (THT) รุ่น C3D3A206KF0AC00, ระยะขา P=37.5 มม. ความจุ 20uF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV - Product Image 4
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) แบบมีรูทะลุ (THT) รุ่น C3D3A206KF0AC00, ระยะขา P=37.5 มม. ความจุ 20uF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV - Product Image 5
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) แบบมีรูทะลุ (THT) รุ่น C3D3A206KF0AC00, ระยะขา P=37.5 มม. ความจุ 20uF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) แบบมีรูทะลุ (THT) รุ่น C3D3A206KF0AC00, ระยะขา P=37.5 มม. ความจุ 20uF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV

฿83.15-292.03
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.8/5.0(15)
CL31F106ZPHNNN (ชิปเซรามิกแบบหลายชั้น Hello chip ขนาด 1206 3216 ความจุ 10uF แรงดัน 10Vdc ค่าความคลาดเคลื่อน -20/+80% รุ่น Y5V 85) CL31F106ZPHNNN - Product Image 1
CL31F106ZPHNNN (ชิปเซรามิกแบบหลายชั้น Hello chip ขนาด 1206 3216 ความจุ 10uF แรงดัน 10Vdc ค่าความคลาดเคลื่อน -20/+80% รุ่น Y5V 85) CL31F106ZPHNNN - Product Image 2
CL31F106ZPHNNN (ชิปเซรามิกแบบหลายชั้น Hello chip ขนาด 1206 3216 ความจุ 10uF แรงดัน 10Vdc ค่าความคลาดเคลื่อน -20/+80% รุ่น Y5V 85) CL31F106ZPHNNN - Product Image 3
CL31F106ZPHNNN (ชิปเซรามิกแบบหลายชั้น Hello chip ขนาด 1206 3216 ความจุ 10uF แรงดัน 10Vdc ค่าความคลาดเคลื่อน -20/+80% รุ่น Y5V 85) CL31F106ZPHNNN - Product Image 4
CL31F106ZPHNNN (ชิปเซรามิกแบบหลายชั้น Hello chip ขนาด 1206 3216 ความจุ 10uF แรงดัน 10Vdc ค่าความคลาดเคลื่อน -20/+80% รุ่น Y5V 85) CL31F106ZPHNNN - Product Image 5
CL31F106ZPHNNN (ชิปเซรามิกแบบหลายชั้น Hello chip ขนาด 1206 3216 ความจุ 10uF แรงดัน 10Vdc ค่าความคลาดเคลื่อน -20/+80% รุ่น Y5V 85) CL31F106ZPHNNN - Product Image 6

CL31F106ZPHNNN (ชิปเซรามิกแบบหลายชั้น Hello chip ขนาด 1206 3216 ความจุ 10uF แรงดัน 10Vdc ค่าความคลาดเคลื่อน -20/+80% รุ่น Y5V 85) CL31F106ZPHNNN

฿6.71-67.06
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(258)
CL31A226MQH1IN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 22UF ± 6.3Vdc 20% X5R 85 AEC-Q200) CL31A226MQH1IN - Product Image 1
CL31A226MQH1IN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 22UF ± 6.3Vdc 20% X5R 85 AEC-Q200) CL31A226MQH1IN - Product Image 2
CL31A226MQH1IN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 22UF ± 6.3Vdc 20% X5R 85 AEC-Q200) CL31A226MQH1IN - Product Image 3
CL31A226MQH1IN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 22UF ± 6.3Vdc 20% X5R 85 AEC-Q200) CL31A226MQH1IN - Product Image 4
CL31A226MQH1IN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 22UF ± 6.3Vdc 20% X5R 85 AEC-Q200) CL31A226MQH1IN - Product Image 5
CL31A226MQH1IN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 22UF ± 6.3Vdc 20% X5R 85 AEC-Q200) CL31A226MQH1IN - Product Image 6

CL31A226MQH1IN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 22UF ± 6.3Vdc 20% X5R 85 AEC-Q200) CL31A226MQH1IN

฿6.71-67.06
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(258)

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

cbb60 50ufcbb61 15ufcbb61capacitor cbb61 3uf 250vac 50 60hzปลา คา ร์ ฟ จักร พร ร ดิ์cbb60cbb60 12uf 450vacปลา คา ร์ ฟ ราคา เท่า ไหร่cbb60 450vac 50 60hz 40 85 21คา ปา ปั๊ม น้ำkondensator cbb60epcosคา ร์ บั้ มcbb61 1ufcbb60 15uf 450vaccbb60 45ufอี แว ป ปอ เร เตอร์cbb60 450vac 50 60hz 40 70 21ปลา คา ร์ ฟ แพ ล ต ติ นั่ มcapacitor cbb 60